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RF混頻器及其在3G無線基站接收器中的應(yīng)用

作者: 時間:2008-03-03 來源: 收藏

  1 引言

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/79450.htm

  凌特公司(Lineat Technology)推出的LT5527型高線性度有源下變頻RF混頻器能大幅降低3G蜂窩基站的成本并簡化其設(shè)計。LT5527 RF混頻器具有3.7 GHz的最高工作頻率,在1.9 GHz時,LT5527具有23.5 dBm的IP3(輸入3階截取)線性度、2.3dB轉(zhuǎn)換增益和12.5 dB噪聲指標(biāo),符合3G蜂窩基站和其他高性能無線基站接收器的動態(tài)范圍要求。LT5527的本機(jī)振蕩器(LO)和RF輸入以單端方式工作,具有內(nèi)置50Ω 阻抗,只需很少外部匹配器件,可降低基站成本和縮短設(shè)計時間。此外,LT5527內(nèi)包含1個低噪聲LO緩沖器,允許工作于-3 dBm LO驅(qū)動功率,解決了RF隔離難題,無需外部濾波電路。

  LT5527工作于400 MHz~3.7 GHz的寬頻率范圍,該范圍覆蓋850 MHz蜂窩頻帶、1.9 GHz~2.1GHz W-CDMA及UMTS頻帶,也覆蓋了工作于450MHz、2.4 GHz和3.5 GHz頻帶的其他高性能無線設(shè)備。LT5527在RF和L0輸入端都有片上RF變壓器。這些變壓器方便了50 Ω阻抗匹配,并使輸入能以單端方式工作。

  2 LT5527的主要特性及引腳功能

  2.1 LT5527的主要特性

  LT5527采用單5 V工作電源,典型工作電流為78 mA。它可用EN引腳關(guān)斷。關(guān)斷時,最高消耗100μA靜態(tài)電流。LT5527采用16引腳4 mmx4mm QFN封裝。LT5527的主要特性如下:

  ●50Ω單端式的RF和L0;

  ●高輸入IP3:0.9 GHz時的輸入IP3為+24.5dBm,1.9 GHz時的輸入IP3為+23.5 dBm;

  ●0.9 GHz時的轉(zhuǎn)換增益為3.2 dB,1.9 GHz時的轉(zhuǎn)換增益為2.3 dB;

  ●低噪聲:O.9 GHz時的噪聲指標(biāo)為11.6 dB,1.9 GHz時的噪聲指標(biāo)為12.5 dB;

  ●高L0-RF及LO-IF隔離;

  ●L0至RF泄漏為-44 dBm;

  ●工作電壓范圍為4.5 V~5.25 V。

  2.2 LT5527的引腳功能

  LT5527由高線性雙平衡混頻器、RF緩沖放大器、高速限幅LO緩沖器及偏置/使能電路構(gòu)成,RF和L0輸入以單端方式工作,IF輸出是差分輸出,低端LO和高端LO注入均可用。LT5527的外引腳排列如圖1所示,內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2所示,各引腳的功能如下所述。

  

 

  NC(1,2,4,8,13,14,l 6):這些引腳內(nèi)部不連接,與電路板的地相接,以改善LO至RF及LO至IF之間的隔離。

  RF(3):RF信號輸入端,該引腳內(nèi)部與RF輸入變壓器的初級相連。若RF信號源不被DC阻隔,則需串聯(lián)一耦合電容器。在1.7 GHz~3 GHz之間,RF輸入由內(nèi)部匹配。400 MHz,3 700 MHz都需外部匹配。

  EN(5):使能端,當(dāng)輸入使能電壓超過3 V時,混頻器電路通過6、7、10和11啟動。當(dāng)輸入電壓低于0.3V時,所有的電路都不工作。EN=5V時的典型輸入電流為50 mA,EN=0 V時,電流為0μA。即使在啟動時,EN端的電壓也不應(yīng)超過Vcc0.3V。

  Vcc2(6):偏置電路的電源輸入端,電流消耗為2.8mA。該端外部接至Vcc1端,并接l 000 pF及1μF的耦合電容器。

  Vcc1(7):LO緩沖器的電源端,電流消耗為23.2mA。該端外部接至Vcc2端,并接l 000pF及1μF的耦合電容器。

  GND(9,12):地端,該端和底板地相連以增強(qiáng)隔離度,也是電路板上的RF地。

  IF-,IF+(10,11):IF信號差分輸出,需進(jìn)行阻抗變換以實現(xiàn)輸出匹配。這些端子通過阻抗匹配電感器、RF扼流圈或變壓器中心抽頭與Vcc相連。

  LO (15):本地振蕩器的單端輸入,該端內(nèi)部與L0變壓器的初級相連。在1.2 GHz~5 GHz之間,LO輸入可內(nèi)部匹配,在380MHz以下工作時需簡單的外部匹配。

