意法半導體（ST）推出新款功率MOSFET，實現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源

　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內(nèi)置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。

　　400V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全系列產(chǎn)品專為汽車應用設計，內(nèi)部集成快速恢復體二極管(fast body diode)、恢復軟度系數(shù)更高的換向行為(commutation behavior)和背對背柵源齊納(gate-source zener)二極管保護功能，是全橋零壓開關拓撲的理想選擇。

　　意法半導體的新功率MOSFET是汽車市場上Trr(反向恢復時間) / Qrr(反向恢復電荷)比和恢復軟度系數(shù)表現(xiàn)最好的功率MOSFET，同時也擁有最出色的高電流關斷能量(Eoff)，有助于提高汽車電源能效。此外，內(nèi)部快速體二極管的性能表現(xiàn)亦十分出色，有助于降低EMI電磁干擾，讓設計人員能夠使用尺寸更小的被動濾波器件。MDmeshTM DM2技術通過這種方式讓電源設計變得更環(huán)保、能耗更低，從而使能效最大化、終端產(chǎn)品的尺寸最小化。

　　意法半導體的新款車用功率MOSFET擁有以下主要特性：

　　· 快速恢復體二極管

　　· 極低的柵電荷量及輸入電容，500V D2PAK產(chǎn)品的柵電荷量及輸入電容分別為44nC和 1850pF

　　· 低導通電阻

　　· 最短的Trr(反向恢復時間)：600V TO-247在28A時是120ns;650V TO-247在48A時是135ns

　　· 柵源齊納二極管保護