產(chǎn)業(yè)多變：三星DRAM業(yè)景氣報告前后不同調(diào)

    日前，全球最大閃存廠南韓三星電子（Samsung）在香港舉行全球巡回說明會中表示，2005年、2006年全球DRAM市場規(guī)模均將因供給過剩而出現(xiàn)衰退，且2005年到第四季（Q4）才會出現(xiàn)供需平衡，而一直到2007年，DRAM產(chǎn)業(yè)才會有機會再見到成長；不過一份來自三星內(nèi)部的最新報告卻顯示，2005年下半整體DRAM產(chǎn)業(yè)將不至于太差，到了Q3便會供不應(yīng)求，而之所以會看法前后不一，主要還是在于DRAM產(chǎn)業(yè)詭譎多變，隨時須調(diào)整產(chǎn)能及計畫才足以應(yīng)付。

　  就在法人看好DRAM產(chǎn)業(yè)之際，三星卻表示2005年、2006年，全球DRAM市場規(guī)模都將因供給過剩而呈現(xiàn)衰退狀態(tài)，一直要到2007年，DRAM產(chǎn)業(yè)才會因微軟（Microsoft）新作業(yè)系統(tǒng)長角（Longhorn）上市，以及64位元和雙核心處理器普及、可攜性及消費性電子市場起飛才有機會成長，不過屆時還無法恢復(fù)像2004年的市場高峰規(guī)模。

　  當這些警告言猶在耳時，三星最新內(nèi)部評估卻出現(xiàn)了不同論調(diào)，指出2005年下半整體DRAM產(chǎn)業(yè)會因DRAM廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)進DDRII時，生產(chǎn)良率降低而導(dǎo)致DRAM產(chǎn)出量滑落，再加上部分DRAM廠認為，與其做DRAM倒不如轉(zhuǎn)做NAND型Flash或CMOS影像感測器（CMOS Image Sensor）晶片組還比較有賺頭，因此開始將產(chǎn)能大量轉(zhuǎn)換為這些商品，而這部份便是當初三星電子始料未及的，如今在得知競爭對手將有所改計畫時，自然要加緊修正其量產(chǎn)計畫以因應(yīng)市場轉(zhuǎn)變。

　  仔細探究三星報告前后不一，最主要還是在于當前DRAM廠旗下可做產(chǎn)品種類愈來愈多，因此在進行評估時較過去更加困難，只要幾家競爭對手將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)做其余產(chǎn)品時，勢必對整體DRAM產(chǎn)業(yè)供需又會出現(xiàn)相當大程度的改變，對任何一家DRAM廠來說，想要像過去那樣仔細計算出DRAM市場供需狀態(tài)，將會是一件難上加難的苦差事。

　  不過，也正因DRAM廠不再像過去那樣僅能死守單一標準型DRAM產(chǎn)品，因此在應(yīng)變能力上自然會較過去增加許多，只要看準哪項產(chǎn)業(yè)有發(fā)展，則可以最快速度將旗下產(chǎn)能做出最適當調(diào)配，如此一來，便不會再像過往DRAM廠的生與死，完全僅掌握在DRAM報價的漲與跌。