新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 站在十字路口的DRAM買方和賣方,何去何從?

站在十字路口的DRAM買方和賣方,何去何從?

——
作者:Brian Dipert 時(shí)間:2005-09-21 來源:EDN電子設(shè)計(jì)技術(shù) 收藏

站在十字路口的DRAM買方和賣方,何去何從?

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/8745.htm

DRAM供應(yīng)商希望有朝一日一種產(chǎn)品大小規(guī)格能適應(yīng)所有的應(yīng)用要求,但各種各樣的設(shè)備要求則與之相差甚遠(yuǎn)。DRAM用戶也許更喜歡定制的芯片,但價(jià)格會(huì)格外昂貴。雙方會(huì)在保持原則的同時(shí)作出足夠的讓步以達(dá)成順利的交易么?

三年前,在《EDN》雜志的封面特寫欄目上曾詳細(xì)地介紹過DRAM技術(shù)。如今,三年過去了,DRAM技術(shù)在某些方面已經(jīng)發(fā)生了根本性的變化,而在某些方面卻幾乎依然如故(參考文獻(xiàn)1)。在直接式 RDRAM 與 DDR SDRAM 爭(zhēng)奪未來個(gè)人電腦(PC)的主的競(jìng)爭(zhēng)中,業(yè)界已經(jīng)基本上作出了有利于 JEDEC 支持的DDR SDRAM的裁決。英特爾公司已經(jīng)向 Rambus 公司認(rèn)輸--或者至少是英特爾公司現(xiàn)在這么說--因?yàn)樵谄湫酒M開發(fā)道路圖上只有 DDR SDRAM。長(zhǎng)期被吹捧的 DR-II 技術(shù)來得太晚,迫使PC行業(yè)采用速度為 400 Mbps/引腳的 DDR-I 器件,而先前人們只把它當(dāng)作一種小批量的短命產(chǎn)品。具有諷刺意義的是,制定產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)構(gòu)行動(dòng)遲緩,是促使英特爾公司首先與Rambus 公司結(jié)成合作伙伴關(guān)系的關(guān)鍵因素。與此同時(shí),Rambus 公司與其最新的芯核邏輯電路合作伙伴 SiS 公司一道,繼續(xù)不屈不撓地奮斗,支持高端PC定會(huì)成功的觀點(diǎn)。
  密度的顆粒度問題一直困擾非PC主的應(yīng)用,而現(xiàn)在這個(gè)問題也波及到PC。近來,市場(chǎng)已經(jīng)從基于 DOS 的操作系統(tǒng)過渡到基于 Windows NT 的操作系統(tǒng),即從 Windows 98 和 Windows ME 過渡到 Windows 2000 和 Windows XP,這導(dǎo)致基本系統(tǒng)存儲(chǔ)器的密度得到適度增大,但是,由于缺乏大量使用存儲(chǔ)器的設(shè)備,這一趨勢(shì)沒能進(jìn)一步發(fā)展(圖1)。人們需要日益提高的系統(tǒng)性能并為滿足這些需要而生產(chǎn)更寬的系統(tǒng)總線,這些都使顆粒度問題更為突出,并正在迫使 DRAM 供應(yīng)商開發(fā)他們長(zhǎng)期抵制的32位接口存儲(chǔ)器。


圖1  DRAM密度轉(zhuǎn)移逐年減慢,以及中等密度的128 Mb/80512Mb器件的興起,將給陷入式DRAM供應(yīng)商帶來困難。
  受到應(yīng)用制約的密度增長(zhǎng)極限,一直令人沮喪的財(cái)務(wù)狀況,以及伴隨而來的研發(fā)和基礎(chǔ)設(shè)施方面投資的匱乏,使得 DRAM 制造商落后于符合摩爾定律的晶體管集成度發(fā)展趨勢(shì)的其他公司。(一直承諾的1Gb DRAM在何處?)如果說成本是唯一芯片標(biāo)準(zhǔn),那么低價(jià)格就是好消息。但是,一只 DRAM 之"鞋"再也不適合每一只應(yīng)用之"腳"。如果某個(gè) DRAM 制造商正在開發(fā)一種針對(duì)成本進(jìn)行優(yōu)化的器件,則該制造商就會(huì)選擇體積小而速度慢的陣列晶體管和盡量少的陣列存儲(chǔ)體,并會(huì)為芯片規(guī)定保守的電壓、電流、交流計(jì)時(shí)和其他參數(shù),以確保獲得最大的生產(chǎn)收益。
  你需要的芯片是要具有快速突發(fā)傳輸性能,還是要具有持續(xù)傳輸性能,或是兩者兼而有之呢?于是,制造商需要采用體積更大功耗更大的晶體管、讀出放大器和其他電路;需要將陣列細(xì)分為多個(gè)存儲(chǔ)體以便能進(jìn)行重合運(yùn)算;需要利用很寬的內(nèi)部總線;并可能需要包括嵌入式 SRAM 高速緩存器。如果你的主要側(cè)重點(diǎn)是低功耗,那又會(huì)怎樣呢?制造商又會(huì)將陣列細(xì)分成許多存儲(chǔ)體--在本例中,是為了更精細(xì)地控制存儲(chǔ)晶體管、讀出放大器以及其他電路的工作方式和備用方式。但是,在大多數(shù)其他方面,該芯片是與性能優(yōu)化的同類芯片大不相同的,其主要側(cè)重點(diǎn)是很小的開關(guān)電流和漏電流,而不是高速度。
  如果你的應(yīng)用需要某項(xiàng)特殊功能,如少數(shù)專為圖像應(yīng)用定制的存儲(chǔ)器仍然采用的按位寫入和按塊寫入方式,那又會(huì)怎樣呢?Nvidia 公司的總設(shè)計(jì)師約翰



關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)器

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