開(kāi)關(guān)電源的可靠性設(shè)計(jì)
開(kāi)關(guān)電源是各種系統(tǒng)的核心部分。開(kāi)關(guān)電源的需求越來(lái)越大,同時(shí)對(duì)可靠性提出了越來(lái)越高的要求。涉及系統(tǒng)可靠性的因素很多。目前,人們認(rèn)識(shí)上的主要誤區(qū)是把可靠性完全(或基本上)歸結(jié)于元器件的可靠性和制造裝配的工藝,忽略了系統(tǒng)設(shè)計(jì)和環(huán)境溫度對(duì)可靠性的決定性的作用。據(jù)美國(guó)海軍電子實(shí)驗(yàn)室的統(tǒng)計(jì),整機(jī)出現(xiàn)故障的原因和各自所占的百分比如表1所示。
在民用電子產(chǎn)品領(lǐng)域,日本的統(tǒng)計(jì)資料表明,可靠性問(wèn)題80%源于設(shè)計(jì)方面(日本把元器件的選型、質(zhì)量級(jí)別的確定、元器件的負(fù)荷率等部分也歸入設(shè)計(jì)上的原因)。以上兩方面的數(shù)據(jù)表明,設(shè)計(jì)及元器件(元器件的選型,質(zhì)量級(jí)別的確定,元器件的負(fù)荷率)的原因造成的故障,在開(kāi)關(guān)電源故障原因中占80%左右。減少這兩方面造成的開(kāi)關(guān)電源故障,具有重要的意義??傊?,對(duì)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者而言,需要明確建立“可靠性”這個(gè)重要概念,把系統(tǒng)的可靠性作為重要的技術(shù)指標(biāo),認(rèn)真對(duì)待開(kāi)關(guān)電源可靠性的設(shè)計(jì)工作,并采取足夠的措施提高開(kāi)關(guān)電源的可靠性,才能使系統(tǒng)和產(chǎn)品達(dá)到穩(wěn)定、可靠的目標(biāo)。本文就從這兩個(gè)方面來(lái)研
2 系統(tǒng)可靠性的定義及指標(biāo)
國(guó)際上,通用的可靠性定義為:在規(guī)定條件下和規(guī)定的時(shí)間內(nèi),完成規(guī)定功能的能力。此定義適用于一個(gè)系統(tǒng),也適用于一臺(tái)設(shè)備或一個(gè)單元。描述這種隨機(jī)事件的概率可用來(lái)作為表征開(kāi)關(guān)電源可靠性的特征量和特征函數(shù)。從而,引出可靠度[R(t)]的定義:系統(tǒng)在規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi),完成規(guī)定功能的概率。
如系統(tǒng)在開(kāi)始 (t=0)時(shí)有n0個(gè)元件在工作,而在時(shí)間為t時(shí)仍有n個(gè)元件在正常工作,
則可靠性 R(t)=n/n0 0≤R(t) ≤1
失效率 λ(t)= - dinR(t)/dt
λ定義為該種產(chǎn)品在單位時(shí)間內(nèi)的故障數(shù),即λ=dn/dt。
如失效率λ為常數(shù),則
dn/dt=-λt
n=n0e-λt
R(t)=e-λt0 MTBF(平均無(wú)故障時(shí)間)=1/λ 平均無(wú)故障時(shí)間(MTBF)是開(kāi)關(guān)電源的一個(gè)重要指標(biāo),用來(lái)衡量開(kāi)關(guān)電源的可靠性。 3 影響開(kāi)關(guān)電源可靠性的因素 3.1 環(huán)境溫度對(duì)元器件的影響 3.1.1 環(huán)境溫度對(duì)半導(dǎo)體的影響 硅三極管以PD/PR=0.5使用負(fù)荷設(shè)計(jì),則環(huán)溫度對(duì)可靠性的影響,如表2所示。 3.1.2 環(huán)境溫度對(duì)電容器的影響 3.1.3 環(huán)境溫度對(duì)電阻器的影響 以PD/PR=0.5使用負(fù)荷設(shè)計(jì),則環(huán)境溫度對(duì)可靠性的影響如表4所示。 3.2 負(fù)荷率對(duì)元器件的影響 3.2.1 負(fù)荷率對(duì)半導(dǎo)體的影響 3.2.2 負(fù)荷率對(duì)電阻的影響 負(fù)荷率對(duì)電阻的影響如表6所示。 4 可靠性設(shè)計(jì)的原則 我們可以從上面的分析中得出開(kāi)關(guān)電源的可靠性設(shè)計(jì)原則。 4.1可靠性設(shè)計(jì)指標(biāo)應(yīng)包含定量的可靠性要求。
