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低功耗、高線性CMOS可編程放大器

作者:王自強(qiáng) 池保勇 王志華 時間:2008-03-28 來源:清華大學(xué) 收藏

摘  要:針對接收機(jī)前端中可變增益放大器需要高線性處理大信號的問題。分析了使用源極退化電阻以及跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的放大器線性度;設(shè)計了使用改進(jìn)型跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的放大器。它具有更強(qiáng)的跨導(dǎo)增強(qiáng)能力,同時減小了輸入MOS管跨導(dǎo)由于漏源電壓變化產(chǎn)生的非線性失真。提出了一種對稱的可變電阻結(jié)構(gòu),它降低了MOS管開關(guān)帶來的非線性。仿真結(jié)果表明,放大器在3.3V電源電壓下直流功耗為1.5mW。在1~lOMHz帶寬、3~24dB增益范圍內(nèi),差分輸出信號峰峰值為3.3V時,總諧波失真低于-60dB。
關(guān)鍵詞:可變增益放大器;可編程增益放大器; CMOS高線性

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/80856.htm


    接收機(jī)模擬前端(以下簡稱接收機(jī))中的可變增益放大器用來調(diào)整信號大小,改變信號動態(tài)范圍。在一條接收鏈路上通常存在幾個可變增益放大器,它們共同作用,使得接收機(jī)前端能輸出滿足信噪比要求,并且具有較大功率的信號。
    隨著無線通信系統(tǒng)的發(fā)展,接收機(jī)的指標(biāo)在不斷變化,對中頻可變增益放大器的性能要求不斷提高。首先通信系統(tǒng)使用寬帶調(diào)制,要求放大器具有足夠高的帶寬,通常在1~10 MHz左右。其次通信系統(tǒng)使用復(fù)雜的編碼,要求輸出信號具有較高的信噪比,意味著放大器具有很好的線性度。最后無線接收機(jī)應(yīng)該盡量降低功耗,那么放大器在實現(xiàn)大信號輸出的前提下必須減小偏置電流。以上這些條件對中頻可變增益放大器的設(shè)計提出了苛刻的要求。
    文使用跨導(dǎo)增強(qiáng)電路減小放大器輸入管跨導(dǎo)帶來的非線性失真,不過其功耗很大,線性度不高;文的輸出差分電壓幅度有限,大約為電源電壓的一半;文使用運放加可變電阻的閉環(huán)電路結(jié)構(gòu),放大器的工作帶寬較?。晃牡目勺冊鲆娣糯笃骶哂懈呔€性度和大帶寬,不過由于采用電流運放,其輸入阻抗對前級電路構(gòu)成較重的負(fù)載,需要在放大器前插入緩沖器,因此功耗較大;文的輸入采用源極跟隨器的形式,限制了輸入信號范圍??偟膩碚f,這些可變增益放大器的線性輸入、輸出范圍有限。
    本文設(shè)計的可變增益放大器工作帶寬在l~10MHz,可以放大寬帶信號;輸出信號幅度可以達(dá)到差分峰峰值3.3V,而總諧波失真低于-60dB,具有較高的線性度。整個放大器的靜態(tài)功耗為1.5mW。



1 放大器線性分析
   
圖1是使用源極負(fù)反饋電阻的共源放大器電路圖。根據(jù)差分電路的對稱性,可以對半邊電路進(jìn)行分析。在忽略電流源和MOS管輸出電阻的前提下,放大器的增益為




    當(dāng)負(fù)反饋電阻Rdeg遠(yuǎn)大于輸入管跨導(dǎo)gm倒數(shù)的時候,放大器的增益近似等于負(fù)載電阻RLoad和Rdeg的比值。因為增益取決于兩個電阻的比值,所以放大器具有較好的線性度。但在實際應(yīng)用中,該電路的線性度受到很多因素的影響。
    最大的影響來源于跨導(dǎo)的非線性。為了使電路具有高線性度,必須增大gm或增大Rdeg。增大gm意味著增大電流,功耗上升;或者增大MOS管的尺寸,帶寬下降。增大Rdeg則會增加噪聲;而且如果用MOS管做電流源,其非線性的輸出電阻和Rdeg并聯(lián),因此也不能無限增大Rdeg??偟膩碚f,這個放大器的線性度、帶寬、增益和功耗等參數(shù)之間存在折衷,很難同時達(dá)到要求。
    圖2是使用跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的可變增益放大器。觀察左半邊電路,M2管構(gòu)成接地的跨導(dǎo)增強(qiáng)放大器,它和M1、I1、I2構(gòu)成負(fù)反饋環(huán)路。設(shè)M1、Mz管的跨導(dǎo)分別為gml、gm2,A點到地的電阻為RA,那么放大器的增益為,



