英飛凌推進(jìn)DDR2 FB-DIMM部署推出ARM芯片

2005年8月26日在舊金山召開的英特爾開發(fā)商論壇（IDF）上，全球內(nèi)存產(chǎn)品供應(yīng)商英飛凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）宣布，該公司正在推出雙數(shù)據(jù)速率2（DDR2）全緩沖內(nèi)存模塊（FB-DIMM）樣品，英飛凌是業(yè)界唯一能設(shè)計(jì)和生產(chǎn)FB_DIMM所有關(guān)鍵部件的公司。容量在512MB到4GB之間的新型FB-DIMM，基于英飛凌出品的高級(jí)內(nèi)存緩沖（AMB）芯片、DDR2 DRAM芯片及其自主開發(fā)的散熱器。另外，英飛凌還為其他FB-DIMM生產(chǎn)商提供AMB邏輯芯片，并且已經(jīng)將樣品發(fā)給了第一批客戶。

“新模塊的優(yōu)化生產(chǎn)需要三方面的創(chuàng)新：高容量高速DDR2 DRAM、 AMB芯片以及散熱器（管理高內(nèi)存容量與高速AMB芯片融合產(chǎn)生的熱負(fù)荷），”英飛凌內(nèi)存產(chǎn)品事業(yè)部計(jì)算業(yè)務(wù)部主管Michael Buckermann說(shuō)，“從2006年起，這種技術(shù)將開始逐漸取代高端服務(wù)器系統(tǒng)中的寄存式DIMM產(chǎn)品，英飛凌對(duì)組件和模塊生產(chǎn)的全面控制將為服務(wù)器生產(chǎn)商提供成熟的高質(zhì)量產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)順利部署經(jīng)過(guò)優(yōu)化調(diào)整的FB-DIMM。”

FB-DIMM把現(xiàn)行寄存式DIMM的并行結(jié)構(gòu)變成了串行點(diǎn)到點(diǎn)連接。這將消除新一代服務(wù)器內(nèi)存容量增加與速度升級(jí)導(dǎo)致的吞吐量瓶頸。英飛凌設(shè)計(jì)生產(chǎn)的AMB，是一個(gè)高度復(fù)雜的邏輯芯片，它將控制點(diǎn)到點(diǎn)連接，第一代AMB能提供4.8Gbps的數(shù)據(jù)速率來(lái)實(shí)現(xiàn)與傳輸速度高達(dá)800Mbps 的DDR2 DRAM的直接高速鏈接。除了用于自有模塊之外，英飛凌還為其他FB-DIMM生產(chǎn)商提供AMB芯片，從而推進(jìn)新一代服務(wù)器內(nèi)存的市場(chǎng)滲透。

作為FB-DIMM開發(fā)領(lǐng)域的先驅(qū)，英飛凌在2004年8月推出了業(yè)內(nèi)第一款AMB測(cè)試芯片，并在2005年2月的IDF論壇上成功展示了DDR2平臺(tái)上的系統(tǒng)啟動(dòng)。今天宣布的這代FB-DIMM將運(yùn)用速度級(jí)別在553和667Mbps的DDR2 DRAM，今后將進(jìn)一步提升到800 Mbps。

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查公司iSuppli最近的一份報(bào)告顯示，在OEM服務(wù)器市場(chǎng)，FB-DIMM在2006年所占份額為16%（總數(shù)420萬(wàn)套），到2008年將增加到79%。

現(xiàn)在基于512Mbit、1Gbit DDR2 533和DDR2 667顆粒，容量分別為512MB、1GB、2GB 和 4GB的FB-DIMM樣品現(xiàn)已推出。批量生產(chǎn)計(jì)劃在2005年第四季度開始。

英飛凌推出的數(shù)據(jù)速率達(dá)4.8Gbps的AMB芯片采用665球高性能BGA封裝。現(xiàn)在該產(chǎn)品也有樣品提供。