半導(dǎo)體業(yè)界將推出450mm晶圓標(biāo)準(zhǔn)

　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料協(xié)會(huì)(SEMI)將于11月10-13日召開(kāi)會(huì)議，聯(lián)合業(yè)界廠商確定下一代450mm硅晶圓的標(biāo)準(zhǔn)。

　　在經(jīng)過(guò)幾輪爭(zhēng)議之后，芯片制造協(xié)會(huì)Sematech和集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本確定了所謂的“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”，將450mm硅晶圓的厚度設(shè)定在925±25微米，也就是略大于0.9毫米。相比之下，目前的300mm晶圓厚度只有775微米。

　　下個(gè)月，半導(dǎo)體業(yè)界將爭(zhēng)取指定450mm晶圓的“測(cè)試晶圓厚度”標(biāo)準(zhǔn)。

　　另外Sematech宣布將于2010年前推出32nm工藝的450mm晶圓的演示試用設(shè)備，2012年推出試水線并升級(jí)到22nm工藝，但沒(méi)有透露具體何時(shí)投產(chǎn)。根據(jù)此前消息，Intel、臺(tái)積電、三星計(jì)劃在2012年前后完成450mm晶圓廠原型。