微電子工藝專有名詞（1）

1 Active Area 主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)） 主動(dòng)晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)（ACTIVE AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來(lái)的小，以長(zhǎng)0.6UM之場(chǎng)區(qū)氧化而言，大概會(huì)有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說(shuō)ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定義的區(qū)域小0.5UM。
　　2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。2. 性質(zhì)為無(wú)色，具刺激性及薄荷臭味之液體。3. 在FAB內(nèi)之用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭。4. 對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚黏膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起皮膚炎，吸入過(guò)量之丙酮蒸汽會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜及咽喉黏膜，甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明等。5. 允許濃度1000PPM。
　　3 ADI 顯影后檢查 1.定義：After Developing Inspection 之縮寫2.目的：檢查黃光室制程；光阻覆蓋→對(duì)準(zhǔn)→曝光→顯影。發(fā)現(xiàn)缺點(diǎn)后，如覆蓋不良、顯影不良…等即予修改，以維護(hù)產(chǎn)品良率、品質(zhì)。3.方法：利用目檢、顯微鏡為之。
　　4 AEI 蝕刻后檢查 1. 定義：AEI即After Etching Inspection，在蝕刻制程光阻去除前及光阻去除后，分別對(duì)產(chǎn)品實(shí)施全檢或抽樣檢查。2.目的：2-1提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。2-2達(dá)到品質(zhì)的一致性和制程之重復(fù)性。2-3顯示制程能力之指針2-4阻止異常擴(kuò)大，節(jié)省成本3.通常AEI檢查出來(lái)之不良品，非必要時(shí)很少作修改，因?yàn)橹厝パ趸瘜踊蛑亻L(zhǎng)氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點(diǎn)密度增加，生產(chǎn)成本增高，以及良率降低之缺點(diǎn)。
　　5 AIR SHOWER 空氣洗塵室 進(jìn)入潔凈室之前，需穿無(wú)塵衣，因在外面更衣室之故，無(wú)塵衣上沾著塵埃，故進(jìn)潔凈室之前，需經(jīng)空氣噴洗機(jī)將塵埃吹掉。
　　6 ALIGNMENT 對(duì)準(zhǔn) 1. 定義：利用芯片上的對(duì)準(zhǔn)鍵，一般用十字鍵和光罩上的對(duì)準(zhǔn)鍵合對(duì)為之。2. 目的：在IC的制造過(guò)程中，必須經(jīng)過(guò)6~10次左右的對(duì)準(zhǔn)、曝光來(lái)定義電路圖案，對(duì)準(zhǔn)就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。3. 方法：A.人眼對(duì)準(zhǔn)B.用光、電組合代替人眼，即機(jī)械式對(duì)準(zhǔn)。
　　7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使鋁與硅基(Silicon Substrate)之接觸有Ohmic特性，即電壓與電流成線性關(guān)系。Alloy也可降低接觸的阻值。
　　8 AL/SI 鋁/硅 靶 此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬合金材料利用Ar游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把Al/Si的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，一般使用之組成為Al/Si (1%)，將此當(dāng)作組件與外界導(dǎo)線連接。
　　9 AL/SI/CU 鋁/硅 /銅 金屬濺鍍時(shí)所使用的原料名稱，通常是稱為TARGET，其成分為0.5﹪銅，1﹪硅及98.5﹪鋁，一般制程通常是使用99﹪鋁1﹪硅，后來(lái)為了金屬電荷遷移現(xiàn)象（ELEC TROMIGRATION）故滲加0.5﹪銅，以降低金屬電荷遷移。
　　10 ALUMINUN 鋁 此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬材料，利用Ar游離的離子，讓其撞擊此種材料做成的靶表面，把Al的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔希瑢⒋水?dāng)作組件與外界導(dǎo)線之連接。
