以創(chuàng)新的IGBT技術、合理的器件選型和有效的系統(tǒng)手段優(yōu)化變頻器設計

　　全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達變頻驅(qū)動在工業(yè)應用領域不斷增長，甚至還擴展到民用產(chǎn)品和汽車領域。因此在過去幾年，市場對變頻器的需求量和相應的產(chǎn)量一直在持續(xù)增長。隨著產(chǎn)量的不斷擴大和技術趨向成熟，變頻器市場競爭也日益激烈，對產(chǎn)品性價比的要求不斷提高。
 
　　標準的三相交流驅(qū)動變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來實現(xiàn)主電路中的6個開關，現(xiàn)在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外，一般工業(yè)變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶提供了一個采用絕緣封裝且經(jīng)過檢驗的功率開關組件，從而減輕了設計工作量，改進系統(tǒng)性能，并提高了變頻器的功率等級。

　　但即便使用IGBT模塊，設計上的挑戰(zhàn)依然存在。由于IGBT模塊的惡劣工作條件(在高壓和高溫下對大電流進行開關控制)和半導體器件固有弱點，設計工程師必須在確保IGBT模塊能夠安全工作的同時，發(fā)揮其最大性能以實現(xiàn)低成本設計。

　　本文將首先陳述變頻器設計工程師所面臨的主要挑戰(zhàn)，然后介紹來自英飛凌科技的創(chuàng)新IGBT芯片和封裝技術及支持工具，并簡要陳述這些解決方案的優(yōu)點。

變頻器設計面臨的挑戰(zhàn)

　　IGBT能夠安全運行是應用的首要要求。安全運行有兩個基本的條件，超越這兩個條件運行可引起器件的永久性損壞，這兩個條件分別是：

　　1) Vce ≤ Vces，其中Vce是集電極-發(fā)射極瞬態(tài)電壓，Vces是IGBT芯片的阻斷電壓(數(shù)據(jù)表上規(guī)定為600V/1200V/1700V/3.3kV/6.5kV)

　　2) Tj ≤ Tvj,op,max，其中Tj是IGBT芯片的瞬時結溫，Tvj,op,max(數(shù)據(jù)表上規(guī)定為125℃或150℃)是進行開關工作時所允許的最大結溫

　　要在應用中遵循這兩個條件，必須先理解Vce和Tj是如何建立的。

　　首先，在變頻器電路結構中，IGBT半橋由直流側供電，直流側電壓Vdc幾乎恒定。受電路的電磁場和材料的影響，系統(tǒng)中存在分布電感(見圖 1)，當IGBT以di/dt的速率將電流關斷時，Vce等于Vdc和一個感應電壓di/dt