Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET? Gen III 功率 MOSFET 刷新了業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻記錄

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

SiR476DP 在 4.5V 柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為 2.1m?，在 10V 柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為 1.7m?。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM)，在 4.5V 時為 89.25nC。

　　與為實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開關(guān)損失而優(yōu)化的最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在 4.5V 及 10V 時導(dǎo)通電阻分別低 32% 與 15%，F(xiàn)OM 低 42%。更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及開關(guān)損失。

　　Siliconix SiR476DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中作為低端 MOSFET。其低導(dǎo)通及低開關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計。

　　Vishay 還推出了新型 25V SiR892DP 及 SiR850DP n 通道 MOSFET。這些器件在 4.5V 時提供了 4.2m? 與 9m? 的導(dǎo)通電阻，在 10V 時為 3.2m? 及 7m?，典型柵極電荷為 20nC 及 8.4nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝類型。這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。

　　目前，SiR476DP、SiR892DP 及 SiR850DP 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
【可從以下網(wǎng)址下載高分辯率圖像 (<500K)：http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=433】

　　VISHAY SILICONIX簡介

　　Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機(jī)磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。

　　創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設(shè)計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù)，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。

　　Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。