Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET? Gen III 功率 MOSFET 刷新了業(yè)界最佳導通電阻記錄

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。

SiR476DP 在 4.5V 柵極驅動時最大導通電阻為 2.1m?，在 10V 柵極驅動時最大導通電阻為 1.7m?。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中針對 MOSFET 的關鍵優(yōu)值 (FOM)，在 4.5V 時為 89.25nC。

　　與為實現(xiàn)低導通損失及低開關損失而優(yōu)化的最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在 4.5V 及 10V 時導通電阻分別低 32% 與 15%，F(xiàn)OM 低 42%。更低的導通電阻及柵極電荷可轉變成更低的傳導損失及開關損失。

　　Siliconix SiR476DP 將在同步降壓轉換器以及二級同步整流及 OR-ing 應用中作為低端 MOSFET。其低導通及低開關損失將使穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務器及使用負載點 (POL) 功率轉換的眾多系統(tǒng)實現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設計。

　　Vishay 還推出了新型 25V SiR892DP 及 SiR850DP n 通道 MOSFET。這些器件在 4.5V 時提供了 4.2m? 與 9m? 的導通電阻，在 10V 時為 3.2m? 及 7m?，典型柵極電荷為 20nC 及 8.4nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝類型。這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS，因此符合有關消除有害物質的國際法規(guī)要求。

　　目前，SiR476DP、SiR892DP 及 SiR850DP 的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
【可從以下網址下載高分辯率圖像 (<500K)：http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=433】

　　VISHAY SILICONIX簡介

　　Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業(yè)內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。

　　創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。

　　Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。