RAMTRON推出2兆位 (Mb) 并行存儲器產(chǎn)品

    非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation推出2兆位 (Mb) 并行存儲器產(chǎn)品，進一步擴展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44腳TSOP-II封裝的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有訪問速度快、NoDelay 無寫等待、無限次讀/寫和低功耗等特點。FM21L16與異步靜態(tài)RAM (SRAM) 管腳兼容，其目標應(yīng)用是以SRAM為基礎(chǔ)的工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲與計算機應(yīng)用等。
   
    Ramtron 全球市場策劃部經(jīng)理Duncan Bennett稱：“這是Ramtron與德州儀器 (TI) 合作推出的第二款高密度性能超群的F-RAM器件，是F-RAM存儲器系列的新一代產(chǎn)品。FM21L16提供了能替代MRAM、電池支持SRAM (BBSRAM) 及NVSRAM且別具成本優(yōu)勢的解決方案。除了低成本及小尺寸封裝之優(yōu)勢外，F(xiàn)-RAM較之于MRAM消耗更少的工作功耗與待機功耗，并且毋需像BBSRAM與NVSRAM那樣，需要使用后備電池或板載電容器來備份數(shù)據(jù)。”
   
    FM21L16特點
   
    FM21L16是128K x 16 非易失性存儲器，采用工業(yè)標準并行接口，能以總線速度進行讀寫操作，使用壽命超過100萬億次寫入和超過10年的數(shù)據(jù)保存能力。該器件的存取時間為60ns，周期為110ns，內(nèi)置先進的寫保護配置以避免意外的寫操作及數(shù)據(jù)損壞。
   
    2Mb F-RAM是標準異步SRAM的直接替代產(chǎn)品，而毋需電池進行數(shù)據(jù)備份，從而顯著改進系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與可靠性。與電池支持的SRAM不同，F(xiàn)M21L16是真正的表面貼裝解決方案，不需要提供附加電池的重寫入操作，且防止潮濕、沖擊和振動的危害。
   
    FM21L16具備能與當(dāng)前高性能微處理器相連的工業(yè)標準并行接口，兼具高速頁面模式，能夠?qū)崿F(xiàn)每秒80兆字節(jié)的峰值帶寬，是市場上速度最快的非易失性存儲器方案之一。該器件較標準SRAM具有更低的工作電流，讀/寫操作時為18mA，在超低電流睡眠模式下僅為5uA。FM21L16在整個工業(yè)級溫度范圍內(nèi)      (-40℃至 +85℃) 于2.7至3.6V電壓下工作。
   
    供貨
   
    采用符合RoHS要求44腳TSOP-II封裝的FM21L16現(xiàn)已提供樣品。