4.2可靠性設(shè)計(jì)與器件的功能設(shè)計(jì)相結(jié)合,在滿(mǎn)足器件性能指標(biāo)的基礎(chǔ)上,盡量提高器件的可靠性水平。 4.3應(yīng)針對(duì)器件的性能水平、可靠性水平、制造成本、研制周期等相應(yīng)制約因素進(jìn)行綜合平衡設(shè)計(jì)。 4.4在可靠性設(shè)計(jì)中盡可能采用國(guó)、內(nèi)外成熟的新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)、新工藝和新原理。 4.5對(duì)于關(guān)鍵性元器件,采用并聯(lián)方式,保證此單元有足夠的冗佘度。 4.6 原則上要盡一切可能減少元器件使用數(shù)目。 4.7在同等體積下盡量采用高額度的元器件。 4.8 選用高質(zhì)量等級(jí)的元器件。 4.9 原則上不選用電解電容。 4.10 對(duì)電源進(jìn)行合理的熱設(shè)計(jì),控制環(huán)境溫度,不致溫度過(guò)高,導(dǎo)致元器件失效率增加。 4.11 盡量選用硅半導(dǎo)體器件,少用或不用鍺半導(dǎo)體器件。 4.12 應(yīng)選擇金屬封裝、陶瓷封裝、玻璃封裝的器件,禁止選用塑料封裝的器件。 5 可靠性設(shè)計(jì) 5.1 負(fù)荷率的設(shè)計(jì) 由于負(fù)荷率對(duì)可靠性有重大影響,故可靠性設(shè)計(jì)重要的一個(gè)方面是負(fù)荷率的設(shè)計(jì),跟據(jù)元器件的特性及實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),元器件的負(fù)荷率在下列數(shù)值時(shí),電源系統(tǒng)的可靠性及成本是較優(yōu)
從各研究機(jī)構(gòu)研究成果可以看出,環(huán)境溫度和負(fù)荷率對(duì)可靠性影響很大,這兩個(gè)方面對(duì)開(kāi)關(guān)電源的影響很大,下面將從這兩方面分析,如何設(shè)計(jì)出高可靠的開(kāi)關(guān)電源。其中:PD為使用功率;PR為額定功率主。UD為使用電壓;UR為額定電壓。
由表2可知,當(dāng)環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時(shí),失效率增加了30倍。
以UD/UR=0.65使用負(fù)荷設(shè)計(jì) 則環(huán)境溫度對(duì)可靠性的影響如表3所示。
從表3可知,當(dāng)環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時(shí),失效率增加了14倍。
從表4可知,當(dāng)環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時(shí),失效率增加了4倍。
當(dāng)環(huán)境溫度為50℃時(shí),PD/PR對(duì)失效率的影響如表5所示。
由表5可知,當(dāng)PD/PR=0.8時(shí),失效率比0.2時(shí)增加了1000倍。
從表6可以看出,當(dāng)PD/PR=0.8時(shí),失效率比PD/PR=0.2時(shí)增加了8倍。
的。
5.1.1半導(dǎo)體元器件
