Spansion開發(fā)Spansion EcoRAM全新存儲(chǔ)產(chǎn)品
Spansion宣布開發(fā)稱作Spansion EcoRAM的全新存儲(chǔ)產(chǎn)品計(jì)劃,旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中極其耗能的DRAM,來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機(jī)。配合同時(shí)宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術(shù),Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的能耗大幅下降75%,而且在同樣的能耗條件下,存儲(chǔ)容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務(wù)器的四倍。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/85060.htm數(shù)據(jù)中心能源危機(jī)
能效專家及斯坦福大學(xué)顧問教授Jonathan Koomey博士最近的報(bào)告指出,數(shù)據(jù)中心是個(gè)能耗大戶,而且耗電量仍在急劇增長(zhǎng)。2000至2005年間,數(shù)據(jù)中心的能耗翻了一番,從每年710億千瓦(kWh/yr)上升到超過1500億千瓦(kWh/yr),其中美國(guó)和歐洲約占總量的2/3。若這一趨勢(shì)持續(xù)下去,數(shù)據(jù)中心用電量將會(huì)繼續(xù)快速增長(zhǎng),而且亞洲的增長(zhǎng)速度要超過世界其他地區(qū)。
Spansion EcoRAM較其他存儲(chǔ)器產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)
互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器通過采用雙列直插內(nèi)存模塊(Dual-in-line Memory Modules)式DRAM實(shí)現(xiàn)虛擬即時(shí)讀取數(shù)據(jù)。另外這些系統(tǒng)還利用傳統(tǒng)的硬盤進(jìn)行深度內(nèi)容存儲(chǔ),例如低等級(jí)的信息查找。DRAM可提供快速數(shù)據(jù)存取,但能耗極大。除此之外,由于DIMM的電能限制以及有限的DIMM插槽,單個(gè)服務(wù)器中的DRAM數(shù)量也受限制,于是就要求IT管理人員增加數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器總數(shù),以滿足不斷急劇增長(zhǎng)的即時(shí)讀取數(shù)據(jù)、同時(shí)擴(kuò)增容量的需求。 由于要求通過高性能隨機(jī)讀取實(shí)現(xiàn)虛擬即時(shí)數(shù)據(jù)讀取,互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器無法使用隨機(jī)讀取性能僅為DRAM 1/800th的NAND閃存。硬盤驅(qū)動(dòng)器,甚至是固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(SSD),都不支持所需的隨機(jī)讀取性能。
一般來說,傳統(tǒng)的NOR閃存仍在不斷超越DRAM,制程節(jié)點(diǎn)更小,能耗也更低,但寫入性能和容量比要求的更低。
Spansion EcoRAM優(yōu)于目前可用的各種存儲(chǔ)產(chǎn)品,對(duì)數(shù)據(jù)中心解決方案應(yīng)用具有以下明顯的潛在優(yōu)勢(shì):
讀取性能符合快速隨機(jī)存取的要求
能耗只有DRAM的1/8
可靠性是DRAM的10倍
裸片容量比傳統(tǒng)的浮動(dòng)門NOR高兩至四倍
寫入性能比傳統(tǒng)的NOR閃存快兩至十倍
Spansion EcoRAM的功耗遠(yuǎn)小于DRAM,并充分利用了MirrorBit Eclipse架構(gòu)提供的快速讀寫性能,從而使單個(gè)DIMM存儲(chǔ)量飆升至原來的八倍,IT 經(jīng)理因而有可能僅用一臺(tái)基于Spansion EcoRAM的服務(wù)器來取代四臺(tái)基于DRAM的傳統(tǒng)服務(wù)器。2007 年 4 月,Spansion宣布推出MirrorBit Eclipse架構(gòu)。該架構(gòu)將MirrorBit NOR和ORNAND集成于一個(gè)裸片上,經(jīng)特別設(shè)計(jì),擁有針對(duì)此類應(yīng)用的高讀寫性能、高容量。
憑借Spansion EcoRAM及Virident GreenGateway,Spansion與Virident找到了對(duì)存儲(chǔ)子系統(tǒng)進(jìn)行重新架構(gòu)的方法,因而它與現(xiàn)有服務(wù)器設(shè)計(jì)完全兼容。實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),主要利用了標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)DIMM模塊,同時(shí)對(duì)平臺(tái)進(jìn)行了小小的改進(jìn)。完整解決方案將幫助IT互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心經(jīng)理突破單一DRAM服務(wù)器的限制,在不增加功耗的同時(shí),將數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)量提升至原有的四倍,從而向互聯(lián)網(wǎng)用戶獻(xiàn)上更出色的性能、更豐富多彩的體驗(yàn)。
評(píng)論