  Exposed Pad(17):整個電路地的返回端,必須焊接至印刷電路板的接地面。

  3 LT5527的應(yīng)用電路設(shè)計

  圖3示出由混合變壓器構(gòu)成的lF匹配電路,以達(dá)到最低LO-IF泄漏和最寬的IF帶寬。圖4示出由1個離散的IF不平衡變壓器代替IF變壓器的電路,以降低成本和縮小尺寸,盡管離散的IF不平衡變壓器也有較理想的噪聲系數(shù)、線性度及較高的轉(zhuǎn)換增益,但是LO-IF泄漏降低,IF的帶寬減小。

  

 

  3.1 RF輸入端的設(shè)計

  RF輸入端由1個集成變壓器和一個高線性差分放大器組成,變壓器的初級與RF輸入端(引腳3)和地連接,變壓器的次級內(nèi)部與差分放大器輸入端連接。

  變壓器初級的一端內(nèi)部和地連接,如果RF源有DC電壓,則在其輸入端接入耦合電容器。在1.7GHz~3 GHz之間,RF輸入可由內(nèi)部匹配,在這個頻率范圍不需要外部匹配。頻帶邊沿輸入回波損耗的典型值為10 dB。

  在低頻帶邊沿的輸入匹配電路中,串聯(lián)的最佳電容器的值是2.7 pF(引腳3),以改善1.7GHz的回波損耗(>20 dB);同樣,為改善2.7GHz的回波損耗(>30dB),其匹配串聯(lián)的最佳電感器感值是1.5 nH。同時,串聯(lián)1.5nH/2.7 pF匹配網(wǎng)絡(luò)使頻帶的邊沿更理想,并將RF的輸入帶寬擴(kuò)大至1.1 GHz~3.3 GHz。

  在400 MHz低頻處或3.7GHz處,RF輸入匹配網(wǎng)絡(luò)在原有基礎(chǔ)上增加并聯(lián)電容器C5,如果450MHz下的輸入匹配電容器C5的容值為12 pF,在評估板的50 Ω輸入傳輸線上,位于距離引腳34.5 mm的位置;900 MHz下的輸入匹配電容C5=3.9 pF,位于距離引腳3 1.3 mm的位置;3.5 GHz下的輸入匹配電容器C5=O.5 pF,位于距離引腳34.5mm的位置。這種串聯(lián)傳輸線/并聯(lián)電容器匹配拓?fù)涫沟肔T5527可用于倍頻標(biāo)準(zhǔn),而不需要修正電路板的設(shè)計。串聯(lián)傳輸線可用串聯(lián)的片式電感器代替,以使布局更簡單。RF輸入阻抗和Sl1與頻率的關(guān)系(沒有外部匹配)列于表1。S11數(shù)據(jù)用于微波電路模擬設(shè)計自定義匹配網(wǎng)絡(luò),模擬和RF輸入濾波器的接口連接。

  

 

  3.2 LO輸入端的設(shè)計

  LO輸入端由1個集成變壓器和1個高速限幅差分放大器組成,其中,放大器驅(qū)動混頻器,得到最高的線性和最低的噪聲,1只內(nèi)部耦合電容器和變壓器的初級串聯(lián),無需連接外部耦合電容器。盡管內(nèi)部放大器將最大有效頻率限制在3.5 GHz,但在1.2 GHz~5 GHz范圍內(nèi),L0輸入由內(nèi)部匹配。當(dāng)然輸入匹配可以變換,在低頻(750 MHz)處,給引腳15并聯(lián)1只電容器(C4),850MHz~1.2 GHz匹配中,C4=2.7 pF。

  750 MHz以下的LO輸入匹配要求串聯(lián)電感L/4并聯(lián)電容C4,在650 MHz~830 MHz,其匹配網(wǎng)絡(luò)的L4=3.9 nH,C4=5.6 pF;在540 MHz~640MHz,其匹配網(wǎng)絡(luò)的L4=6.8 nH,C4=10 pF。評估板不包含L4的焊盤,因此可切斷近處的引腳15以便插入L4,L4是低功耗多層片式電感器。

  頻率大于1.2 GHz時,盡管放大器提供的功率有幾個dB,但最佳LD驅(qū)動功率只有-3 dBm(I/0輸入功率變化,混頻器性能不變);在頻率低于1.2GHz的情況下,盡管-3 dBm的L0驅(qū)動功率仍然提供高轉(zhuǎn)化增益和線性,但是為了得到最佳噪聲,LO驅(qū)動功率為0 dBm。自定義匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗數(shù)據(jù)見表2,并參考LO端沒有匹配時的情況。

  

 

