現(xiàn)代通信系統(tǒng)電源設計

　　通信基礎(chǔ)設備使用的各種電源系統(tǒng)元件有很多種，從前端的功率因子校正 (pfc)交流/直流電源到后端的高效直流/直流模塊(塊)和負載點 (pol)轉(zhuǎn)換器都有。現(xiàn)代通信直流/直流電源的應用，從需要很高效率的中間總線式轉(zhuǎn)換器 (ibc)，到那些日趨細小輕巧的語音ip(voip) 數(shù)字電話，以及要求多路緊密調(diào)節(jié)電壓(7 路至 13 路輸出)的數(shù)字用戶線 (xdsl) 電源等，范圍很廣泛。

　　中低功率應用(15w-100w)通常使用低成本的單端正向或回掃拓撲結(jié)構(gòu)來設計這些電源模塊，而推挽式、半橋和全橋拓撲結(jié)構(gòu)在功率更高的應用(100w-1000w+) 中很流行。中間總線架構(gòu) (iba) 是一種新型分布式總線標準，它利用一種低成本的非穩(wěn)壓(開環(huán))中間總線式轉(zhuǎn)換器 (ibc) 將 –48v 通信總線轉(zhuǎn)換到+12v 中間總線，從而通過使用低成本的負載點(pol)模塊簡化板上電源設計。

　　美國國家半導體公司最近發(fā)布了一系列新的高壓電源轉(zhuǎn)換數(shù)字特殊應用集成電路(asic)，即 lm5000 系列，該系列提供了多種脈沖寬度調(diào)制(pwm)控制器驅(qū)動器芯片組，用于這些最新而先進的電源系統(tǒng)設計中。這些芯片能承受高達100v 的輸入電壓，滿足了通信系統(tǒng)電壓瞬態(tài)規(guī)范的應力限制。它們工作于超過1mhz的開關(guān)頻率，與現(xiàn)有的解決方案相比，提高了電源效率，并成為眾多電源應用的基準。該系列從低成本的中功率正向拓撲結(jié)構(gòu)(使用lm5025 電壓模式有源鉗位pwm 控制器)，到中功率 iba 轉(zhuǎn)換器(使用 lm5033 半橋或推挽pwm)，再到最先進、功率最高的級聯(lián)式電流饋電拓撲結(jié)構(gòu)(由 lm5041 和 lm5100控制器驅(qū)動器芯片組支持)，覆蓋了所有的功率級別。

　　新型 iba 電源系統(tǒng)方法需要兩級轉(zhuǎn)換：首先是非穩(wěn)壓隔離級，然后是多個緊密調(diào)節(jié)的負載點板上安裝的直流-直流電源模塊。隔離級(稱作中間總線轉(zhuǎn)換器)的拓撲結(jié)構(gòu)一般是開環(huán)、非穩(wěn)壓、自由運行“直流變壓器”，被選擇用來隔離和降低總線電壓，同時保證低成本和高功率轉(zhuǎn)換效率(大于 95%)。雙輸出 lm5033 pwm 控制器和 lm5100 半橋驅(qū)動器構(gòu)成一個理想的芯片組解決方案，能將這些中間總線轉(zhuǎn)換器設計中需要的外部元件成本和數(shù)量降至最低。

　　圖 1 以典型的通信電源總線轉(zhuǎn)換器設計中的 lm5033/lm5100 芯片組為例，在該設計中，40-60v輸入總線電壓通過一個隔離變壓器，向下轉(zhuǎn)換至 10-15v 中間總線電壓，并分配至下游安裝在板上的負載點模塊中。通過維持lm5033 雙控制器的輸出在一個恒定的 50%占空比，實現(xiàn)了最高的電源效率，這樣做降低了開關(guān) fet 和同步整流器上的電流和電壓應力，同時改善了變壓器的線圈使用率。

