HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管

　　HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管 HVVi半導(dǎo)體推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管（HVVFET?），HVVi的新構(gòu)架為雷達(dá)和航空電子應(yīng)用提供頻帶、電壓以及功率級(jí)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了目前的雙極性和LDMOS技術(shù)的性能。這一具有革命性新的正在申請(qǐng)專利的技術(shù)使得HVVi達(dá)到了可與非硅芯片技術(shù)的性能級(jí)別，而其成本水平卻極具吸引力。

　　作為初始發(fā)布的一部分，HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構(gòu)架的最早三款產(chǎn)品。用于L-波段高功率脈沖RF應(yīng)用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三個(gè)新產(chǎn)品發(fā)揮了HVVFET工藝固有的優(yōu)勢(shì)，以及其緊湊的封裝提供高輸出功率和高增益，三款器件工作電壓均為48V。

　　主要系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

　　HVVi的新產(chǎn)品可以為雷達(dá)和航空電子系統(tǒng)節(jié)約30%的功耗，增益增加100%，耐用性增加了十倍，因此其性能具有顯著的優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)點(diǎn)直接反映到較低的工作成本以及支持新應(yīng)用的能力。此外，該技術(shù)較低的熱阻抗以及較高的耐用性增加了可靠性，改善了MTBF。

　　從系統(tǒng)角度來看，HVVFET關(guān)于增益、效率、功率密度的性能優(yōu)點(diǎn)使設(shè)計(jì)者可以消除放大進(jìn)程，不需功放（PA），降低了器件數(shù)，并減小了PCB空間需求。同事，該技術(shù)更高的耐用性使得雷達(dá)與航空器件設(shè)計(jì)者不需使用體積大而昂貴的隔離器，顯著的降低了系統(tǒng)重量、尺寸和成本。 HVVFET晶圓工藝還具有可擴(kuò)展性極大優(yōu)點(diǎn)，通過簡(jiǎn)單的增加晶圓尺寸，在相同的布局與設(shè)計(jì)情況下其性能支持較高的功率級(jí)，從而可支持廣泛的應(yīng)用。設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)化還使公司可以在很短的90天內(nèi)推出新產(chǎn)品。

　　用于航空電子的高性能

　　日前推出的三款期間定位于商用和軍用航空電子及地基雷達(dá)系統(tǒng)，所有產(chǎn)品工作電壓都在24V到48V。對(duì)于1030-1090MHz的L-波段脈沖應(yīng)用，HVV1011-300工作在48V，當(dāng)工作在50 ?s脈沖寬度周期為1 ms脈沖信號(hào)情況下，提供大于300W的脈沖輸出功率，15dB的增益及48%的效率。HVVFET構(gòu)架中使用的垂直器件結(jié)構(gòu)確保了高可靠性和耐用性，在全功率輸出所有的相角可承受20：1的VSWR。

　　價(jià)格與供貨

　　目前可提供評(píng)估套件以及小批量。HVV1214-025封裝為新穎的SMT，數(shù)量為1-24個(gè)時(shí)$135.69。HVV1214-100和HVV1011-300為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的法蘭盤封裝。數(shù)量為1-24個(gè)時(shí)，HVV1214-100售價(jià)$226.15，HVV1011-3004售價(jià)$398.31。2008年第三季度開始量產(chǎn)。 詳情見：http://www.hvvi.com/news.html