運(yùn)算放大器電路固有噪聲的分析與測量 第八部分：爆米花噪聲(一)

　　本文將討論如何測量并辨別爆米花噪聲；以及相對于1/f 及寬帶噪聲的幅度；還有對爆米花噪聲特別敏感的諸多應(yīng)用。

　　1/f 和寬帶噪聲的回顧

　　討論爆米花噪聲以前，對時(shí)域和寬帶及1/f噪聲的統(tǒng)計(jì)表示法進(jìn)行回顧是非常有幫助的。1/f 和寬帶噪聲均具有高斯分布的特點(diǎn)。此外，在一個(gè)特定設(shè)計(jì)中，這些噪聲類型都是一貫的并且是可以預(yù)見的。到目前為止，我們已經(jīng)從本文中了解了如何通過計(jì)算和仿真（圖 1－2）來預(yù)測噪聲級別。但是，這些方法均不能用于測量爆米花噪聲。

　　圖 8.1 寬帶噪聲——時(shí)域及柱狀圖
 

        
        圖 8.2 1/f 噪聲——時(shí)域及柱狀圖

　　何謂爆米花噪聲

　　爆米花噪聲是一種在雙極晶體管基極電流中的突然階躍或跳躍，或 FET 晶體管閾值電壓中的一種階躍。之所以將其稱為爆米花噪聲，是因?yàn)楫?dāng)通過揚(yáng)聲器播放出來時(shí)其聽起來類似爆米花的聲音。這種噪聲也被稱為猝發(fā)噪聲和隨機(jī)電報(bào)信號 (RTS)。爆米花噪聲出現(xiàn)在低頻率（通常為 f < 1kHz）下。每秒鐘可以發(fā)生數(shù)次猝發(fā)，在極少數(shù)情況下，可能數(shù)分鐘才發(fā)生。

　　圖 8.3 顯示了時(shí)域中的爆米花噪聲及其相關(guān)的統(tǒng)計(jì)分布情況。需要注意的是，噪聲級別的不同跳躍與分布峰值相對應(yīng)。很明顯，該分布情況與非高斯爆米花噪聲相關(guān)。實(shí)際上，本例中顯示的分布情況為三條放置于彼此頂部的高斯曲線（三模分布）。出現(xiàn)這種情況的原因是，本例中的爆米花噪聲具有三個(gè)離散電平。各猝發(fā)間的噪聲為寬帶和 1/f 噪聲的組合。因此，該噪聲由三個(gè)不同的 1/f 及寬帶噪聲高斯分布組成，而 1/f 及寬帶噪聲又被爆米花噪聲轉(zhuǎn)換為不同的電平。

        
　　圖 8.3爆米花噪聲時(shí)域及柱狀圖

　　爆米花噪聲的起因

　　人們認(rèn)為，爆米花噪聲是由電荷陷阱或半導(dǎo)體材料中的微小缺陷引起的。我們已經(jīng)知道重金屬原子污染是引起爆米花噪聲的原因。在失效分析時(shí)，專家通常會對具有較多爆米花噪聲的器件進(jìn)行仔細(xì)的檢查。失效分析將查找會引起爆米花噪聲的微小缺陷。圖 8.4 顯示了如何將一個(gè)正常晶體管與一個(gè)帶有晶體缺陷的晶體管進(jìn)行對比。

　　圖 8.4 正常晶體管與帶有晶體缺陷的晶體管的比較

　　這種問題的普遍程度如何？

　　爆米花噪聲與那些在半導(dǎo)體制造期間出現(xiàn)的問題有關(guān)系。對許多現(xiàn)代工藝而言，爆米花噪聲的出現(xiàn)相對要少一些。一般而言，爆米花噪聲取決于不同的“批次”，即一些批次沒有爆米花噪聲，而其他批次可能會有一點(diǎn)。一批特別差的半導(dǎo)體可能會有百分之五的器件具有爆米花噪聲。在許多情況下，我們都可以找出引起爆米花噪聲的制造技術(shù)問題。

　　爆米花噪聲——究竟是電流噪聲還是電壓噪聲？

　　在雙極晶體管中，爆米花噪聲以基極電流的一個(gè)階躍變化形式出現(xiàn)。因此，雙極運(yùn)算放大器爆米花噪聲通常表現(xiàn)為偏置電流噪聲。由于這一原因，雙極放大器中的爆米花噪聲可能僅在高源阻抗應(yīng)用中出現(xiàn)。

　　在具有 JFET 輸入放大器的雙極運(yùn)算放大器中，偏置電流噪聲通常不是個(gè)問題。在一些情況下，一個(gè)內(nèi)部級雙極晶體管將會產(chǎn)生爆米花噪聲。這種爆米花噪聲表現(xiàn)為電壓噪聲。

　　一般而言，MOSFET 放大器往往不總是產(chǎn)生爆米花噪聲。MOSFET 晶體管中的爆米花噪聲表現(xiàn)為閾值電壓的一個(gè)階躍。在運(yùn)算放大器中，其將表現(xiàn)為電壓噪聲。