　　圖 1 lm5033 中間總線轉(zhuǎn)換器

　　圖中文字的譯文：

　　input voltage — 輸入電壓

　　iba 兩級架構(gòu)的競爭對手是更傳統(tǒng)、使用回歸或正向拓撲結(jié)構(gòu)的單級隔離電源。與那些用于iba 方法的緊密調(diào)節(jié)負載點模塊相比，這些電源雖然提供了富有競爭力的成本和電源效率，但很難在多個輸出維持良好的穩(wěn)壓。

　　與標準的正向轉(zhuǎn)換器相比，有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器提供了更高的效率，而且在中功率應用 (50-200w) 中更受歡迎。有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器部署了一個有源復位 fet 和電容器，在損耗最低的情況下使核心復位。鉗位電容器捕獲磁化能量和釋放能量，并把它們返回源極，從而提高了電源轉(zhuǎn)換效率。

　　圖 2 描繪了典型的48v 單級通信電源設計中的 lm5025 有源鉗位正向控制器，其工作輸入電壓范圍是 36 至 75v，額定輸出在 3.3v 時可高達 100w。該控制器的兩路輸出直接驅(qū)動 n 通道功率金屬氧化半導體場效應晶體管(mosfet)和 p 通道復位 mosfet。這兩路驅(qū)動器輸出的大小不同，主輸出產(chǎn)生較大的 3apk 門極驅(qū)動，其目的是迅速開關(guān)大功率 mosfet 以便降低開關(guān)損耗。復位 mosfet 的輸出要小得多，這是因為它只傳導磁化電流，因此門極驅(qū)動器的大小僅為 1apk。要實現(xiàn)最高的效率，兩路門極驅(qū)動器輸出之間的時序延遲就甚為關(guān)鍵，而 lm5025 控制器就具備了這樣的一個可編程功能。

　　對于輸出電壓較低的應用方面，就有必要使用同步整流器以實現(xiàn)較高的整體電源效率。有源復位方案適合使用同步整流器，這是因為同步整流器可以直接通過次級變壓器自我驅(qū)動，如圖所示。

　　圖 2 lm5025 正向有源鉗位轉(zhuǎn)換器

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　　圖中文字的譯文：

　　up/down sync — 向上/向下同步

　　圖 3 展示了 lm5041 級聯(lián)式控制器和 lm5100 半橋驅(qū)動器組合而成的芯片組，用于設計雙級級聯(lián)式降壓饋電轉(zhuǎn)換器。該轉(zhuǎn)換器包含一個高壓降壓前級穩(wěn)壓器，用于在推挽電源變壓器級維持一個固定的電壓，這個變壓器級被用作“直流變壓器”，類似前文所述的 ibc。通過設置變壓器匝數(shù)比，將預穩(wěn)壓電壓降至最終的輸出電壓。目前生產(chǎn)的級聯(lián)式轉(zhuǎn)換器能進行緊密的線路穩(wěn)壓，其線路輸入電壓范圍寬達 4:1 甚至更高。它還能提供令人印象深刻的輸出負載瞬時響應，同時消除了輸出濾波器電感器和電流傳感電阻器，這是降低成本和復雜性的另一個優(yōu)點。它的輸出電路具備回掃穩(wěn)壓器的簡單性和其它優(yōu)點。輸出濾波電感器的刪除，縮短了加載階躍變化的延遲，并且引起電壓回路錯誤的電感器也不存在了。推挽直流變壓器持續(xù)在精確的50%占空比上軀動，從而產(chǎn)生連續(xù)不斷的電力流至輸出端。這樣做不但使隔離變壓器核心的使用率最佳化，同時也降低了輸出元件的應力和干擾，使級聯(lián)拓撲結(jié)構(gòu)非常適合于高輸出功率的應用。

　　圖 3 lm5041 電流饋電推挽轉(zhuǎn)換器

　　圖中文字的譯文：

　　buck stage — 降壓級 push-pull stage — 推挽級 output inductor

　　removed —輸出電感器已刪除 buck out cap removed — 降壓輸出電容器已刪除

　　圖 4 展示了推挽 mosfet 漏極波形和降壓級開關(guān)節(jié)點 (vsw)。當兩個漏極均為低電平時，交迭時間便會顯示出來。推挽級的工作切換頻率是降壓級的一半。

