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深入研究DDR電源(07-100)

—— 深入研究DDR電源
作者:飛思卡爾公司 Norman KW Chan(營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理)和WS Wong(系統(tǒng)工程師) 時(shí)間:2008-04-18 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  DDR存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/81733.htm

  由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或游戲系統(tǒng))的應(yīng)用中都要求具有RAM(隨機(jī)存儲(chǔ)器),因而DDR存儲(chǔ)器也變得日益重要,其應(yīng)用也更加廣泛。自問(wèn)世以來(lái),RAM就已經(jīng)變得至關(guān)重要,主要因?yàn)樗且环N能夠保存易失性信息的存儲(chǔ)器,并且可以以一種更快速、更直接的方式存取信息。當(dāng)在數(shù)據(jù)計(jì)算的世界里談及系統(tǒng)速度和效率時(shí),這一點(diǎn)顯得尤為重要。

  DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),其可以通過(guò)在時(shí)鐘周期的上升和下降沿上分別提取數(shù)據(jù)而使數(shù)據(jù)率加倍,現(xiàn)在看來(lái)它正發(fā)展成為最先進(jìn)的RAM芯片集。這與以往的SDR SDRAM大不相同,因?yàn)楹笳邇H能在時(shí)鐘周期的一個(gè)邊沿上提取數(shù)據(jù)。從圖1可以看出,DRAM正在向著速度和數(shù)據(jù)傳輸率都不斷提高的方向發(fā)展。

  近些年來(lái),CPU時(shí)鐘頻率經(jīng)歷了指數(shù)增長(zhǎng),從而為RAM存儲(chǔ)器的時(shí)鐘頻率增長(zhǎng)提供了動(dòng)力。

  在1997年,SD RAM在市場(chǎng)亮相,它可以取代DRAM和SRAM兩種存儲(chǔ)器并提供更快的時(shí)鐘速率。這主要源于SDRAM具有更簡(jiǎn)捷的通信協(xié)議;所有指令、地址和數(shù)據(jù)都由一個(gè)單獨(dú)的時(shí)鐘信號(hào)控制并且工作在突發(fā)模式,可以在66MHz的時(shí)鐘頻率下突發(fā)一系列數(shù)據(jù)字。在1998年,SD RAM頻率已經(jīng)增長(zhǎng)到100MHz 的突發(fā)脈沖速率。

  在1999年,英特爾和AMD間的企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)升級(jí),在CPU時(shí)鐘速度方面也不例外。處理器行業(yè)的蓬勃發(fā)展進(jìn)一步加大了CPU時(shí)鐘速度與其它系統(tǒng)組件間的差距。在此期間,盡管存儲(chǔ)器總線速度已經(jīng)全力達(dá)到了133MHz,但卻仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于CPU所能完成的速度,因此,總的來(lái)說(shuō),這也成為提高整體應(yīng)用速度的瓶頸。

  為了解決這個(gè)問(wèn)題,DDR RAM(雙數(shù)據(jù)速率傳輸)的設(shè)計(jì)應(yīng)運(yùn)而生。DDR RAM允許分別在時(shí)鐘的上升沿和下降沿上提取數(shù)據(jù),從而加倍了時(shí)鐘的有效傳輸速率。例如,一個(gè)100MHz的DDR時(shí)鐘能夠達(dá)到相當(dāng)于200MHz時(shí)鐘頻率的峰值傳輸速率。這就是DDR1技術(shù),其速度可高達(dá)400MHz。
下一代DDR,即我們所說(shuō)的DDR2。DDR2技術(shù)將數(shù)據(jù)傳輸速率從400MHz提升到800MHz,數(shù)據(jù)總線為64位(8字節(jié))。它不能與前一代DDR1存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)物理兼容,這種二代存儲(chǔ)器現(xiàn)在已經(jīng)是由RAM存儲(chǔ)器廠商普遍生產(chǎn)的產(chǎn)品。

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