英特爾出擊閃存市場(chǎng) 借StrataFlash戰(zhàn)AMD

    北京時(shí)間4月8日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾在PC處理器市場(chǎng)保持著對(duì)AMD的絕對(duì)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，但在NOR閃存領(lǐng)域英特爾卻被AMD壓過(guò)一頭。為了改變這一現(xiàn)狀，同時(shí)也延續(xù)自身在NOR閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)勢(shì)頭，英特爾將于近日推出新型StrataFlash嵌入式閃存。　　

　　英特爾發(fā)言人瑪莉-雷格蘭德(Mary Ragland)表示，StrataFlash嵌入式閃存將有多種不同的型號(hào)，容量由64MB直到1GB，足以滿(mǎn)足數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)和網(wǎng)絡(luò)路由器等多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求。她說(shuō)：“這是近年來(lái)StrataFlash產(chǎn)品系列的第一款新品，它的出現(xiàn)可以從很大程度上緩解廠商對(duì)于高性能大容量閃存的需求?！庇⑻貭枌⒂诒炯径韧瞥鋈萘繛?4MB到512MB的StrataFlash嵌入式閃存，1GB容量的產(chǎn)品要到下半年才能上市。

　　在關(guān)閉電源后閃存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)并不會(huì)消失，因此它也就成為了消費(fèi)電子產(chǎn)品中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的最佳介質(zhì)。目前的閃存產(chǎn)品主要有兩種類(lèi)型——NAND和NOR，在NAND閃存市場(chǎng)，三星電子一直獨(dú)秀，而NOR閃存市場(chǎng)則呈現(xiàn)出英特爾和AMD兩強(qiáng)爭(zhēng)霸的局面。市場(chǎng)研究公司iSuppli公布的最新數(shù)據(jù)顯示，AMD通過(guò)和富士通成立的合資企業(yè)，2004年在NOR閃存市場(chǎng)占據(jù)了25.9%的市場(chǎng)份額，而英特爾以微小的差距排在第二位，其市場(chǎng)份額為24.5%。

　　盡管2004年整體略遜，但第三季度和第四季度英特爾在市場(chǎng)份額上都超過(guò)了AMD。有分析人士將英特爾的成功歸結(jié)于產(chǎn)品價(jià)格便宜，英特爾副總裁達(dá)林-比勒貝克(Darin Billerbeck)并不完全贊同這種說(shuō)法。他說(shuō)：“我并不認(rèn)為我們依靠低價(jià)格取勝，我們也從來(lái)發(fā)動(dòng)過(guò)價(jià)格攻勢(shì)?！彼瑫r(shí)透露，由于去年第四季度高容量產(chǎn)品的銷(xiāo)量大幅度增長(zhǎng)，英特爾閃存的平均售價(jià)還略有提升。

　　2004年全球閃存市場(chǎng)的總產(chǎn)值達(dá)到了166億美元，比2003年的116.4億美元有大幅度的增長(zhǎng)。iSuppli預(yù)計(jì)，2005年全球閃存市場(chǎng)的總產(chǎn)值將增長(zhǎng)5%，達(dá)到175億美元。到2008年，全球?qū)⒂?0%的手機(jī)中采用NOR閃存。

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