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SoC追求高效低耗 連接與封裝技術(shù)是關(guān)鍵

作者: 時間:2015-11-18 來源:Digitimes 收藏
編者按:系統(tǒng)單芯片把更大、更多的系統(tǒng)整合在同一顆晶粒上,而多晶粒整合挑戰(zhàn)包括技術(shù)不足、主要制程不相容,這些問題就催生出分區(qū)管理這個新架構(gòu)。

  低成本多晶粒(packaging)、新式高速序列收發(fā)器(serialtransceiver)、甚至非電連接(non-electricalinterconnect)等技術(shù)之賜,可望協(xié)助多晶粒系統(tǒng)核心分區(qū)管理(partitioning)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/282976.htm

  Altera網(wǎng)站指出,由于頻寬限制、功率預(yù)算(powerbudget)放寬,架構(gòu)設(shè)計人員往往可突破新的效能、效率、以及密度組合。

  首先,欲將系統(tǒng)分散至多重晶粒上,得先做好分區(qū)管理。子系統(tǒng)之間的連結(jié)頻寬與延遲性需求,將決定系統(tǒng)的管理選項(xiàng)。因?yàn)橐恍┹^有效率的連接方式,具備較長的初始延遲、較高的頻寬,所以將區(qū)塊設(shè)計得愈能接受延遲作用愈好。

  有些應(yīng)用本身無法接受過長時間延遲,像是控制回圈(controlloop)當(dāng)中若延遲更長,就可能會造成系統(tǒng)從臨界阻尼(criticallydamped)狀態(tài)變成不穩(wěn)定,此時只能整合所有區(qū)塊至回圈當(dāng)中,或者花更多成本與功耗打造寬式平行化芯片間連接。

  然而,在有些系統(tǒng)應(yīng)用當(dāng)中延遲性不是問題,反而產(chǎn)能(throughput)才是關(guān)鍵。這類系統(tǒng)一般得執(zhí)行處理長串資料,像是訊號處理、影像處理等等。這類電腦運(yùn)算往往可導(dǎo)入管線化架構(gòu)(pipelinedarchitecture),避免可預(yù)測的時間延遲。

  在多數(shù)管線化架構(gòu)當(dāng)中,連接延遲只影響到輸入、輸出的延時,并不會影響到管線本身的頻寬。也有許多情況下,演算法無法被輕易管線化,不過可以拆解為大量線程(thread)。

  若有足夠線程執(zhí)行系統(tǒng),則可透過線程之間的切換,處理極長、甚至無法預(yù)測的延遲。而多重線程的硬體支援程度,會限制線程切換作業(yè),這方面在現(xiàn)代CPU核心較為受限,而在GPU上較有發(fā)揮空間。

  雖然采此法系統(tǒng)延遲可能較長,整體系統(tǒng)產(chǎn)能卻會較高,且?guī)缀跖c內(nèi)部延遲問題獨(dú)立開來。簡言之,只要愿意增加時間延遲,就打開更多系統(tǒng)分區(qū)管理的可能。

  除此之外,將芯片間的頻寬最大化、延遲最小化的最好方法,就是將芯片之間的距離拉近。因此,愈來愈多廠商重視2.5D或3D技術(shù)。這些技術(shù)傳統(tǒng)上不僅成本高且穩(wěn)定性低,然而,現(xiàn)在多芯片技術(shù)已達(dá)成熟階段,從高階軍用系統(tǒng)發(fā)展至主流、低成本應(yīng)用。

  最常受到討論的2.5D/3D芯片封裝技術(shù)是直通矽晶穿孔(TSV)封裝技術(shù),TSV透過垂直導(dǎo)通整合晶圓堆疊,達(dá)到多芯片間互相連接,以更低成本提高系統(tǒng)整合度,而這仍屬于較有技術(shù)挑戰(zhàn)的高階封裝領(lǐng)域。

  目前有二款TSV進(jìn)入量產(chǎn)階段,一是臺積電的新型制程整合技術(shù)CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate),另一則是用于DRAM堆疊的混合存儲器立方(HybridMemoryCube;HMC)與高頻寬存儲器(High-BandwidthMemory;HBM)。

  這些TSV制程與設(shè)計都極為復(fù)雜,并不容易達(dá)成,不過回報很高,因?yàn)門SV能在堆疊晶粒間植入大量連接,互連頻寬高、晶粒間延遲性相對低,比打線技術(shù)(wirebonding)有效許多。

  亦有設(shè)計人員致力找出新式方法,希望既擁有TSV的高密度與低阻抗,又沒有TSV的復(fù)雜制程與良率問題。

  英特爾專業(yè)代工(IntelCustomFoundry)研發(fā)的互連技術(shù)EMIB(embeddedmulti-dieinterconnectbridge),與CoWoS一樣屬于2.5D技術(shù),不采TSV的特殊矽中介層(siliconinterposer),而是使用一般封裝基層構(gòu)造作互連架構(gòu)。

  對這些技術(shù)而言,設(shè)計流程是極為重要的考量。晶粒間連接是系統(tǒng)的一部分,因此晶粒往往不能獨(dú)立分開設(shè)計,而是在設(shè)計時就得精準(zhǔn)的考量延時性與功率模組,甚至是溫控、機(jī)械、電磁模組。

  由于芯片間連接越少,封裝與分析成本就越低,許多廠商也利用高速序列收發(fā)器,以很少的打線達(dá)到28Gbps這樣的超高速資料傳輸速率。

  印刷電路板(PCB)設(shè)計公司SpeedingEdge創(chuàng)辦人LeeRitchey表示,2016年可能就會出現(xiàn)56Gbps的生產(chǎn)系統(tǒng),而屆時28Gbps就會變得稀松平常。Teraspeed研發(fā)顧問ScottMcMorrow甚至認(rèn)為,理論上傳統(tǒng)IC封裝可達(dá)到110Gbps速率。

  不過,這些新序列連結(jié)得通過距離與電路復(fù)雜性的考驗(yàn),先出現(xiàn)在芯片至模組(chip-to-module)連接,才會出現(xiàn)在電路板、連接器(connector)、背板(backplane)等較復(fù)雜的設(shè)計當(dāng)中。

  未來也有許多不同的整合可能性,可超越電路版限制,像是利用增層式(build-up)封裝技術(shù),在電路版上層添加一層電力或光學(xué)連結(jié)器,允許高速序列通道在獨(dú)立的控制環(huán)境內(nèi)運(yùn)轉(zhuǎn)。也有人提出Twinax銅纜、光學(xué)互連、量子點(diǎn)技術(shù)、近場60GHz無線電收發(fā)器等解決方案。

  無論最佳解決方案為何,芯片間連接與多芯片封裝技術(shù)顯然替分區(qū)管理開辟新土,而選擇好的分區(qū)管理技術(shù),也成為未來設(shè)計的關(guān)鍵,不但可達(dá)到最佳效能,亦能達(dá)到低成本與低功率效果。



關(guān)鍵詞: SoC 封裝

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