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美國美光科技:NAND閃存的未來在SSD

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作者: 時間:2007-05-23 來源:半導(dǎo)體國際 收藏
作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference(WinHEC)的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會(Technical Session)。該公司 Memory Products Group 的首席應(yīng)用工程師(Director of Application Engineering)Jim Cooke登臺做了演講。 

Jim Cooke首先就市場走向提到了大容量存儲器領(lǐng)域閃存的優(yōu)勢,他介紹說,閃存在“性能、可靠性、耐久性、耗電、尺寸、重量、耐沖擊性、溫度方面均超過硬盤”,不如硬盤的方面是容量和單位容量所對應(yīng)的成本。目前閃存的使用方法有緩存(Cache)中使用了閃存的硬盤“混合(Hybrid)型”和全部由閃存構(gòu)成的大容量光盤(Disk)“(固態(tài)存儲,Solid State Disk)”兩種,預(yù)計混合型將首先開始普及,但2010年時將趕上并超過混合型 
。Jim Cooke表示,根據(jù)美國IDC公司的預(yù)測,單位容量所對應(yīng)的成本“2010年時將壓縮至0.85~1.8英寸硬盤的1倍、2.5英寸硬盤的5.6倍。目前分別為5.3倍、8.8倍,到那時,二者的差將比現(xiàn)在小得多”。 

技術(shù)方面,Jim Cooke表示“2片型將是今后的趨勢”。將分為偶數(shù)片與奇數(shù)片兩個塊、使它可同時讀取兩個片以提高訪問速度。目前每單元2值的SLC(單層單元)技術(shù)、每單元4值的MLC(多層單元)技術(shù)均被采用使用。Jim Cooke表示,對MLC而言,從耐久性的觀點出發(fā)依次改變寫入單元的“損耗平衡(Wear Leveling)”是必需的,而一開始就從芯片方面支持它的Managed 是很重要的。具體而言,“eMMC(嵌入式多媒體卡,embedded Multimedia Card)”等實際上確定了接口等。 

Jim Cooke最后總結(jié)表示,型閃存的主要市場為手機等移動設(shè)備以及SSD。事實上,在WinHEC的展出會場上,除美光公司外,美國SanDisk Corp.與韓國三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)等也展出了SSD,讓人不禁感受到閃存廠商的雄心。 

另一方面,美國微軟公司(Microsoft Corp.)也舉辦了題為“Solid-State Drives:Next-Generation Storage”的技術(shù)研討會。微軟強調(diào),Windows一直在關(guān)注存儲器是否為SSD,與存儲器是硬盤的情況下,刪除數(shù)據(jù)時將出現(xiàn)一個刪除標(biāo)記相對,當(dāng)存儲器為SSD時,為了防止擦寫,將進行真正刪掉數(shù)據(jù)等處理、執(zhí)行與SSD相應(yīng)的動作。另外作為將來硬盤與閃存的組合,提出了“復(fù)合SSD(Composite SSD)”的構(gòu)想。不是把閃存用作緩存,而是在擦寫頻繁的地方用硬盤、保存時間長的數(shù)據(jù)存儲在閃存里。比如,為了將閃存用于服務(wù)器等大規(guī)模存儲器,提出了復(fù)合SSD是有效的這一見解。


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