聯(lián)華電子採(cǎi)用晶圓專工業(yè)界第一個(gè)0.11微米eFlash製程，量產(chǎn)觸控IC

　　聯(lián)華電子今日(22日)宣佈已採(cǎi)用0.11微米eFlash製程量產(chǎn)觸控IC應(yīng)用產(chǎn)品。此特殊技術(shù)最初于2012年底于聯(lián)華電子推出，是為晶圓專工業(yè)界第一個(gè)結(jié)合12V與純鋁后段(BEoL)製程，以因應(yīng)次世代觸控控制器及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM，以便用于各尺寸觸控螢?zāi)划a(chǎn)品的微控制器時(shí)，0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件，并可達(dá)到更高效能。

　　聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷處資深處長(zhǎng)黃克勤表示：「觸控面板已是今日電子產(chǎn)品主流的操作介面。聯(lián)華電子觸控平臺(tái)解決方案其中一項(xiàng)重要特點(diǎn)，就是我們的0.11微米eFlash解決方案，包含了可提供晶片設(shè)計(jì)公司的專有快閃記憶體macro設(shè)計(jì)服務(wù)。并藉由結(jié)合鋁后段製程來提供最佳成本效益，服務(wù)高度競(jìng)爭(zhēng)的觸控IC市場(chǎng)。此外，就如本公司0.18微米eFlash製程一樣，12V可滿足今日更大尺寸觸控螢?zāi)?，與瀏覽網(wǎng)頁(yè)時(shí)在觸控螢?zāi)簧蠎腋∮|控(hover)應(yīng)用的高信噪比需求?！?/p>

　　聯(lián)華電子0.11微米觸控IC平臺(tái)與現(xiàn)今廣泛採(cǎi)用的3.3V解決方案相比，信噪比可改善超過三倍，可驅(qū)動(dòng)晶片設(shè)計(jì)公司創(chuàng)造新世代更先進(jìn)的觸控產(chǎn)品。聯(lián)華電子擁有製造觸控控制器IC的豐富經(jīng)驗(yàn)，有超過30家生產(chǎn)中的觸控客戶，每月出貨量逾4000萬顆IC。0.11微米製程以8吋晶圓製造，并採(cǎi)用純鋁后段技術(shù)，使觸控晶片設(shè)計(jì)公司能夠享有更低的一次性工程費(fèi)用與相關(guān)成本，以提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。聯(lián)華電子同時(shí)提供自行研發(fā)的快閃記憶體硅智財(cái)，協(xié)助加速產(chǎn)品上市時(shí)程并促進(jìn)客製化，以因應(yīng)當(dāng)今市場(chǎng)趨勢(shì)。聯(lián)華電子也開發(fā)極低漏電製程(uLL)，進(jìn)一步降低元件與SRAM的核心電流達(dá)最高四倍。