現(xiàn)代半導(dǎo)體獲Ovonyx授權(quán) 加入PRAM研發(fā)陣營

PRAM內(nèi)存的處理速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)快于閃存，理論上其寫入數(shù)據(jù)速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達(dá)到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來高密度非易失性存儲(chǔ)器以及功能更強(qiáng)大的電子設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。

三星電子、IBM、奇夢達(dá)、意法半導(dǎo)體以及英特爾公司，都在積極進(jìn)行PRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)。

全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星公司稱，PRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)流程也比NOR flash產(chǎn)品簡單許多，三星公司于去年開發(fā)出了512MB的PRAM產(chǎn)品，預(yù)計(jì)最早可在2008年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

此外，IBM與多家內(nèi)存廠商合作，共同開發(fā)出一種新的PRAM產(chǎn)品，其運(yùn)算速度達(dá)到了普通閃存的500倍，而且耗電量減半。這于便攜式產(chǎn)品存儲(chǔ)來說意義重大，因?yàn)橛脩舨槐卦贋樽约旱碾姵乩m(xù)航能力擔(dān)憂。

IBM表示，目前此技術(shù)還停留在原形開發(fā)階段，有望在2015年真正實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品量產(chǎn)、用于消費(fèi)類產(chǎn)品領(lǐng)域。