22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場(chǎng)看法存分歧

浸潤(rùn)式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過(guò)，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭(zhēng)議不斷。據(jù)了解，臺(tái)積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動(dòng)深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。 

    ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長(zhǎng)可達(dá)13.5納米，約是248波長(zhǎng)的KrF顯影設(shè)備的15分之1，盡管浸潤(rùn)式顯影采用雙重曝光技術(shù)可讓摩爾定律延伸至32納米，但仍是過(guò)度性產(chǎn)品，EUV才能最終克服22~15納米，目前市場(chǎng)已有數(shù)家客戶下單最快2009年出貨供客戶試產(chǎn)。目前ASML的EUV機(jī)種全球僅IBM的Albany實(shí)驗(yàn)室及歐洲微電子技術(shù)中心(IMEC)各擁1臺(tái)，而英特爾(Intel)也是曾公開(kāi)挺EUV的半導(dǎo)體業(yè)者。 

    ASML表示，浸潤(rùn)式顯影已經(jīng)遇到技術(shù)瓶頸，EUV則是最具潛力的接棒者。浸潤(rùn)式顯影若尋求進(jìn)一步技術(shù)突破，必須尋找其它的液體取代純水，而聚焦鏡頭材料也要重新研發(fā)，這2種途徑都已經(jīng)出現(xiàn)瓶頸。半導(dǎo)體業(yè)者指出，目前取代純水的液體包括有機(jī)、無(wú)機(jī)液體，不過(guò)，有機(jī)液體遇到193波長(zhǎng)光源將出現(xiàn)質(zhì)變等多重挑戰(zhàn)。 

    臺(tái)積電早期與ASML攜手研發(fā)浸潤(rùn)式顯影目前已進(jìn)入第5代機(jī)種，不過(guò)，臺(tái)積電目前對(duì)于進(jìn)入22納米以下，究竟采用EUV或直寫式多重電子束，臺(tái)積電的正式說(shuō)法是未定論。目前全球研發(fā)電子束直寫式的設(shè)備業(yè)者屈指可數(shù)，包括Mapper、科磊(KLA-Tencor)及日系業(yè)者JOEL，臺(tái)積電內(nèi)部與Mapper則緊密合作。臺(tái)積電認(rèn)為，若是EUV的光源能量不能有效提高，那么多重電子束則相對(duì)具成本競(jìng)爭(zhēng)力，不過(guò)多重電子束本身的生產(chǎn)力也須再進(jìn)一步提升。