  3.3 IF輸出端的設(shè)計

  IF輸出端(IF+和IF-)和晶體管混頻開關(guān)的集電極連接,如圖5。IF+和IF-分別有電壓偏置,主要通過變壓器中心抽頭或匹配電感取得。每個IF端從總電流(52 mA)中分出26 mA的電流。為了得到最佳單端工作性能,這些差分輸出需通過1個IF變壓器或1個離散的IF不平衡變壓器與外部電路結(jié)合。圖3所示的電路包含1個用于阻抗變換和差分單端轉(zhuǎn)換的IF變壓器,圖4所示的電路由1個離散的IF不平衡變壓器實現(xiàn)同樣的功能。低頻時IF輸出阻抗可等效415 Ω并聯(lián)2.5 pF的電容器。頻率與IF差分輸出阻抗的關(guān)系如表3所示。這些數(shù)據(jù)參考封裝引腳(沒有外部元件),包含了IC和封裝寄生效應(yīng)的影響。對于IF頻率為幾千赫茲的低頻或600MHz的高頻,可匹配輸出IF。

  

 

  差分單端IF匹配的方法有以下三種:

  (1)直接8:1 IF變壓器匹配

  IF頻率低于100 MHz時,最簡單的匹配設(shè)計是將1個8:l變壓器連接到IF端,變壓器將進(jìn)行阻抗變換并提供單端50Ω輸出。在圖3所示電路中,這種匹配通過短接L1、L2、用8:1變壓器(不設(shè)置C3)代替4:1變頻器即可實現(xiàn)。

  (2)低通濾波器+4:1

  IF變壓器匹配實現(xiàn)最低的LO-IF泄漏和較寬的IF帶寬很簡單,如圖5所示為由3個元件構(gòu)成低通濾波匹配網(wǎng)絡(luò)。匹配 元件C3、Ll和L2結(jié)合內(nèi)部2.5 pF電容器形成1個400 Ω~200 Ω低通濾波匹配網(wǎng)絡(luò),該匹配網(wǎng)絡(luò)諧振于所期望的lF頻率。這里4:l變壓器將200Ω差分輸出變換成50Ω的單端輸出。

  該匹配網(wǎng)絡(luò)對40MHz以上(包括40MHz)的IF最為合適。對于40 MHz以下的IF頻率,若串聯(lián)電感器(Ll、L2)的電感值取得過高,用這樣的電感和寄生效應(yīng)將影響穩(wěn)定性,因此,8:1變壓器適合于低IF頻率。適用于 IF頻率的低通濾波的匹配元件值如表4所示。高Q值線繞片式電感器(Ll、L2)大大改善了混頻器的轉(zhuǎn)換增益,但對線性度還是有點(diǎn)影響。

  

 

  (3)離散IF不平衡變壓器匹配

  在許多應(yīng)用中,可以用離散IF不平衡變壓器代替IF變壓器,如圖4所示。Ll、L2、C6和C7的值可用式(1)、式(2)計算,在IF頻率期望值上得到 180°相移,并提供50Ω的單端輸出。電感器L3的值也可計算,但L3抵消內(nèi)部2.5pF的電容器,L3也為IF+端提供偏置電壓。低功耗多層片式電感適合Ll、L2,為了得到最大轉(zhuǎn)換增益以及為IF+端提供最小DC電壓,L3選用高Q值線繞片式電感器,C3是DC的隔離電容器。

  

 

  與低通濾波4:1變壓器匹配技術(shù)相比.這種網(wǎng)絡(luò)提供約為0.8 dB的高轉(zhuǎn)換增益(忽略IF變壓器上的損耗),較好的噪聲系數(shù)和IP3。IF中心頻率偏移±15%,轉(zhuǎn)換增益和噪聲下降約1 dB。超過+15%以上,轉(zhuǎn)換增益逐漸減少,但噪聲迅速增大。IP3對帶寬不太敏感,與低通濾波4:1變壓器匹配相比仍可實現(xiàn)以最佳性能,除了IF帶寬,最大的差別是LO-IF泄漏,減少約-38 dBm。

  通用IF頻率下離散IF不平衡變壓器的元件值如表5所示。由于電路板和寄生效應(yīng)的影響,表5中的值與計算值略有差別。

  

 

  對整個差分IF結(jié)構(gòu)來說,還可以從另一個角度考慮,不用IF變壓器,如圖6所示,這里,混頻器的lF輸出匹配直接通過1個SAW濾波器,混頻器IF端的電源由IF匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感器提供。計算Ll、L22和C3的值,使之在期望的IF頻率上諧振,并獲得高品質(zhì)因數(shù)和理想帶寬。調(diào)整L和C值,以消除混頻器內(nèi)部2.5 pF電容和SAW濾波器輸入電容的影響。在這種情況下,由于帶通網(wǎng)絡(luò)不變換阻抗,其差分lF輸出阻抗是400Ω。若SAW濾波器的輸入阻抗大于或小于 400 Ω,就需要附加匹配元件。



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