RAMTRON推出2兆位 (Mb) 并行存儲器產品
非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation推出2兆位 (Mb) 并行存儲器產品,進一步擴展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44腳TSOP-II封裝的3V、2Mb并行非易失性RAM,具有訪問速度快、NoDelay 無寫等待、無限次讀/寫和低功耗等特點。FM21L16與異步靜態(tài)RAM (SRAM) 管腳兼容,其目標應用是以SRAM為基礎的工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲與計算機應用等。
Ramtron 全球市場策劃部經理Duncan Bennett稱:“這是Ramtron與德州儀器 (TI) 合作推出的第二款高密度性能超群的F-RAM器件,是F-RAM存儲器系列的新一代產品。FM21L16提供了能替代MRAM、電池支持SRAM (BBSRAM) 及NVSRAM且別具成本優(yōu)勢的解決方案。除了低成本及小尺寸封裝之優(yōu)勢外,F(xiàn)-RAM較之于MRAM消耗更少的工作功耗與待機功耗,并且毋需像BBSRAM與NVSRAM那樣,需要使用后備電池或板載電容器來備份數據。”
FM21L16特點
FM21L16是128K x 16 非易失性存儲器,采用工業(yè)標準并行接口,能以總線速度進行讀寫操作,使用壽命超過100萬億次寫入和超過10年的數據保存能力。該器件的存取時間為60ns,周期為110ns,內置先進的寫保護配置以避免意外的寫操作及數據損壞。
2Mb F-RAM是標準異步SRAM的直接替代產品,而毋需電池進行數據備份,從而顯著改進系統(tǒng)結構與可靠性。與電池支持的SRAM不同,F(xiàn)M21L16是真正的表面貼裝解決方案,不需要提供附加電池的重寫入操作,且防止潮濕、沖擊和振動的危害。
FM21L16具備能與當前高性能微處理器相連的工業(yè)標準并行接口,兼具高速頁面模式,能夠實現(xiàn)每秒80兆字節(jié)的峰值帶寬,是市場上速度最快的非易失性存儲器方案之一。該器件較標準SRAM具有更低的工作電流,讀/寫操作時為18mA,在超低電流睡眠模式下僅為5uA。FM21L16在整個工業(yè)級溫度范圍內 (-40℃至 +85℃) 于2.7至3.6V電壓下工作。
供貨
采用符合RoHS要求44腳TSOP-II封裝的FM21L16現(xiàn)已提供樣品。
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