半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新挑戰(zhàn)

作者:莫大康　半導(dǎo)體資深專家

　　之前推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步是兩個(gè)輪子，一個(gè)是特征尺寸不斷地縮小,另一個(gè)是硅片直徑擴(kuò)大,而且總是以縮小尺寸為優(yōu)先。但是,CMOS技術(shù)中的SiO2基柵介質(zhì)在經(jīng)過(guò)近40年的不斷等比縮小之后，到2002年左右終于達(dá)到了極限,即只有1.2納米,5個(gè)硅原子厚度。如果再繼續(xù)縮小,將導(dǎo)致漏電流迅速增大。這也就是為什么英特爾之前一直推崇CPU以主頻高低來(lái)分擋,而至奔騰4,主頻達(dá)4GHz后放棄的原因。所以盡管工業(yè)界對(duì)于45納米是否一定要采用高k介質(zhì)及金屬柵工藝,尚未完全統(tǒng)一認(rèn)識(shí),但是下一步走材料創(chuàng)新是必由之路己達(dá)共識(shí)。 近期英特爾公司首先在45納米工藝中采用高k及金屬柵工藝的成功,尤如為通向32及22納米工藝架起一座橋梁,具有里程碑的意義。歸納起來(lái),如果大家還堅(jiān)信每?jī)赡旯に囍瞥虝?huì)跨上一個(gè)臺(tái)階,那半導(dǎo)體工業(yè)于09年時(shí)32納米,及2011年時(shí)22納米,再往下可能己很難準(zhǔn)確預(yù)言。未來(lái)將面臨高k材料及金屬柵及光刻技術(shù)的兩方面挑戰(zhàn)。未來(lái)全球半導(dǎo)體業(yè)將形成微處理器,存儲(chǔ)器及代工加fabless三足鼎立局面。尤其是存儲(chǔ)器的超級(jí)大廠(月產(chǎn)12英寸硅片達(dá)15萬(wàn)片,投資達(dá)50億美元以上)會(huì)盛行。

　　下一步PC及手機(jī)仍是半導(dǎo)體業(yè)中兩個(gè)最大的消費(fèi)市場(chǎng)。據(jù)預(yù)測(cè)全球低價(jià)PC,在未來(lái)5年中可能有10億臺(tái)的增量;手機(jī)在新興市場(chǎng)中,中國(guó),印度,蘇聯(lián)及巴西也有每年超過(guò)兩位數(shù)以上的增長(zhǎng)。未來(lái)無(wú)線及節(jié)能產(chǎn)品將成為兩大熱點(diǎn),接下來(lái)有可能是涉及人健康的巨大的醫(yī)療電子產(chǎn)品市場(chǎng)?？梢韵嘈?電子產(chǎn)品中半導(dǎo)體的含量會(huì)越來(lái)越來(lái)越高。因而,放在工業(yè)界面前的任務(wù),繼續(xù)擴(kuò)大半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍。讓新產(chǎn)品的性價(jià)比,為消費(fèi)者吸引而產(chǎn)生購(gòu)買欲望。