R&S發(fā)布用于復(fù)雜電子電路測(cè)試的嶄新測(cè)試模塊 TS-PHDT

借助羅德與施瓦茨公司基于PXI的生產(chǎn)測(cè)試平臺(tái)R&S CompactTSVP的新選件，即使在需要進(jìn)行大量數(shù)據(jù)運(yùn)算的領(lǐng)域，快速數(shù)字功能性測(cè)試也可以實(shí)現(xiàn)。全新的高速數(shù)字測(cè)試模塊R&S TS-PHDT支持高達(dá)40MHz的數(shù)據(jù)速率以及1.5GB的存儲(chǔ)容量。測(cè)試電子組件所需要的激勵(lì)信號(hào)、期望值以及實(shí)測(cè)值都可以存儲(chǔ)在本地。由于模塊內(nèi)部能實(shí)時(shí)對(duì)比實(shí)測(cè)值與期望值，記錄的測(cè)試數(shù)據(jù)不再需要傳送到系統(tǒng)控制器，因此節(jié)約了大量的測(cè)試時(shí)間。

R&S TS PHDT，這個(gè)小巧的測(cè)試模塊是由羅德與施瓦茨公司和Atmel（半導(dǎo)體生產(chǎn)商的領(lǐng)導(dǎo)者之一）的射頻與汽車業(yè)務(wù)部緊密合作共同開發(fā)的；是專為電子組件日趨復(fù)雜的數(shù)字電路的功能測(cè)試而設(shè)計(jì)的。另外，測(cè)試與測(cè)量儀器也必須滿足當(dāng)前技術(shù)對(duì)記憶深度、實(shí)時(shí)性以及等級(jí)編程的需求。而R&S TS PHDT則是市場(chǎng)上第一款基于PXI的滿足此類應(yīng)用的解決方案。 

在功能測(cè)試的初始化時(shí)，首先，針對(duì)該被測(cè)件（DUT）的所有激勵(lì)信號(hào)的參數(shù)以及期望值都被一次性的傳送到測(cè)試模塊內(nèi)部1.5GB的存儲(chǔ)介質(zhì)上（3