IC layout布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

布局前的準(zhǔn)備:

1 查看捕捉點(diǎn)設(shè)置是否正確.08工藝為0.1,06工藝為0.05,05工藝為0.025.
2 Cell名稱(chēng)不能以數(shù)字開(kāi)頭.否則無(wú)法做DRACULA檢查.
3 布局前考慮好出PIN的方向和位置
4 布局前分析電路，完成同一功能的MOS管畫(huà)在一起
5 對(duì)兩層金屬走向預(yù)先訂好。一個(gè)圖中柵的走向盡量一致，不要有橫有豎。
6 對(duì)pin分類(lèi),vdd,vddx注意不要混淆,不同電位(襯底接不同電壓)的n井分開(kāi).混合信號(hào)的電路尤其注意這點(diǎn).
7 在正確的路徑下(一般是進(jìn)到~/opus)打開(kāi)icfb.
8 更改cell時(shí)查看路徑,一定要在正確的library下更改,以防copy過(guò)來(lái)的cell是在其他的library下,被改錯(cuò).
9 將不同電位的N井找出來(lái).

布局時(shí)注意:

10 更改原理圖后一定記得check and save
11 完成每個(gè)cell后要?dú)w原點(diǎn)
12 DEVICE的 個(gè)數(shù) 是否和原理圖一至(有并聯(lián)的管子時(shí)注意)；各DEVICE的尺寸是否和原理圖一至。一般在拿到原理圖之后，會(huì)對(duì)布局有大概的規(guī)劃，先畫(huà)DEVICE，(DIVECE之間不必用最小間距,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)考慮連線(xiàn)空間留出空隙)再連線(xiàn)。畫(huà)DEVICE后從EXTRACTED中看參數(shù)檢驗(yàn)對(duì)錯(cuò)。對(duì)每個(gè)device器件的各端從什么方向,什么位置與其他物體連線(xiàn) 必須 先有考慮(與經(jīng)驗(yàn)及floorplan的水平有關(guān)).
13 如果一個(gè)cell調(diào)用其它c(diǎn)ell，被調(diào)用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果沒(méi)有和外層cell連起來(lái)，要打上PIN,否則通不過(guò)diva檢查.盡量在布局低層cell時(shí)就連起來(lái)
14 盡量用最上層金屬接出PIN。
15 接出去的線(xiàn)拉到cell邊緣,布局時(shí)記得留出走線(xiàn)空間.
16 金屬連線(xiàn)不宜過(guò)長(zhǎng)；
17 電容一般最后畫(huà)，在空檔處拼湊。
18 小尺寸的mos管孔可以少打一點(diǎn).
19 LABEL標(biāo)識(shí)元件時(shí)不要用y0層，mapfile不認(rèn)。
20 管子的溝道上盡量不要走線(xiàn);M2的影響比M1小.
21 電容上下級(jí)板的電壓注意要均勻分布；電容的長(zhǎng)寬不宜相差過(guò)大。可以多個(gè)電阻并聯(lián).
22 多晶硅柵不能兩端都打孔連接金屬。
23 柵上的孔最好打在柵的中間位置.
24 U形的mos管用整片方形的柵覆蓋diff層,不要用layer generation的方法生成U形柵.
25 一般打孔最少打兩個(gè)
26 Contact面積允許的情況下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因?yàn)殡娏鬏^大.但如果contact阻值遠(yuǎn)大于diffusion則不適用.傳導(dǎo)線(xiàn)越寬越好,因?yàn)榭梢詼p少電阻值,但也增加了電容值.
27 薄氧化層是否有對(duì)應(yīng)的植入層
28 金屬連接孔可以嵌在diffusion的孔中間.
29 兩段金屬連接處重疊的地方注意金屬線(xiàn)最小寬度
30 連線(xiàn)接頭處一定要重疊，畫(huà)的時(shí)候?qū)⒃搮^(qū)域放大可避免此錯(cuò)誤。
31 擺放各個(gè)小CELL時(shí)注意不要擠得太近，沒(méi)有留出走線(xiàn)空間。最后線(xiàn)只能從DEVICE上跨過(guò)去。
32 Text2,y0層只是用來(lái)做檢查或標(biāo)志用,不用于光刻制造.
33 芯片內(nèi)部的電源線(xiàn)/地線(xiàn)和ESD上的電源線(xiàn)/地線(xiàn)分開(kāi)接;數(shù)模信號(hào)的電源線(xiàn)/地線(xiàn)分開(kāi)。
34 Pad的pass窗口的尺寸畫(huà)成整數(shù)90um.
35 連接Esd電路的線(xiàn)不能斷，如果改變走向不要換金屬層
36 Esd電路中無(wú)VDDX,VSSX,是VDDB,VSSB.
37 PAD和ESD最好使用M1連接，寬度不小于20um;使用M2連接時(shí),pad上不用打VIA孔,在ESD電路上打。
38 PAD與芯片內(nèi)部cell的連線(xiàn)要從ESD電路上接過(guò)去。
39 Esd電路的SOURCE放兩邊，DRAIN放中間。
40 ESD的D端的孔到poly的間距為4,S端到poly的間距為^+0.2.防止大電流從D端進(jìn)來(lái)時(shí)影響poly.
41 ESD的pmos管與其他ESD或POWER的nmos管至少相距70um以上。
42 大尺寸的pmos/nmos與其他nmos/pmos(非powermos和ESD)的間距不夠70um時(shí),但最好不要小于50um,中間加NWELL,打上NTAP.
43 NWELL和PTAP的隔離效果有什么不同?NWELL較深,效果較好.
44 只有esd電路中的管子才可以用2*2um的孔.怎么判斷ESD電路？上拉P管的D/G均接VDD,S接PAD;下拉N管的G/S接VSS,D接PAD.P/N管起二極管的作用.
45 擺放ESD時(shí)nmos擺在最外緣,pmos在內(nèi).
46 關(guān)于匹配電路，放大電路不需要和下面的電流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所處的光刻環(huán)境一樣。 匹配分為橫向，縱向，和中心匹配。1221為縱向匹配，12為中心匹配（把上方1轉(zhuǎn)到下方1時(shí)，上方2也達(dá)到下方2位置）21中心匹配最佳。
47 尺寸非常小的匹配管子對(duì)匹配畫(huà)法要求不嚴(yán)格.4個(gè)以上的匹配管子,局部和整體都匹配的匹配方式最佳.
48 在匹配電路的mos管左右畫(huà)上dummy,用poly,poly的尺寸與管子尺寸一樣,dummy與相鄰的第一個(gè)poly gate的間距等于poly gate之間的間距.
49 電阻的匹配，例如1，2兩電阻需要匹配，仍是1221等方法。電阻dummy兩頭接地vssx。
50 Via不要打在電阻體,電容(poly)邊緣上面.
51 05工藝中resistor層只是做檢查用
52 電阻連線(xiàn)處孔越多,各個(gè)VIA孔的電阻是并聯(lián)關(guān)系,孔形成的電阻變小.
53 電阻的dummy是保證處于邊緣的電阻與其他電阻蝕刻環(huán)境一樣.
54 電容的匹配，值，接線(xiàn)，位置的匹配。
55 電阻連接fuse的pad的連線(xiàn)要稍寬,因?yàn)橥ㄟ^(guò)的電流較大.fuse的容絲用最上層金屬.

