電力電子器件的緩沖電路

1、 緩沖電路的作用與基本類型

　　電力電子器件的緩沖電路(snubber circuit)又稱吸收電路，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護，而且在全控型器件（如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等）的應用技術中起著重要的作用。

　　晶閘管開通時，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關斷時，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結電容電流而誤觸發(fā)，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個RC網(wǎng)絡，構成關斷緩沖電路，或稱并聯(lián)緩沖電路。

　　GTR、GTO等全控型自關斷器件在實際使用中都必須配用開通和關斷緩沖電路；但其作用與晶閘管的緩沖電路有所不同，電路結構也有差別。主要原因是全控型器件的工作頻率要比晶閘管高得多，因此開通與關斷損耗是影響這種開關器件正常運行的重要因素之一。例如，GTR在動態(tài)開關過程中易產(chǎn)生二次擊穿的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象又與開關損耗直接相關。所以減少全控器件的開關損耗至關重要，緩沖電路的主要作用正是如此，也就是說GTR和功率MOSFET用緩沖電路抑制di/dt和du/dt，主要是為了改變器件的開關軌跡，使開關損耗減少，進而使器件可靠地運行。

　　圖1(a)是沒有緩沖電路時GTR開關過程中集電極電壓u_CE和集電極電流i_C的波形，由圖可見開通和關斷過程中都存在u_CE和i_C同時達到最大值的時刻；因此出現(xiàn)了瞬時的最大開關損耗功率P_on和P_off，從而危及器件的安全。所以，應采用開通和關斷緩沖電路，抑制開通時的di/dt，降低關斷時的du/dt，使u_CE和i_C的最大值不會同時出現(xiàn)。

　　圖1(b)是GTR開關過程中的u_CE和i_C的軌跡，其中軌跡1和2是沒有緩沖電路的情況，開通時u_CE由U_CC（電源電壓）經(jīng)矩形軌跡降到0，相應地i_C由0升到I_CM；關斷時i_C由I_CM經(jīng)矩形軌跡降到0，相應地u_CE由0升高到U_CC。不但集電極電壓和電流的最大值同時出現(xiàn)，而且電壓和電流都有超調現(xiàn)象，這種情況下瞬時功耗很大，極易產(chǎn)生局部熱點，導致GTR的二次擊穿而損壞。加上緩沖電路后，u_CE和i_C的開通與關斷軌跡分別如3和4所示，由圖可見，其軌跡不再是矩形，避免了兩者同時出現(xiàn)最大值的情況，大大降低了開關損耗，并且最大程度地利用于GTR的電氣性能。

　　GTR的開通緩沖電路用來限制導通時的di/dt，以免發(fā)生元件的過熱點，而且它在GTR逆變器中還起著抑制貫穿短路電流的峰值及其di/dt的作用。GTO的關斷緩沖電路不僅為限制GTO關斷時再加電壓的du/dt及過電壓，而且對降低GTO的關斷損耗，使GTO發(fā)揮應有的關斷能力，充分發(fā)揮它的負荷能力起重要作用。{{分頁}}

　　IGBT的緩沖電路功能更側重于開關過程中過電壓的吸收與抑制，這是由于IGBT的工作頻率可以高達30~50kHz；因此很小的電路電感就可能引起頗大的Ldi_C/dt，從而產(chǎn)生過電壓，危及IGBT的安全。圖2(a)和圖2(b)是PWM逆變器中IGBT在關斷和開通中的u_CE和i_C波形。由圖2(a)可見，在i_C下降過程中IGBT上出現(xiàn)了過電壓，其值為電源電壓U_CC和Ldi_C/dt兩者的疊加。

　　圖2(b)為開通時的u_CE和i_C波形，圖中增長極快的i_C出現(xiàn)了過電流尖峰i_CP，當i_CP回落到穩(wěn)定值時，過大的電流下降率同樣會引起元件上的過電壓而須加以吸收（如圖所示）。逆變器中IGBT開通時出現(xiàn)尖峰電流，其原因是由于在剛導通的IGBT負載電流上疊加了橋臂中互補管上反并聯(lián)的續(xù)流二極管的反向恢復電流，所以在此二極管恢復阻斷前，剛導通的IGBT上形成逆變橋臂的瞬時貫穿短路，使i_C出現(xiàn)尖峰，為此需要串入抑流電感，即串聯(lián)緩沖電路，或放大IGBT的容量。

