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開(kāi)關(guān)電源原理圖

作者: 時(shí)間:2008-01-30 來(lái)源:電力虎 收藏

(1)控制電壓源

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/78380.htm

控制電壓Uc能向并聯(lián)調(diào)整器和門(mén)驅(qū)動(dòng)極提供偏置電壓,而控制端電流Ic則能調(diào)節(jié)占空比。控制端的總電容用Ct表示,由它決定自動(dòng)重起動(dòng)的定時(shí),同時(shí)控制環(huán)路的補(bǔ)償,Uc有兩種工作模式,一種是滯后調(diào)節(jié),用于起動(dòng)和過(guò)載兩種情況,具有延遲控制作用;另一種是并聯(lián)調(diào)節(jié),用于分離誤差信號(hào)與控制電路的高壓電流源。剛起動(dòng)電路時(shí)由DC極之間的高壓電流源提供控制端電流Ic,以便給控制電路供電并對(duì)Ct充電。

(2)帶隙基準(zhǔn)電壓源

帶隙基準(zhǔn)電壓源除向內(nèi)部提供各種基準(zhǔn)電壓之外,還產(chǎn)生一個(gè)具有溫度補(bǔ)償并可調(diào)整的電流源,以保證精確設(shè)定振蕩器頻率和門(mén)極驅(qū)動(dòng)電流。

(3)振蕩器

內(nèi)部振蕩電容是在設(shè)定的上、下閾值UH、UL之間周期性地線性充放電,以產(chǎn)生脈寬調(diào)制器所需要的鋸齒波(SAW),與此同時(shí)還產(chǎn)生最大占空比信號(hào)(Dmax)和時(shí)鐘信號(hào)(CLOCK)。為減小電磁干擾,提高電源效率,振蕩頻率(即開(kāi)關(guān)頻率)設(shè)計(jì)為100kHz,脈沖波形的占空比設(shè)定為D。

(4)放大器

誤差放大器的增益由控制端的動(dòng)態(tài)阻抗Zc來(lái)設(shè)定。Zc的變化范圍是10Ω~20Ω,典型值為15Ω。誤差放大器將反饋電壓UF與5.7V基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后,輸出誤差電流Ir,在RE上形成誤差電壓UR。

(5)脈寬調(diào)制器(PWM)

脈寬調(diào)制器是一個(gè)電壓反饋式控制電路,它具有兩層含義。第一、改變控制端電流Ic的大小,即可調(diào)節(jié)占空比D,實(shí)現(xiàn)脈寬調(diào)制。第二、誤差電壓UR經(jīng)由RA、CA組成截止頻率為7kHz的低通濾波器,濾掉開(kāi)關(guān)噪聲電壓之后,加至PWM比較器的同相輸入端,再與鋸齒波電壓UJ進(jìn)行比較,產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號(hào)UB。

(6)門(mén)驅(qū)動(dòng)級(jí)和輸出級(jí)

門(mén)驅(qū)動(dòng)級(jí)(F)用于驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)管(MOSFET),使之按一定速率導(dǎo)通,從而將共模電磁干擾減至最小。漏源導(dǎo)通電阻與產(chǎn)品型號(hào)和芯片結(jié)溫有關(guān)。MOSFET管的漏源擊穿電壓U(bo)ds≥700V。

(7)過(guò)流保護(hù)電路

過(guò)流比較器的反相輸入端接閾值電壓ULIMIT,同相輸入端接MOSFET管的漏極。此外,芯片還具有初始輸入電流限制功能。剛通電時(shí)可將整流后的直流限制在0.6A或0.75A。

(8)過(guò)熱保護(hù)電路

當(dāng)芯片結(jié)溫TJ>135℃時(shí),過(guò)熱保護(hù)電路就輸出高電平,將觸發(fā)器Ⅱ置位,Q=1,Q=0,關(guān)斷輸出級(jí)。此時(shí)進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式,Uc端波形也變成幅度為4.7V~5.7V的鋸齒波。若要重新起動(dòng)電路,需斷電后再接通電源開(kāi)關(guān);或者將控制端電壓降至3.3V以下,達(dá)到Uc(reset)值,再利用上電復(fù)位電路將觸發(fā)器Ⅱ置零,使MOSFET恢復(fù)正常工作。

(9)關(guān)斷/自起動(dòng)電路

一旦調(diào)節(jié)失控,關(guān)斷/自動(dòng)重起動(dòng)電路立即使芯片在5%占空比下工作,同時(shí)切斷從外部流入C端的電流,Uc再次進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式。倘若故障己排除,Uc又回到并聯(lián)調(diào)節(jié)模式,自動(dòng)重新起動(dòng)電源恢復(fù)正常工作。自動(dòng)重起動(dòng)的頻率為1.2Hz。

 

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