NEC電子(歐洲)推出新型P溝道功率MOSFET產(chǎn)品

　　近日，NEC電子(歐洲)宣布推出新型低電壓電源管理器件(PMD)。該系列產(chǎn)品的推出使P溝道NP系列產(chǎn)品可覆蓋-15A至-100A的漏極電流。

　　該系列產(chǎn)品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)貼片封裝。產(chǎn)品包含2種額定漏源電壓(-40V和-60V)及可由邏輯門驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。在DPAK封裝系列中，低漏極電流器件(ID(DC) < 50A)中的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封裝系列中，額定漏極電流為-100A的器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))則降至3.7mOhm。

　　能實(shí)現(xiàn)P-溝道功率MOSFETs超低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))值主要是因?yàn)椴捎昧薝MOS-4工藝。該工藝采用0.25um的設(shè)計(jì)規(guī)則，將單元密度提高到了160Mcells/inch2,同時(shí)降低了單位面積的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。和NP系列的其他產(chǎn)品一樣，新產(chǎn)品按照AEC-Q101流程制造，額定溫度為175℃，純錫電鍍管腳完全符合RoHS要求。雪崩能量從19mJ(NP15P06SLG)至550mJ(NP100P04PLG)，因芯片不同而有所差異。

　　這一系列低導(dǎo)通電阻器件符合P-溝道器件在汽車電子應(yīng)用中日益增長(zhǎng)的需求。在電池反接保護(hù)、H橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)等標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用中，P-溝道功率MOSFETs與N-溝道器件相比具有明顯的優(yōu)勢(shì)。