　　綜上所述，緩沖電路對于工作頻率高的自關斷器件，通過限壓、限流、抑制di/dt和du/dt，把開關損耗從器件內(nèi)部轉移到緩沖電路中去，然后再消耗到緩沖電路的電阻上，或者由緩沖電路設法再反饋到電源中去。此緩沖電路可分為兩在類，前一種是能耗型緩沖電路，后一種是反饋型緩沖電路。能耗型緩沖電路簡單，在電力電子器件的容量不太大，工作頻率也不太高的場合下，這種電路應用很廣泛。

2、  緩沖電路的基本結構

緩沖電路的功能包括抑制和吸收二個方面。圖3(a)是這種電路的基本結構，串聯(lián)的L_S用于抑制di/dt的過量，并聯(lián)的C_S通過快速二極管D_S充電，吸收器件上出現(xiàn)的過電壓能量，由于電容電壓不會躍變，限制了重加du/dt。當器件開通時C_S上的能量經(jīng)R_S泄放。對于工作頻率較高、容量較小的裝置，為了減少損耗，可將圖3(a)的RLCD電路簡化為圖3(b)的形式。這種由RCD網(wǎng)絡構成的緩沖電路普遍用于GTR、GTO、電力MOSFET及IGBT等電力電子器件的保護。

　　圖4所示的幾種緩沖電路是上述基本RCD緩沖電路的簡化或演變。如圖4所示，既可用于逆變器中IGBT模塊的保護，也適用于其他電子器件的緩沖保護；但其性能有所不同。圖4(a)是最簡單的單電容電路，適用于小容量的IGBT模塊（10~50A）或其他容量較小的器件；但由于電路中有無阻尼元件，容易產(chǎn)生振蕩，為此C_S中可串入R_S加以抑制，這種RC緩沖電路在晶閘管的保護中已用得很普遍。圖4(b)是把RCD緩沖電路用于由兩只IGBT組成橋臂的模塊上，此電路比較簡單；但吸收功能較單獨使用RCD時略差，多用于小容量元件的逆變器橋臂上。有時還可以把圖4(a)、圖4(b)兩種緩沖電路并聯(lián)使用，以增強緩沖吸收的功能。圖4(c)是R_S交叉連結的緩沖電路，當器件開斷時，C_S經(jīng)D_S充電，抑制du/dt；當器件開通前，C_S經(jīng)電源和R_S釋入電荷，同時有部分能量得到反饋，這種電路對大容量的器件，例如，400A以上的IGBT模塊比較適合。{{分頁}}

　　圖4(d)是大功率GTO逆變橋臂上的非對稱RLCD緩沖電路。圖4(d)中電感受L_S經(jīng)過D_S和R_S釋放磁場能量。GTO開斷時，C_S經(jīng)D_S吸收能量并經(jīng)R_S把部分能量反饋到電網(wǎng)上去；因此損耗較小，適用于大容量的GTO逆變器。圖4(c)和圖4(d)的功能類似，其C_S具有吸收電能和電壓箝位雙重功能，且效率較高。

　　圖4(e)是三角形吸收電路，這里吸收電容C₁~C₃為三角形聯(lián)結，在T₁關斷時，并聯(lián)在T₁兩端的總吸收電容量C₃和C₂串聯(lián)再和C₁并聯(lián)后組成，即總電容量是        。這種電路的特點是：①3只電容器之間幾乎不需要連結線，所以寄生電感極?。虎谠陔娏﹄娮悠骷ぷ鬟^程中每只電容器都參予工作，電容器利用率高；③電路的損耗較小，日立公司曾在一定的條件下進行試驗比較，這種電路的損耗約為RCD電路損耗的40%，因此我國研制中的CTO交流傳動電力機車逆變器也采用這種電路，其GTO的規(guī)格為3000A、4500V，吸收電容量為C₁=C₂=C₃=18μF。

　　緩沖電路引線中的雜散電感L’_S必須限制到最小，以防止電力電子器件在關斷時出現(xiàn)電壓尖峰，并消除雜散電感與緩沖電路中C_S構成諧振回路所產(chǎn)生的振蕩。圖5是以電感性負載中的GTO的緩沖電路為例，說明雜散電感L’_S對關斷過程中陽極電壓產(chǎn)生尖峰電壓U_P的影響。在陽極電流迅速下降時，隨著C_S快速充電，L’_S上所產(chǎn)生的L’_Sdi_S/dt電勢加在GTO上；故L’_S越大，U_P越大，管耗P_off也越嚴重。此外，在感性負載下陽極電流下降率di_A/dt與緩沖電路中的電流上升率di_S/dt相等，故負載電流越大，下降越快，L’_Sdi_S/d也越大，同樣會產(chǎn)生嚴重后果。所以緩沖電路中的R、C、D等元件也力求采用無感元件。