56 關(guān)于powermos

① powermos一般接pin，要用足夠?qū)挼慕饘倬€(xiàn)接，
② 幾種縮小面積的畫(huà)法。
③ 柵的間距？無(wú)要求。柵的長(zhǎng)度不能超過(guò)100um
57 Power mos要考慮瞬時(shí)大電流通過(guò)的情況,保證電流到達(dá)各處的路徑的電阻相差不大.(適應(yīng)所有存在大電流通過(guò)的情況).
58 金屬層dummy要和金屬走向一致，即如果M2橫走，M2的dummy也是橫走向
59 低層cell的pin,label等要整齊,and不要?jiǎng)h掉以備后用.
60 匹配電路的柵如果橫走，之間連接用的金屬線(xiàn)會(huì)是豎走，用金屬一層，和規(guī)定的金屬走向一致。
61 不同寬度金屬連接的影響？整個(gè)layout面積較大時(shí)影響可忽略.
62 輸出端節(jié)電容要小.多個(gè)管子并聯(lián),有一端是輸出時(shí)注意做到這點(diǎn).
63 做DRACULA檢查時(shí),如果先運(yùn)行drc,drc檢查沒(méi)有完畢時(shí)做了lvs檢查,那么drc檢查的每一步會(huì)比lvs檢查的每一步快;反之,lvs會(huì)比drc快.
64 最終DRACULA通過(guò)之后在layout圖中空隙處加上ptap,先用thin-oxid將空隙處填滿(mǎn),再打上孔,金屬寬度不要超過(guò)10,即一行最多8個(gè)孔(06工藝)
65 為防止信號(hào)串?dāng)_,在兩電路間加上PTAP,此PTAP單獨(dú)連接VSS PAD.
66 金屬上走過(guò)的電壓很大時(shí),為避免尖角放電,拐角處用斜角,不能走90度度的直角.
67 如果w=20,可畫(huà)成兩個(gè)w=10mos管并聯(lián)
68 并聯(lián)的管子共用端為S端,或D端;串聯(lián)的管子共用端為s/d端.

