恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管

　　恩智浦半導(dǎo)體（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號(hào)擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時(shí)低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品（如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)）的發(fā)熱量。先進(jìn)的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導(dǎo)通電阻的工業(yè)及汽車(chē)領(lǐng)域。

　　華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示：“卓越的節(jié)能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關(guān)注的一項(xiàng)重要性能，也是我們獲得世界首個(gè)筆記本電腦TCO’99認(rèn)證的關(guān)鍵因素。通過(guò)與恩智浦的合作，我們有眾多高品質(zhì)BISS晶體管可以選擇，并能夠以最佳價(jià)格成本設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)各種創(chuàng)新型高性能電腦、通信及消費(fèi)電子產(chǎn)品解決方案?！?/P>

　　第三代BISS晶體管的最大集電極電流為5.8 安培，它使用網(wǎng)狀發(fā)射極技術(shù)降低RCEsat，從而能夠提供更高的電流容量以及超低的VCEsat。BISS晶體管可用于提高中等功率DC/DC轉(zhuǎn)換、負(fù)荷開(kāi)關(guān)、高邊開(kāi)關(guān)（high side switch）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、背光變極器應(yīng)用和頻閃器閃光單元以及電池充電器等多種應(yīng)用的效率。恩智浦目前大批量生產(chǎn)供應(yīng)的BISS晶體管有120多種。

　　恩智浦半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)理Jens Schnepel表示：“如今明智的消費(fèi)者都希望便攜設(shè)備的待機(jī)時(shí)間能夠更長(zhǎng)，并要求所有電子設(shè)備具有更好的節(jié)能性。對(duì)于設(shè)計(jì)大批量生產(chǎn)的中等功率設(shè)備的OEM廠(chǎng)商而言，我們的第三代BISS晶體管無(wú)疑是極具成本效益的理想選擇。”

供貨情況

　　目前提供三種塑封低VCEsat BISS晶體管：SOT457（六腳）、SOT89（三線(xiàn)、配有確保良好傳熱性的集電極片）和SOT223（四線(xiàn)、配有更多散熱片）。