因應(yīng)中國(guó)市場(chǎng)需求　Intel大連廠轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國(guó)的大連市政府配合，將原先以65奈米制程生產(chǎn)處理器晶片的中國(guó)大連廠，轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)最新的3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達(dá)55億美元，預(yù)計(jì)于明年下半年開始量產(chǎn)。

　　根據(jù)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新公布數(shù)據(jù)，2015年整體中國(guó)市場(chǎng)NAND Flash總消耗量換算產(chǎn)值高達(dá)66.7億美元，占全球產(chǎn)值29.1%，明年更可望達(dá)到全球NAND Flash產(chǎn)量的三分之一，成長(zhǎng)幅度十分驚人。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，英特爾大連廠在2010年完工，原先規(guī)劃以12寸晶圓搭配65奈米制程來(lái)生產(chǎn)中央處理器為主，但經(jīng)營(yíng)績(jī)效不如預(yù)期。此次轉(zhuǎn)型生產(chǎn)最先進(jìn)的3D-NAND Flash，除了可以提升大連廠的生產(chǎn)績(jī)效外，也可望搭上中國(guó)記憶體消耗量起飛的快速成長(zhǎng)期，以及最重要的配合中國(guó)政府積極投入記憶體產(chǎn)業(yè)的大趨勢(shì)，可謂是雙贏的布局。

　　根據(jù)英特爾投資金額與大連廠的產(chǎn)能建置來(lái)評(píng)估，DRAMeXchange初步預(yù)估每個(gè)月至少可布建30,000-40,000片的3D-NAND Flash。英特爾在與美光共同開發(fā)3D-NAND Flash以及3D X Point等戰(zhàn)略合作關(guān)系更加緊密的情況下，新增的大連廠3D-NAND Flash產(chǎn)能將提供美光英特爾陣營(yíng)更有彈性的產(chǎn)能規(guī)劃，來(lái)滿足高成長(zhǎng)的固態(tài)硬碟需求。

　　楊文得進(jìn)一步表示，NAND Flash市場(chǎng)在今年第四季到明年第一季供過(guò)于求的格局將不會(huì)產(chǎn)生變化，但在NAND Flash產(chǎn)業(yè)低檔時(shí)刻，中國(guó)政府仍積極加速推動(dòng)中國(guó)本土NAND Flash與SSD供應(yīng)鏈的布建(中國(guó)模組大廠江波龍與主控芯片廠Marvell戰(zhàn)略合作、武漢新芯持續(xù)加速3D-NAND Flash的開發(fā)等)，并加強(qiáng)透過(guò)與國(guó)際NAND Flash大廠合作的串聯(lián)契機(jī)(三星西安廠3D-NAND Flash產(chǎn)能明年可望提升每個(gè)月10萬(wàn)片的水準(zhǔn))，預(yù)期未來(lái)英特爾大連廠明年下半年完工后，中國(guó)NAND Flash市場(chǎng)將更為百花齊放。