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飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

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作者: 時(shí)間:2007-08-29 來源:EEPW 收藏
半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道系列,提供高達(dá)8kV的ESD(HBM)電壓保護(hù),較市場現(xiàn)有器件高出90%。系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用(如筆記本電腦和手機(jī))的最新架構(gòu)。利用半導(dǎo)體的PowerTrench工藝,這些低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導(dǎo)損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅(jiān)固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力,確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下,系統(tǒng)依然安全。

系列為設(shè)計(jì)工程師提供了多種選項(xiàng),讓他們可根據(jù)其電池應(yīng)用的功率管理和負(fù)載開關(guān)要求進(jìn)行選擇。FDS8812NZ(RDS(ON)=4mOhm)針對高端筆記本電腦應(yīng)用,協(xié)助設(shè)計(jì)工程師解決將高端功能整合到筆記本電腦中所面臨的散熱難題。FDS8813NZ(RDS(ON)=4.5mOhm)非常適合于15”以上顯示器的一體化筆記本電腦,而FDS8817NZ(RDS(ON)=7mOhm)則是通用于中低端產(chǎn)品和子筆記本電腦的理想產(chǎn)品。

    系列的主要優(yōu)點(diǎn)包括:

    *低導(dǎo)通阻抗RDS(ON)解決方案,能提高工作效率,從而延長電池使用壽命。

    *集成式ESD保護(hù)二極管(HBM)提供8kVESD保護(hù)功能。

    *堅(jiān)固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力,可耐受電壓尖峰的沖擊,避免輸出端出現(xiàn)突變電壓。

FDS881XNZ系列N溝道系列采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝,是半導(dǎo)體廣泛的電池用MOSFET產(chǎn)品系列的又一重要成員。要了解飛兆半導(dǎo)體N溝道和P溝道MOSFET系列的更多信息,請?jiān)L問網(wǎng)頁:www.fairchildsemi.com/batterymosfets。

FDS881x系列采用無鉛(Pb-free)引腳,潮濕敏感度符合IPC/JEDEC標(biāo)準(zhǔn)J-STD-020對無鉛回流焊的要求,所有飛兆半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)均符合歐盟的有害物質(zhì)限用指令(RoHS)。

飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

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