　　電壓爆米花噪聲的試驗(yàn)臺測試及生產(chǎn)測試

　　在本文中，我們將討論如何實(shí)施爆米花噪聲的試驗(yàn)臺測試和生產(chǎn)測試。試驗(yàn)臺測試是小批量樣片器件測試工程實(shí)驗(yàn)室中的一種測試方法。生產(chǎn)測試是使用自動化測試設(shè)備對大批量器件進(jìn)行測試的一種測試方法。這兩種測試方法之間的主要不同之處在于生產(chǎn)測試需要的測試時(shí)間較短（通常為 t ≤ 1 秒）。生產(chǎn)測試時(shí)間需要較短的時(shí)間是因?yàn)樯a(chǎn)測試時(shí)間成本非常高昂。在許多情況下，測試成本與半導(dǎo)體裸片的成本相當(dāng)。

　　圖 8.5 顯示了測量一款運(yùn)算放大器 (U1) 電壓爆米花噪聲的試驗(yàn)臺設(shè)置。需要注意的是，該放大器的非反相輸入被接地，因此該放大器的噪聲及 DC 輸出為增益乘以偏移，該噪聲進(jìn)而被 U2 放大。請注意，U1 和 U2 的增益均被設(shè)定為 100，即總增益為 100x100 = 10,000。這是一個(gè)典型的爆米花噪聲測量增益設(shè)置；但是，您可能會需要對這一設(shè)置進(jìn)行調(diào)整，以適用于您的應(yīng)用。

　　U2 輸出端的低通濾波器將帶寬限制在 100Hz。該濾波器消除了較高頻率噪聲，并顯示出爆米花噪聲（如果沒有出現(xiàn)爆米花噪聲則為 1/f 噪聲）。根據(jù)具體應(yīng)用，可以在 10Hz 到 1000Hz 的范圍內(nèi)，對這種濾波器進(jìn)行調(diào)節(jié)。一個(gè) 10Hz 低通濾波器具有一些衰減 60Hz 拾取的優(yōu)點(diǎn)。但是，其也有模糊一些高頻率猝發(fā)的缺點(diǎn)。一個(gè) 1000Hz 低通濾波器將捕獲高頻率猝發(fā)，但同時(shí)也開始含有極大的寬帶噪聲。100Hz 濾波器是一款介于 10Hz 和 1000Hz 濾波器的折中方案。但是，您可能想通過做實(shí)驗(yàn)來觀察使用哪一種可以獲得測量的最佳結(jié)果。

　　圖 8.5 測量運(yùn)算放大器電壓爆米花噪聲的試驗(yàn)臺測試

　　U2 之后是一個(gè) 0.003Hz 的 HPF。該濾波器是使用一個(gè)陶瓷電容器和示波器輸入阻抗構(gòu)建而成的。需要注意的是，并聯(lián)的數(shù)個(gè)小陶瓷電容器可用于構(gòu)建大陶瓷電容器（例如：4 x 5uF）。該高通濾波器用于消除 DC 偏移，這種偏移將可能會比測量出的噪聲大得多。使用這種濾波器將允許使用最佳示波器范圍測量出噪聲信號。在本例中，DC 輸出偏移大約為 2V，該噪聲擁有一個(gè) 340mVpp 的幅度。0.003Hz HPF 不但去除了 2V DC 組件，而且還允許您在 200mV 示波器刻度上觀察 340mVpp 信號。

　　利用輸入偏移并將其與總增益相乘，您就可以輕松地估計(jì)出可能的輸出偏移。圖 8.6 顯示了這種計(jì)算方法。需要注意的是，該輸出偏移沒有將運(yùn)算放大器驅(qū)動至電源軌（本例為 +/-15V）。如果輸出偏移接近電源軌，那么您將有必要減少增益或 U1 和 U2 之間的 AC 耦合。還需要注意的是，當(dāng)該電路首次被上電時(shí)，將需要對濾波器電容 C2 充電至輸出偏移電壓，這樣將需要大量的時(shí)間（大約為 5 分鐘）。圖 8.6 還給出了充電時(shí)間的計(jì)算方法。
 

       
　　圖 8.6 運(yùn)算放大器電壓爆米花噪聲試驗(yàn)臺測試的相關(guān)計(jì)算

　　圖 8.7 顯示了測量運(yùn)算放大器 (U1) 電壓爆米花噪聲的生產(chǎn)設(shè)置。試驗(yàn)臺測試設(shè)置和生產(chǎn)測試設(shè)置之間的主要區(qū)別在于生產(chǎn)測試中采用了數(shù)字濾波器。數(shù)字濾波器使用數(shù)學(xué)方法來過濾數(shù)字化數(shù)據(jù)。因此，這些數(shù)字濾波器不具備模擬濾波器的長充電時(shí)間。這樣就保持了較短的測試時(shí)間（也即低了成本）。在本例中，該測試設(shè)備使用一個(gè)可編程增益放大器 (PGA) 來將噪聲放大到一個(gè)容易測量的級別?；?DAC 可以被用于消除輸出偏移。該最終測試方法是許多生產(chǎn)測試系統(tǒng)的典型方法。但是，這些方法將隨系統(tǒng)的不同而各異。

　　圖 8.7 測量電壓爆米花噪聲的生產(chǎn)設(shè)置