瑞薩發(fā)布雙類型功率MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）近日宣布，推出適用于筆記本電腦及通信設(shè)備等產(chǎn)品的存儲(chǔ)器或ASIC同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器的RJK0383DPA。該器件集成雙類型功率MOSFET，可以實(shí)現(xiàn)更高的電源效率。據(jù)悉，此器件樣品將于在2008年10月在日本開(kāi)始供應(yīng)。

　　RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET，構(gòu)成了一個(gè)采用WPAK『注1』（瑞薩封裝代碼）高熱輻射封裝的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器，其面積為5.1×6.1 mm，厚度為0.8 mm（最大）。

　　RJK0383DPA的功能概括如下：

　?。?）先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)了91.6%的高效電源效率。

　　RJK0383DPA采用先進(jìn)的第十代功率MOSFET，實(shí)現(xiàn)了更高的電源效率。例如當(dāng)把12V輸入轉(zhuǎn)換成為1.1V輸出時(shí)，電源效率為91.6%（在600 kHz開(kāi)關(guān)頻率條件下），這是業(yè)界最高的效率。功率MOSFET處理的電源輸出電流比瑞薩早期的雙類型功率產(chǎn)品增加了一倍。

　?。?）通過(guò)將之前配置雙封裝功率MOSFET的芯片的安裝面積減少一半，實(shí)現(xiàn)更為精巧的電源設(shè)計(jì)和安裝密度。

　　通過(guò)實(shí)現(xiàn)更高的電源效率，RJK0383DPA將配置雙封裝功率MOSFET的芯片安裝面積減少了大約一半，從而實(shí)現(xiàn)了更加小巧的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器和更高的安裝密度。RJK0383DPA在緊湊型移動(dòng)設(shè)備的應(yīng)用上顯得尤為有效。
據(jù)悉，RJK0383DPA的后續(xù)產(chǎn)品將是采用不同額定輸出電流的兩款新品——RJK0384DPA和RJK0389DPA，樣品預(yù)計(jì)將于2008年10月在日本交付。

產(chǎn)品背景

　　典型的通信設(shè)備，便攜式PC、圖形卡等信息設(shè)備，以及存儲(chǔ)器、ASIC、圖形處理單元（GPU）等元器件都使用不同的電源電壓，需要使用多個(gè)同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器。此外，最近幾年由于更多功能和性能以及數(shù)據(jù)處理量的增加，獨(dú)立的微處理芯片的功耗也在不斷增加。這對(duì)具有更低電壓和更高電流規(guī)格的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器提出了更高要求，當(dāng)一個(gè)系統(tǒng)中使用的功率MOSFET數(shù)量增加時(shí)問(wèn)題便會(huì)出現(xiàn)。

　　為了滿足這些要求，瑞薩提高了其功率MOSFET產(chǎn)品的性能，并改進(jìn)了封裝配置。通過(guò)采用雙封裝配置提高了同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器的電源效率，在沒(méi)有增加功率MOSFET數(shù)量的基礎(chǔ)上增強(qiáng)了電源輸出電流。此外，瑞薩還開(kāi)發(fā)和批量生產(chǎn)了在一個(gè)封裝中集成兩個(gè)功率MOSFET的雙類型產(chǎn)品，進(jìn)而減少了安裝面積。不過(guò)，由于散熱問(wèn)題，雙類型功率MOSFET產(chǎn)品的電源效率不像雙封裝功率MOSFET配置那樣好，而且電流輸出較低。很明顯，市場(chǎng)需要一種具有改善電源效率的雙類型功率MOSFET產(chǎn)品，來(lái)滿足移動(dòng)設(shè)備的小型化需求。

　　新型RJK0383DPA是采用先進(jìn)的第十代低損耗工藝制造的雙類型功率MOSFET，與瑞薩較早的雙類型產(chǎn)品相比，它可以實(shí)現(xiàn)高出大約7%的電源效率。

產(chǎn)品細(xì)節(jié)

　　RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET，一個(gè)作為高側(cè)單元，另一個(gè)是低側(cè)單元『注2』。高側(cè)功率MOSFET具有1.5 nC（VDD=10V時(shí)）的漏-柵負(fù)載（Qgd），可以實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)速度和更高的效率。低側(cè)功率MOSFET具有3.7 mΩ（典型值：4.5 V）的低導(dǎo)通電阻『注3』（RDS（on）），可以降低功率損耗。

　　此外，低側(cè)功率MOSFET還在同一個(gè)芯片上集成了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），以盡量降低彼此之間的布線電感『注4』，這就加快了DC/DC轉(zhuǎn)換器死區(qū)時(shí)間流到肖特基勢(shì)壘二極管的電流開(kāi)關(guān)速度，從而進(jìn)一步降低了損耗。它還可以有效地抑制開(kāi)關(guān)期間的電壓尖峰，進(jìn)而減少噪聲。

　　用于制造RJK0383DPA的第十代工藝可以實(shí)現(xiàn)比此前的第九代工藝更低的損耗和更高的效率。該器件的導(dǎo)通電阻約為30%以下，而柵電荷電容（Qg）和漏-柵負(fù)載（Qgd）的不同特性大約分別為27%和30%，兩者都與較早的功率MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻相當(dāng)。

　　RJK0383DPA的后續(xù)產(chǎn)品是兩款不同額定輸出電流產(chǎn)品-RJK0384DPA和RJK0389DPA，未來(lái)適用于其他DC/DC轉(zhuǎn)換器電源指標(biāo)的更多產(chǎn)品將加入該系列當(dāng)中，以滿足各種市場(chǎng)需求。

典型應(yīng)用

　　用于筆記本電腦、圖形卡、服務(wù)器和通信設(shè)備的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器。