出錯(cuò)檢查:

69 DEVICE的各端是否都有連線(xiàn)；連線(xiàn)是否正確；
70 完成布局檢查時(shí)要查看每個(gè)接線(xiàn)的地方是否都有連線(xiàn)，特別注意VSSX，VDDX
71 查線(xiàn)時(shí)用SHOTS將線(xiàn)高亮顯示，便于找出可以合并或是縮短距離的金屬線(xiàn)。
72 多個(gè)電阻（大于兩根）打上DUMMY。保證每根電阻在光刻時(shí)所處的環(huán)境一樣，最外面的電阻的NPIM層要超出EPOLY2 0.55 um，即兩根電阻間距的一半。
73 無(wú)關(guān)的MOS管的THIN要斷開(kāi)，不要連在一起
74 并聯(lián)的管子注意漏源合并，不要連錯(cuò)線(xiàn)。一個(gè)管子的源端也是另一個(gè)管子的源端
75 做DRAC檢查時(shí)最上層的pin的名稱(chēng)用text2標(biāo)識(shí)。Text2的名稱(chēng)要和該pin的名稱(chēng)一樣.
76 大CELL不要做DIVA檢查,用DRACULE.
77 Text2層要打在最頂層cell里.如果打在pad上,于最頂層調(diào)用此PAD,Dracula無(wú)法認(rèn)出此pin.
78 消除電阻dummy的lvs報(bào)錯(cuò)，把nimp和RPdummy層移出最邊緣的電阻，不要覆蓋dummy
79 06工藝中M1最小寬度0.8,如果用0.8的M1拐線(xiàn),雖然diva的drc不報(bào)錯(cuò),但DRACULE的drc會(huì)在拐角處報(bào)錯(cuò).要在拐角處加寬金屬線(xiàn).
80 最后DRACULA的lvs通過(guò),但是drc沒(méi)有過(guò),每次改正drc錯(cuò)誤前可把layout圖存成layout1,再改正.以免改錯(cuò)影響lvs不通過(guò),舊版圖也被保存下來(lái)了.
81 Cell中間的連線(xiàn)盡量在低層cell中連完,不要放在高層cell中連,特別不要在最高層cell中連,因?yàn)樽罡邔觕ell的布局經(jīng)常會(huì)改動(dòng),走線(xiàn)容易因?yàn)閏ell的移動(dòng)變得混亂.
82 DRACULA的drc無(wú)法檢查出pad必須滿(mǎn)足pad到與pad無(wú)關(guān)的物體間距為10這一規(guī)則.
83 做DRACULA檢查時(shí)開(kāi)兩個(gè)窗口,一個(gè)用于lvs,一個(gè)用于drc.可同時(shí)進(jìn)行,節(jié)省時(shí)間.

容易犯的錯(cuò)誤

84 電阻忘記加dummy
85 使用NS功能后沒(méi)有復(fù)原(選取AS),之后又進(jìn)行整圖移動(dòng)操作,結(jié)果被NS的元件沒(méi)有移動(dòng),圖形被破壞.
86 使用strech功能時(shí)錯(cuò)選.每次操作時(shí)注意看圖左下角提示.
87 Op電路中輸入放大端的管子的襯底不接vddb/vddx.
88 是否按下capslock鍵后沒(méi)有還原就操作
節(jié)省面積的途徑
89 電源線(xiàn)下面可以畫(huà)有器件.節(jié)省面積.
90 電阻上面可以走線(xiàn)，畫(huà)電阻的區(qū)域可以充分利用。
91 電阻的長(zhǎng)度畫(huà)越長(zhǎng)越省面積。
92 走線(xiàn)時(shí)金屬線(xiàn)寬走最小可以節(jié)省面積.并不需要走孔的寬度.
93 做新版本的layout圖時(shí)，舊圖保存，不要改動(dòng)或刪除。減小面積時(shí)如果低層CELL的線(xiàn)有與外層CELL相連，可以從更改連線(xiàn)入手，減小走線(xiàn)面積。
94 版圖中面積被device，device的間隔和走線(xiàn)空間分割。減小面積一般從走線(xiàn)空間入手，更改FLOORPLAN。