半導(dǎo)體元器件的電壓降額應(yīng)在0.6以下,電流降額系數(shù)應(yīng)在0.5以下。半導(dǎo)體元器件除負(fù)荷率外還有容差設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),應(yīng)適當(dāng)放寬半導(dǎo)體元器件的參數(shù)允許變化范圍,包括制造容差、溫度漂移、時(shí)間漂移、輻射導(dǎo)致的漂移等。以保證半導(dǎo)體元器件的參數(shù)在一定范圍內(nèi)變化時(shí),開(kāi)關(guān)電源仍能正常工作。
5.1.2電容器
電容器的負(fù)荷率(工作電壓和額定電壓之比)最好在0.5左右,一般不要超過(guò)0.8,并且盡量使用無(wú)極性電容器。而且,在高頻應(yīng)用的情況下,電壓降額幅度應(yīng)進(jìn)一步加大,對(duì)電解電容器更應(yīng)如此。應(yīng)特別注意,電容器有低壓失效的問(wèn)題,對(duì)于普通鋁電解電容器和無(wú)極性電容的電壓降額不低于0.3,但鉭電容的電壓降額應(yīng)在0.3以下。電壓降額不能太多,否則電容器的失效率將上升。
5.1.3電阻器、電位器
電阻器、電位器的負(fù)荷率要小于0.5,此為電阻器設(shè)計(jì)的上限值;但是大量試驗(yàn)證明,當(dāng)電阻器降額數(shù)低于0.1時(shí),將得不到預(yù)期的效果,失效率有所增加,電阻降額系數(shù)以0.1為可靠性降額設(shè)計(jì)的下限值。
總之,對(duì)各種元器件的負(fù)荷率只要有可能,一般應(yīng)保持在0.3左右。最好不要超過(guò)0.5。這樣的負(fù)荷率,對(duì)電源系統(tǒng)造成不可靠的機(jī)率是非常小的。
5.2 電源的熱設(shè)計(jì)
開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部過(guò)高的溫升將會(huì)導(dǎo)致溫度敏感的半導(dǎo)體器件、電解電容等元器件的失效。當(dāng)溫度超過(guò)一定值時(shí),失效率呈指數(shù)規(guī)律增加。有統(tǒng)計(jì)資料表明,電子元器件溫度每升高2℃,可靠性下降10%;溫升50℃時(shí)的壽命只有溫升25℃時(shí)的1/6。除了電應(yīng)力之外,溫度是影響開(kāi)關(guān)電源可靠性的最重要的因素。高頻開(kāi)關(guān)電源有大功率發(fā)熱器件,溫度更是影響其可靠性的最重要的因素之一,完整的熱設(shè)計(jì)包括兩個(gè)方面:一 如何控制發(fā)熱源的發(fā)熱量;二 如何將熱源產(chǎn)生的熱量散出去。使開(kāi)關(guān)電源的溫升控制在允許的范圍之內(nèi),以保證開(kāi)關(guān)電源的可靠性。下面將從這兩個(gè)方面論述。
5.2.1 控制發(fā)熱量的設(shè)計(jì)
開(kāi)關(guān)電源中主要的發(fā)熱元器件為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管、功率二極管、高頻變壓器、濾波電感等。不同器件有不同的控制發(fā)熱量的方法。功率管是高頻開(kāi)關(guān)電源中發(fā)熱量較大的器件之一,減小它的發(fā)熱量,不僅可以提高功率管的可靠性,而且可以提高開(kāi)關(guān)電源的可靠性,提高平均無(wú)故障時(shí)間(MTBF)。開(kāi)關(guān)管的發(fā)熱量是由損耗引起的,開(kāi)關(guān)管的損耗由開(kāi)關(guān)過(guò)程損耗和通態(tài)損耗兩部分組成,減小通態(tài)損耗可以通過(guò)選用低通態(tài)電阻的開(kāi)關(guān)管來(lái)減小通態(tài)損耗;開(kāi)關(guān)過(guò)程損耗是由于柵電荷大小及開(kāi)關(guān)時(shí)間引起的,減小開(kāi)關(guān)過(guò)程損耗可以選擇開(kāi)關(guān)速度更快、恢復(fù)時(shí)間更短的器件來(lái)減少。