Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預(yù)計(jì)未來功率半導(dǎo)體市場將三分天下。

　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動(dòng)車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動(dòng)通訊基地臺(tái)，或資料中心機(jī)房設(shè)備而言，則需要更高的切換頻率。

　　氮化鎵、碳化矽技術(shù)表現(xiàn)雖佳，但現(xiàn)階段發(fā)展上有其挑戰(zhàn)，包含過高的成本、技術(shù)表現(xiàn)可靠度不足、可供貨業(yè)者有限，以及缺乏配套的封裝整合技術(shù)等，不過業(yè)界正逐一尋求突破。

　　業(yè)界為了加速發(fā)展新材料功率半導(dǎo)體已進(jìn)行多項(xiàng)商業(yè)布局，包含投資新創(chuàng)業(yè)者、發(fā)動(dòng)購并、事業(yè)體分拆、技術(shù)合作等。期許讓功率半導(dǎo)體獲得新應(yīng)用話題、新成長動(dòng)能。

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