臺(tái)大研發(fā)零缺陷半導(dǎo)體材料 登國(guó)際期刊

　　傳統(tǒng)上，當(dāng)半導(dǎo)體材料越薄，其缺陷對(duì)于電子、光電元件的效能就有越嚴(yán)重的影響，一直是難以突破的困境。臺(tái)灣大學(xué)跨國(guó)團(tuán)隊(duì)研發(fā)出獨(dú)步全球的零缺陷半導(dǎo)體材料，透過(guò)“修復(fù)缺陷”簡(jiǎn)單方法，讓單層二維半導(dǎo)體材料能達(dá)到零缺陷等級(jí)，可提升LED發(fā)光效能100倍。上月研究刊登在“科學(xué)”《Science》期刊。

　　二維半導(dǎo)體材料具有特殊的電子傳導(dǎo)、光學(xué)、機(jī)械特性，可整合于現(xiàn)今半導(dǎo)體元件制程，被學(xué)界認(rèn)為有很大潛力取代傳統(tǒng)矽材原料，其中中二硫化鉬(MoS2)是最熱門(mén)的半導(dǎo)體二維材料之一，但以目前合成制備技術(shù)，二維材料的缺陷密度還是太高，成為應(yīng)用瓶頸，如何減少、控制缺陷是所有半導(dǎo)體材料需克服的問(wèn)題。

　　臺(tái)大跨國(guó)研究團(tuán)隊(duì)透過(guò)將二維材料浸潤(rùn)于一種稱(chēng)為亞胺(bistriflimide)的有機(jī)超強(qiáng)酸中，可大幅提高二維材料的量子效率，從不到1%增加到接近100%，單層薄膜能達(dá)到完美的“零缺陷”，大幅提高發(fā)光效率。技術(shù)可望用于開(kāi)發(fā)透明LED顯示器、超高效太陽(yáng)能電池、高靈敏度光偵測(cè)器、低功耗的奈米級(jí)電晶體等。 臺(tái)大表示，這項(xiàng)研究的跨國(guó)研究團(tuán)隊(duì)由加州大學(xué)柏克萊分校教授Ali Javey、阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)(KAUST)教授何志浩(前臺(tái)大電機(jī)系教授)、前臺(tái)大校長(zhǎng)李嗣涔等共同組成。研究的共同第一作者連德軒，今年剛完成博士口試，本學(xué)期將畢業(yè)，現(xiàn)已在加州柏克萊大學(xué)執(zhí)行科技部第二年的龍門(mén)計(jì)畫(huà)，畢業(yè)后則將繼續(xù)在加州大學(xué)柏克萊分校繼續(xù)擔(dān)任博士后研究員。