    由式(2)可見,輸入管M1的跨導(dǎo)被增大了gm2RA倍,gml對增益的影響減弱,放大器的線性度提高。再來考慮A、B兩點的電壓對輸入電壓的增益。對于M1、M2、I1和I2構(gòu)成的電路,如果把B點作為輸出節(jié)點,那么它也叫做超級源極跟隨器,因此B點電壓和輸入電壓之間是跟隨關(guān)系,增益近似為1。而A點電壓對輸入電壓的增益為




2 電路設(shè)計
    圖3是使用改進(jìn)型跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的可變增益放大器。為了穩(wěn)定電路的直流工作點,在輸入管漏極和跨導(dǎo)增強(qiáng)電路放大管柵極之間插入了隔直電容,這兩級電路各自偏置,獲得穩(wěn)定的直流工作點。通過適當(dāng)設(shè)計可以使隔直電容對電路的交流信號基本不產(chǎn)生影響。設(shè)Mi管的跨導(dǎo)為gmi(i=1,2,3),A、B、C各節(jié)點到地的電阻分別為RA、RB、Rc,那么通過推導(dǎo)可以得出放大器的增益近似為


 

 


   比較式(4)和式(2),跨導(dǎo)gml又增大了gm3Rc倍,因此圖3的電路也具有很高的線性度。和圖2電路類似,圖3電路中B點電壓和輸入電壓仍然是跟隨關(guān)系,其增益近似為1。A點電壓對輸入電壓的增益為

   
    比較式(5)和式(3),A點電壓對輸入電壓的增益更低,這意味著A點電壓變化幅度更小,輸入管M1的漏源電壓變化幅度更小,gml由于漏源電壓變化產(chǎn)生的非線性更小,電路的線性度更好。以上的分析證明,使用改進(jìn)型跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的可變增益放大
器能進(jìn)一步增大跨導(dǎo),提高電路的線性度。
    對于使用源極負(fù)反饋電阻的開環(huán)可變增益放大器來說,除了輸入管跨導(dǎo)產(chǎn)生的非線性外,源極負(fù)反饋電阻的非線性也有重要影響。本電路設(shè)計增益范圖3~24dB,每3dB一檔,使用3b字符控制。每一檔對應(yīng)的負(fù)反饋電阻用多晶電阻和MOS管開關(guān)串連實現(xiàn)。圖4是兩種實現(xiàn)方法。第二種方法將一個電阻拆成相等的兩個,對稱放置在MOS管開關(guān)兩側(cè),這樣MOS管的源漏級關(guān)于襯底完全對稱。流過MOS管開關(guān)的電流是奇諧波函數(shù),其周期是正弦輸入信號周期的一半。這樣MOS管開關(guān)只產(chǎn)生奇次諧波,從而提高了等效源級負(fù)反饋電阻的線性度。




3 仿真結(jié)果

    本文設(shè)計的可變增益放大器使用TSMCO.25μm CMOS工藝,以廠家提供的工藝模型文件為基礎(chǔ)進(jìn)行了仿真。根據(jù)要求,因為電路的電源電壓為3.3V,所以可使用的NMOS管和PMOS管最小溝道長度分別是0.35μm和0.3μm。放大器的靜態(tài)功耗為1.5 mW。圖5是放大器不同增益的頻域響應(yīng)。其增益從3 dB變化到24dB,3dB一檔。在24dB增益時,3dB帶寬是100MHz。圖6是放大器
在24dB增益時等效輸入噪聲隨頻率的變化關(guān)系。





    1 MHz和10 MHz放大器的等效輸入噪聲分別是。當(dāng)輸入信號頻率為1MHz時,在24、12、3dB增益下,輸出信號總諧波失真分別是-67.3、-70.9、-73.4dB。當(dāng)輸入信號頻率為10MHz時,在24、12、3 dB增益下,輸出信號總諧波失真分別是-65.5、-72.1、-68.1 dB。此時放大器輸出差分峰峰值電壓均為3.3V。仿真詳細(xì)數(shù)據(jù)見表1。



    表2列出了設(shè)計的放大器和幾種已有放大器性能的比較(文[1,3,5]為測試結(jié)果)。可看出本文的放大器具有最小的功耗,能夠高線性輸出最大幅度的信號。此外還具有較低的噪聲和較寬的頻帶。說明該放大器適宜作為需要輸出大信號的接收機(jī)末級放大器。




4 結(jié)  論
    本文提出了使用改進(jìn)型跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的可變增益放大器,它具有更強(qiáng)的跨導(dǎo)增強(qiáng)能力,同時減小了MOS漏源電壓變化對跨導(dǎo)線性的影響。此外,本文分析并提出一種對稱的可變電阻結(jié)構(gòu),可以降低MOS管開關(guān)帶來的非線性。
    應(yīng)用以上結(jié)果,本文用CMOS 0.25,μm工藝設(shè)計了可編程增益放大器。該放大器工作在3.3V,功耗為1.5 mW,增益范圍3~24 dB,在各級增益下3 dB帶寬均大于100 MHz。在輸出信號峰峰值為3.3V時,總諧波失真低于-60dB。仿真結(jié)果表明,該放大器適于在接收機(jī)模擬前端中使用。



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