　　圖 4 電流饋電推挽的波形

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　　圖中文字的譯文：

　　trace 1: push_pull xfr side a -- 1 號跡線：推挽 xfr 的 a 側(cè)

　　trace 2: push_pull xfr side b -- 2 號跡線：推挽 xfr 的 b 側(cè)

　　trace 3: push_pull xfr side a -- 3 號跡線：降壓級開關(guān)節(jié)點

　　note: there … -- 注意：存在一段推、拉開關(guān)同時開通的交疊時間。這是保持感應器電流路徑所必需的。

　　圖 5 展示了雙級多輸出數(shù)字用戶線 (dsl) 的電源應用，它使用了由 lm5030 推挽控制器驅(qū)動的一個功率較低的多輸出隔離變壓器，加上 lm5642 雙輸出電流模式降壓控制器。該電源提供了線路驅(qū)動器和放大器的兩種模擬電壓(典型值為 +/-12v)，以及數(shù)字 asic 所需的幾種較低電壓(+5v、+3.3v、+1.8v、+1.5v)。lm5030 被用作推挽轉(zhuǎn)換器的中心部件，把 48v 輸入電壓轉(zhuǎn)換成 +/-12v，同時提供電絕緣。lm5642 控制器構(gòu)成負載點同步降壓轉(zhuǎn)換器，接收來自中間總線軌的+12v電力，并產(chǎn)生用于 xdsl 卡電子器件的多路低壓輸出。高性能雙輸出 lm5642 降壓控制器的每條通道只需要一對 fet、一個小型輸出電感器和輸出電容器，以及幾個電阻器和電容器，構(gòu)成了高效率、低成本的 iba 解決方案。

　　圖 5 xdsl 中間總線功率轉(zhuǎn)換器

　　圖中文字的譯文：

　　inrush protection—涌入電流防護 lm5030 push-pull converter—lm5030 推挽轉(zhuǎn)換器 synchronization—同步 sequencing—定序 dual synchronous buck controller 雙同步降壓控制器

　　下面的表 1 列出了美國國家半導體公司的一些新型高壓 abcd(模擬雙極 cmos dmos)技術(shù)系列，它們具有充足的擊穿電壓，有利于簡化通信電源轉(zhuǎn)換器的設計。被稱為 abcdxv1 和 abcdxv2的兩種新技術(shù)增強了 n 通道 dmos 功率晶體管、高壓 pmos 器件和結(jié)隔離二極管的擊穿電壓，使它們能夠承受高達 100v 的直流輸入工作電壓范圍，以便滿足通信電力系統(tǒng)標準中的瞬態(tài)電壓規(guī)范。這兩種新型平臺(xv1 和 xv2)是建基于現(xiàn)有的 45v abcd150 技術(shù)平臺(應用在流行的 simpleswitchertm 降壓穩(wěn)壓器的大批量生產(chǎn)中)，并分別提供 80v 和 100v 擊穿電壓。

　　表 1 高壓 abcd 技術(shù)

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　　表中文字的譯文：

　　三種技術(shù)的基本特性和應用概括如下：

　　利用美國國家半導體公司最近提供的 lm5000 系列中的多種新型高壓高性能電源管理 ic 芯片組，可以迅速組裝許多具有挑戰(zhàn)性的通信用分布式電源總線架構(gòu)和轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)。從這多種產(chǎn)品中挑選用于電源設計的產(chǎn)品時，需要考慮的平衡因素包括輸入電壓范圍、預期輸出數(shù)量、整體系統(tǒng)電源效率要求，以及允許的卡的尺寸和面積大小?，F(xiàn)代的先進高壓工藝技術(shù)促進了 pwm 控制器、開關(guān)穩(wěn)壓器和功率 mosfet 門級驅(qū)動器的進步，現(xiàn)在這些元件可以被迅速組裝，構(gòu)成輕巧而高效的直流-直流電源模塊。