Intel揮軍存儲(chǔ)器為自保、產(chǎn)量不致打亂市場(chǎng)供需？

　　英特爾(Intel)進(jìn)攻存儲(chǔ)器，將斥資改造大連廠，外界對(duì)此議論紛紛，擔(dān)心美光將受威脅，NAND flash恐會(huì)供過(guò)于求，不過(guò)有分析師認(rèn)為，英特爾此舉是是為了自保，產(chǎn)量不會(huì)大到?jīng)_擊市場(chǎng)。

　　巴倫(Barronˋs)財(cái)經(jīng)網(wǎng)站23日?qǐng)?bào)導(dǎo)，富國(guó)銀行(Wells Fargo)分析師David Wong表示，英特爾和美光(Micron)合力發(fā)展的新存儲(chǔ)器技術(shù)“3D Xpoint”將是大連廠的生產(chǎn)重心，英特爾可從中獲利，但不會(huì)成為NAND flash的主要生產(chǎn)商，預(yù)料存儲(chǔ)器僅占該公司整體營(yíng)收的一小部分。英特爾的存儲(chǔ)器產(chǎn)量不會(huì)多到打亂NAND市場(chǎng)的供需平衡。

　　里昂證券(CLSA)的Mark Heller認(rèn)為，英特爾投資大連廠是為了自保，理由之一合資廠利潤(rùn)太低。英特爾和美光的合資企業(yè)--IM Flash，英特爾能以成本價(jià)取得49%產(chǎn)出，但是目前此一工廠只生產(chǎn)2D NAND，并開(kāi)始試產(chǎn)Xpoint，3D NAND則全數(shù)在美光的新加坡廠制造，意味英特爾想買(mǎi)3D NAND須以高于成本價(jià)購(gòu)買(mǎi)，這會(huì)推高英特爾成本，該公司或許因此決定自行生產(chǎn)。

　　Heller舉出的第二個(gè)理由是，英特爾擔(dān)心美光移情別戀，另尋合作伙伴。美光擁有IM Flash的買(mǎi)權(quán)(call option)，能要求英特爾以帳面價(jià)格回售合資企業(yè)給美光，英特爾可能想自建3D NAND/Xpoint工廠，避免此一風(fēng)險(xiǎn)。第三個(gè)理由是3D NAND和Xpoint技術(shù)似乎多為美光所有。

　　彭博社先前報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體業(yè)龍頭英特爾丟震撼彈，20日宣布將砸重金把位在中國(guó)大連的廠房改造成最頂尖的存儲(chǔ)器晶片廠。英特爾以處理器聞名，最早卻以生產(chǎn)存儲(chǔ)器起家，這次可算是重操舊業(yè)。大連工廠2010年開(kāi)始營(yíng)運(yùn)，產(chǎn)線改頭換面完成后將在2016下半年投產(chǎn)。英特爾前三至五年計(jì)劃投資35億美元，之后還可能再追加至55億美元。

　　BusinessKorea 8月7日?qǐng)?bào)導(dǎo)，英特爾、美光7月29日宣布開(kāi)發(fā)出新世代存儲(chǔ)器技術(shù)“3D Xpoint”，儲(chǔ)存的資料比DRAM高出十倍，讀寫(xiě)速度與耐受度更是NAND型快閃存儲(chǔ)器的1千倍之多，如此革新的技術(shù)讓三星電子、SK Hynix大為緊張。