IBM、英飛凌與旺宏聯(lián)手推出PCM技術(shù)研究計劃

  　2005年5月23日，北京訊——IBM、英飛凌和旺宏電子今日宣布，三方將聯(lián)手推出一個研究計劃，以便進(jìn)一步挖掘一種全新的計算機(jī)存儲器技術(shù)——相變內(nèi)存（PCM）的巨大潛力。

　　盡管仍處于開發(fā)早期階段，但這種技術(shù)在高速、高密度數(shù)據(jù)存儲方面已經(jīng)顯示出巨大的潛力，并實(shí)現(xiàn)了斷電時的數(shù)據(jù)保護(hù)。此項(xiàng)技術(shù)的這些優(yōu)良特性將為從高性能服務(wù)器到消費(fèi)電子產(chǎn)品的多種應(yīng)用帶來巨大的利益。

　　這種創(chuàng)新技術(shù)完美融合了IBM在基礎(chǔ)材料和物理研究領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力，英飛凌在內(nèi)存技術(shù)研發(fā)及生產(chǎn)方面的超凡能力，以及旺宏電子在非易失性內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)。

　　“此次合作再次增強(qiáng)了IBM探索內(nèi)存應(yīng)用新技術(shù)的決心，”IBM研究院科技副總裁T.C. Chen說，“這個計劃的目的在于開發(fā)用于高性能非易失性內(nèi)存的新材料，并在內(nèi)存芯片中對這些材料進(jìn)行評估?！?/P>

　　“這項(xiàng)計劃再次顯示了英飛凌在新興內(nèi)存技術(shù)的評估和開發(fā)領(lǐng)域的強(qiáng)大動力，”英飛凌內(nèi)存產(chǎn)品部技術(shù)與開發(fā)高級副總裁Wilhelm Beinvogl表示，“通過這次凝聚著各個領(lǐng)域?qū)＜抑腔鄣暮献鳎w凌進(jìn)一步延續(xù)了自己在合作研發(fā)方面的悠久歷史。”

　　“旺宏電子在非易失性內(nèi)存的獨(dú)立和聯(lián)合開發(fā)方面有著悠久的歷史。此次PCM研發(fā)聯(lián)盟使我們?yōu)榭蛻糇非笞罴鸭夹g(shù)和最大價值的理念得到了進(jìn)一步延續(xù)。我們堅(jiān)信此次PCM聯(lián)合研發(fā)不僅能夠使非易失性內(nèi)存超越現(xiàn)有的浮柵和Nbit（2位/單元）技術(shù)，同時還將帶來嶄新的市場機(jī)會，”旺宏電子總裁兼首席執(zhí)行官吳敏求說道。

　　研究工作將由分別來自三家公司的約20～25名員工在IBM華生研究中心（美國紐約州約克鎮(zhèn)）和阿莫頓研究中心（美國加州圣何塞）進(jìn)行。