富士通和愛(ài)普生宣布開(kāi)發(fā)非易失存儲(chǔ)器技術(shù)
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根據(jù)協(xié)議,雙方計(jì)劃研制一種高集成度的下一代FRAM,其組件面積將只有目前市場(chǎng)上銷售的常規(guī)FRAM的1/6, 研發(fā)計(jì)劃預(yù)計(jì)將于2006年上半年完成。同時(shí),富士通和愛(ài)普生還計(jì)劃開(kāi)發(fā)一種存儲(chǔ)器核心處理技術(shù),其特點(diǎn)是對(duì)于可執(zhí)行的讀寫周期的限制達(dá)到了最小。
近年來(lái),便攜式信息設(shè)備和智能家用電器都變得越來(lái)越先進(jìn),導(dǎo)致FRAM非易失存儲(chǔ)器的需求量迅速攀升,因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器能夠滿足一系列非常廣泛的市場(chǎng)需求,例如,與閃存和電可擦除只讀存儲(chǔ)器(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory, EEPROM)4 相比,這種存儲(chǔ)器具有低能耗、快速讀寫的特點(diǎn)。 除了只讀存儲(chǔ)器(ROM)所具有的功能外,F(xiàn)RAM還具有非易失隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)的功能,因此能夠成為目前市場(chǎng)上的最佳存儲(chǔ)設(shè)備之一,并成為系統(tǒng)大規(guī)模集成電路(LSIs)的理想存儲(chǔ)器解決方案。
富士通和愛(ài)普生計(jì)劃通過(guò)聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代FRAM技術(shù),將彼此的重要技術(shù)(如FRAM材料和微型化制程)結(jié)合起來(lái),以此來(lái)達(dá)到縮短開(kāi)發(fā)周期的目的。
評(píng)論