但更為重要的是通過(guò)設(shè)計(jì)更優(yōu)的控制方式和緩沖技術(shù)來(lái)減小損耗,如采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù),可以大大減小這種損耗。減小功率二極管的發(fā)熱量,對(duì)交流整流及緩沖二極管,一般情況下不會(huì)有更好的控制技術(shù)來(lái)減小損耗,可以通過(guò)選擇高質(zhì)量的二極管來(lái)減小損耗。對(duì)于變壓器二次側(cè)的整流可以選擇效率更高的同步整流技術(shù)來(lái)減小損耗。對(duì)于高頻磁性材料引起的損耗,要盡量避免趨膚效應(yīng),對(duì)于趨膚效應(yīng)造成的影響,可采用多股細(xì)漆包線(xiàn)并繞的辦法來(lái)解決。
5.2.2 開(kāi)關(guān)電源的散熱設(shè)計(jì)
MOS管導(dǎo)通時(shí)有一定的壓降,也即器件有一定的損耗,它將引起芯片的溫升,但是器件的發(fā)熱情況與其耐熱能力和散熱條件有關(guān)。由此,器件功耗有一定的容限。其值按熱歐姆定律可表示為:
PD="Tj-Tc/RT"
式中,Tj 是額定結(jié)溫(Tj=150℃),Tc是殼溫,RT是結(jié)到管殼間的穩(wěn)態(tài)熱阻,Tj代表器件的耐熱能力,Tc和 RT代表器件的散熱條件,而PD就是器件的發(fā)熱情況。它必須在器件的耐熱能力和散熱條件之間取得平衡。
散熱有三種基本方式:熱傳導(dǎo)、熱輻射、熱對(duì)流。根據(jù)散熱的方式,可以選自然散熱:加裝散熱器;或選擇強(qiáng)制風(fēng)冷:加裝風(fēng)扇。加裝散熱器主要利用熱傳導(dǎo)和熱對(duì)流,即所有發(fā)熱元器件均先固定在散熱器上,熱量通過(guò)傳導(dǎo)方式傳遞給散熱器,散熱器上的熱量再通過(guò)能流換熱的方式由空氣
通過(guò)Ø=KSг,我們可以在計(jì)算出耗散功率以后,根據(jù)允許的溫升г來(lái)確定散熱表面積S,并由此而確定所要選擇的散熱器。這種計(jì)算對(duì)于提高開(kāi)關(guān)電源的可靠性、功率密度、性?xún)r(jià)比等都有重要意義。若采用強(qiáng)制風(fēng)冷,加裝風(fēng)扇,則對(duì)整流模塊來(lái)說(shuō),風(fēng)扇的MTBF是所有元器件中最低的,一直都是制約整流模塊提高M(jìn)TBF的瓶頸,所以采取各種措施提高散熱效率來(lái)延長(zhǎng)風(fēng)扇壽命具有重要的意義。
6 結(jié) 語(yǔ)
本文簡(jiǎn)要闡述了負(fù)荷率及溫度對(duì)開(kāi)關(guān)電源可靠性的影響,大量實(shí)驗(yàn)證明了開(kāi)關(guān)電源的負(fù)荷率設(shè)計(jì)是否合理對(duì)開(kāi)關(guān)電源的可靠性有重要影響,最后分析了開(kāi)關(guān)電源發(fā)熱和散熱兩方面的情況,優(yōu)先采用降低發(fā)熱的各種技術(shù),同時(shí)提高散熱效果,許多廠家都采用這種設(shè)計(jì)思想,取得了很好的效果。電源設(shè)備可靠性的高低,不僅與電氣設(shè)計(jì),而且同器件、結(jié)構(gòu)、裝配、工藝等方面有關(guān)。本文主要從元器件的負(fù)荷率及溫度對(duì)開(kāi)關(guān)電源可靠性的影響進(jìn)行了闡述,為從事開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的技術(shù)人員提供一些借鑒的設(shè)計(jì)方法。
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