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2012年全球高功率RF半導(dǎo)體市場達(dá)10億美元

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作者: 時(shí)間:2008-01-09 來源:賽迪網(wǎng) 收藏

  據(jù)市場研究公司ABIResearch最新發(fā)表的研究報(bào)告稱,2012年全球高功率市場規(guī)模將達(dá)到接近10億美元。

  ABIResearch研究經(jīng)理LanceWilson稱,這個(gè)行業(yè)未來五年的發(fā)展將取決于三個(gè)重要的問題。在生產(chǎn)水平上,引進(jìn)氮化鎵(GaN)和碳化硅功率設(shè)備意味著SiLDMOS工藝的滅亡嗎?隨著移動(dòng)/基礎(chǔ)設(shè)施市場的下降,它們將繼續(xù)以前一樣推動(dòng)功率行業(yè)的增長嗎?無線基礎(chǔ)設(shè)施以外的分市場會(huì)填補(bǔ)這個(gè)市場的空缺嗎?

  為了回答這些問題以及其它問題,ABIResearch對所有的輸出功率在5瓦以上、工作頻率為3.8GHz以下的RF進(jìn)行了市場規(guī)模的研究。這篇研究報(bào)告根據(jù)應(yīng)用把RF功率半導(dǎo)體市場分為6個(gè)市場和24個(gè)子市場,提供了非常詳細(xì)的、市場推動(dòng)的分析。這6個(gè)主要市場是:無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事、工業(yè)/科學(xué)/醫(yī)療、廣播、商業(yè)航空和非蜂窩通訊。每一個(gè)主要市場下面都有2個(gè)至6個(gè)分市場。



關(guān)鍵詞: RF 半導(dǎo)體 3G RF IF

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