NXP推出的高性能小信號(hào)MOSFET SOT883

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）發(fā)布了全新的小信號(hào)MOSFET器件系列，新產(chǎn)品采用了全球最小封裝之一的SOT883進(jìn)行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據(jù)14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對(duì)眾多應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括DC/DC電源轉(zhuǎn)換器模塊、液晶電視電源以及手機(jī)和其他便攜設(shè)備的負(fù)載開關(guān)。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關(guān)速度和非常低的Rds(on)值，能夠幫助制造商滿足消費(fèi)者對(duì)更緊湊、更節(jié)能的產(chǎn)品的需求。

除大幅減小MOSFET器件面積之外，恩智浦還取消了引腳，不但騰出了更多的電路板空間，還提高了散熱性能。憑借出眾的散熱性能和2.5伏時(shí)不足0.65歐姆的Rds(on)值，恩智浦新型MOSFET器件能夠提供比現(xiàn)有的1.0 x 0.6毫米MOSFET產(chǎn)品更高的流通能力。新型產(chǎn)品還擁有業(yè)界最快的開關(guān)速度，啟動(dòng)時(shí)間僅為12-16納秒，關(guān)閉時(shí)間僅為17-24納秒。

SOT883 MOSFET器件采用純錫電鍍、高效封裝技術(shù)和不含有毒阻燃劑的環(huán)保塑料精制而成，符合所有環(huán)保規(guī)定。通過(guò)高密度封裝技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)180毫米卷帶（reel）上容納10,000個(gè)器件，降低了組裝成本和庫(kù)存要求。

SOT883只是恩智浦擁有的50多種空間節(jié)省型無(wú)鉛封裝產(chǎn)品線中的一種。改產(chǎn)品線中的產(chǎn)品管腳數(shù)從2個(gè)到24個(gè)、尺寸從1.0 x 0.6 x 0.4毫米到5.0 x 6.0 x 0.85毫米不等。這些封裝最大限度地發(fā)揮了電路板上的活性硅的作用，最大限度地減少了原料用量，降低了成本。恩智浦擁有業(yè)內(nèi)最廣泛的、采用無(wú)鉛封裝的多重市場(chǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)品線。

產(chǎn)品類型
恩智浦現(xiàn)提供以下各類采用SOT883封裝的產(chǎn)品：
PMZ760SN
PMZ390UN
PMZ250UN
PMZ270XN
PMZ350XN

上市時(shí)間
對(duì)于大宗訂單，請(qǐng)與地當(dāng)銷售代表聯(lián)系，以協(xié)商批量定價(jià)事宜。恩智浦將在2008年度"應(yīng)用電源電子產(chǎn)品大會(huì)暨展覽會(huì)"（APEC）上展示其SOT883 MOSFET器件，展位為#435/437/534/536?，F(xiàn)有樣品提供，批量生產(chǎn)交付周期為12周或以上。