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TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

—— 新型線性穩(wěn)壓器可滿足 DDR3 低功耗模式存儲(chǔ)器端接的電源管理要求
作者: 時(shí)間:2008-08-06 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  日前,德州儀器 () 宣布推出一款可滿足 、2、 3 與 DDR4 等各種低功耗終端電源管理要求的汲極/源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端 TPS51200。該簡便易用的新型的陶瓷輸出電容僅為 20 μF,比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣,設(shè)計(jì)人員可利用該器件實(shí)現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 終端解決方案,以滿足數(shù)字電視、機(jī)頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺(tái)式機(jī)電腦等現(xiàn)代大容量電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費(fèi)類電子產(chǎn)品的需求。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/86673.htm

  高寬帶內(nèi)部跨導(dǎo),Gm放大器與積分動(dòng)態(tài)電壓定位均可支持超快瞬態(tài)響應(yīng),而且外部輸出電容極小。在負(fù)載變動(dòng)幅度為 -1.5A ~+1.5A的典型應(yīng)用中,輸出電壓偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V~ 3.5V的偏置電壓下工作,這使它在系統(tǒng)僅有2.5V或3.3V電軌的條件下極具競爭力。此外,在RAM暫停工作時(shí),該器件還支持S3 睡眠狀態(tài)控制。

  TPS51200 也可用作輸入電壓范圍為 1.1V~3.5 V 的通用高性能低降壓 (LDO) 。當(dāng)啟用引腳連接至系統(tǒng)總線電壓時(shí),該器件支持跟蹤啟動(dòng)與斷電功能,這使設(shè)計(jì)人員可以輕松實(shí)施多軌系統(tǒng)電壓排序,從而簡化設(shè)計(jì)流程。

  TPS51200 的推出進(jìn)一步增強(qiáng)了 豐富的 DDR 存儲(chǔ)器電源解決方案系列,其中包括支持TPS51100 DDR 終端穩(wěn)壓器,集成汲極/源極 LDO 的 TPS51116 DDR 電源轉(zhuǎn)換開關(guān)以及支持 DDR 終端的 TPS40042 低電壓跟蹤開關(guān)穩(wěn)壓器。TPS51200 還進(jìn)一步豐富了 面向存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)非常廣泛的 DDR、DDR2 與 DDR3 鎖相環(huán) (PLL) 以及 LDO 產(chǎn)品,其中包括 SN74SSQE32882,作為支持寄存式雙列直插式存儲(chǔ)器模塊的 PLL 集成式 DDR3 寄存器,現(xiàn)已全面投入量產(chǎn)。
 
  供貨情況
  采用散熱性能增強(qiáng)型 SON-10 PowerPADTM集成電路封裝的 TPS51200 產(chǎn)品現(xiàn)已批量上市,可通過 TI 及其授權(quán)分銷商訂購。





關(guān)鍵詞: TI 穩(wěn)壓器 存儲(chǔ)器 DDR

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