三大DRAM廠商瘋狂擴產(chǎn) 致內(nèi)存價崩潰

　　據(jù)業(yè)界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內(nèi)存價格近期出現(xiàn)大幅下跌。

　　據(jù)悉，這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預測，07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響，全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長20-30%。

　　美光科技由于預測07年受手機市場帶動，CIS（CMOS圖像傳感器）需求會有大規(guī)模上升，因此調(diào)整很大部分產(chǎn)能用于生產(chǎn)CIS，但實際上市場需求并未達到預期。

　　爾必達之前預測2007年消費電子市場將會出現(xiàn)迅猛增長，但由于幾個月來消費電子類產(chǎn)品一直并沒有大起色，因此也造成了爾必達為消費電子類產(chǎn)品制造的DRAM內(nèi)存庫存積壓嚴重，故爾必達重新調(diào)整了產(chǎn)能，轉(zhuǎn)而生產(chǎn)標準DRAM產(chǎn)品。

　　由于在NAND閃存制造工藝上比三星和東芝落后，因此海力士半導體決定增大DRAM內(nèi)存產(chǎn)量。在數(shù)月后NAND閃存制造工藝趕上競爭對手后，公司將重新調(diào)整產(chǎn)能生產(chǎn)NAND閃存。