　　11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是為了測(cè)量Junction的深度，所作的芯片前處理，這種采用光線干涉測(cè)量的方法就稱之Angle Lapping。公式為Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波長(zhǎng)的一半與干涉條紋數(shù)之乘積。但漸漸的隨著VLSI組件的縮小，準(zhǔn)確度及精密度都無(wú)法因應(yīng)。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是應(yīng)用Angle Lapping的方法作前處理，采用的方法是以表面植入濃度與阻值的對(duì)應(yīng)關(guān)系求出Junction的深度，精確度遠(yuǎn)超過(guò)入射光干涉法。
　　12 ANGSTRON 埃 是一個(gè)長(zhǎng)度單位，其大小為1公尺的百億分之一，約為人的頭發(fā)寬度之五十萬(wàn)分之一。此單位常用于IC制程上，表示其層（如SiO2，Poly，SiN….）厚度時(shí)用。
　　13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常壓化學(xué)氣相沉積 APCVD為Atmosphere(大氣)，Pressure(壓力)，Chemical(化學(xué))，Vapor(氣相)及Deposition(沉積)的縮寫，也就是說(shuō)，反應(yīng)氣體（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常壓下起化學(xué)反應(yīng)而生成一層固態(tài)的生成物（如BPSG）于芯片上。
　　14 AS75 砷 自然界元素之一；由33個(gè)質(zhì)子，42個(gè)中子即75個(gè)電子所組成。半導(dǎo)體工業(yè)用的砷離子（As＋）可由AsH3氣體分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-場(chǎng)區(qū)、空乏區(qū)及S/D植入。
　　15 ASHING，STRIPPING 電漿光阻去除 1. 電漿預(yù)處理，系利用電漿方式（Plasma），將芯片表面之光阻加以去除。2. 電漿光阻去除的原理，系利用氧氣在電漿中所產(chǎn)生只自由基（Radical）與光阻（高分子的有機(jī)物）發(fā)生作用，產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，再由幫浦抽走，達(dá)到光阻去除的目的。3. 電漿光組的產(chǎn)生速率通常較酸液光阻去除為慢，但是若產(chǎn)品經(jīng)過(guò)離子植入或電漿蝕刻后，表面之光阻或發(fā)生碳化或石墨化等化學(xué)作用，整個(gè)表面之光阻均已變質(zhì)，若以硫酸吃光阻，無(wú)法將表面已變質(zhì)之光阻加以去除，故均必須先以電漿光阻去除之方式來(lái)做。
　　16 ASSEMBLY 晶粒封裝 以樹酯或陶瓷材料，將晶粒包在其中，以達(dá)到保護(hù)晶粒，隔絕環(huán)境污染的目的，而此一連串的加工過(guò)程，即稱為晶粒封裝（Assembly）。封裝的材料不同，其封裝的作法亦不同，本公司幾乎都是以樹酯材料作晶粒的封裝，制程包括：芯片切割→晶粒目檢→晶粒上「架」（導(dǎo)線架，即Lead frame）→焊線→模壓封裝→穩(wěn)定烘烤（使樹酯物性穩(wěn)定）→切框、彎腳成型→腳沾錫→蓋印→完成。以樹酯為材料之IC，通常用于消費(fèi)性產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、計(jì)算器，而以陶瓷作封裝材料之IC，屬于高性賴度之組件，通常用于飛彈、火箭等較精密的產(chǎn)品上。
　　17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨機(jī)將芯片背面磨薄以便測(cè)試包裝，著重的是厚度均勻度及背面之干凈度。一般6吋芯片之厚度約20mil～30 mil左右，為了便于晶粒封裝打線，故需將芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右。
　　18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，軟烤，預(yù)烤 烘烤（Bake）：在集成電路芯片上的制造過(guò)程中，將芯片至于稍高溫（60℃～250℃）的烘箱內(nèi)或熱板上均可謂之烘烤，隨其目的的不同，可區(qū)分微軟烤（Soft bake）與預(yù)烤（Hard bake）。軟烤（Soft bake）：其使用時(shí)機(jī)是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片之附著力。預(yù)烤（Hard bake）：又稱為蝕刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻（wet etching）更為重要，預(yù)烤不全長(zhǎng)會(huì)造成過(guò)蝕刻。
　　19 BF2 二氟化硼