帶有旁通性能1SEG用寬帶低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1129MD7現(xiàn)開(kāi)始發(fā)放樣品
新日本無(wú)線已開(kāi)發(fā)完成了最適用于1SEG信號(hào)用調(diào)諧器模塊的寬帶低噪聲放大器(下稱LNA)GaAs MMIC NJG1129MD7,現(xiàn)開(kāi)始樣品供貨。
近年來(lái),手機(jī)和車(chē)載導(dǎo)航等能接收1SEG信號(hào)產(chǎn)品在不斷地增加,因終端接收信號(hào)靈敏度不足,故具有高增益/高線性/低噪聲的高性能LNA是市場(chǎng)需要。新日本無(wú)線為滿足這種市場(chǎng)需求,開(kāi)發(fā)了NJG1134HA8(08年3月27日發(fā)表)。NJG1129MD7就是為了滿足市場(chǎng)所求的更高靈敏度,所開(kāi)發(fā)了1SEG用寬帶LNA GaAs MMIC。
該產(chǎn)品是可支持470~770MHz寬頻帶的LNA,采用W-CDMA用LNA的設(shè)計(jì)技術(shù),增益可達(dá)到15dB typ.(@ f=470~770MHz)(而NJG1134HA8:10dB typ.(@ f=470~770MHz))
并且該產(chǎn)品用GaAs HEMT程序,實(shí)現(xiàn)了高線性(P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.)和低噪聲(NF=1.4dB typ.)。
另外,為防止離廣播電臺(tái)較近地區(qū)等強(qiáng)磁場(chǎng)輸入時(shí)所導(dǎo)致的放大器失真,設(shè)有不經(jīng)過(guò)內(nèi)置LNA的旁通模式(Low gain模式),實(shí)現(xiàn)了低失真(P-1dB(IN)=+12.0dBm IP3=+20.0dBm typ.)
配備高增益和旁通模式,可以穩(wěn)定地接受信號(hào)的NJG1129MD7是最適用于手機(jī)和車(chē)載等配有1SEG調(diào)諧器模塊機(jī)器。
NJG1129MD7具以下特性,最適于內(nèi)置1SEG接收器的小型便攜式終端。
- 通過(guò)旁通性能,在強(qiáng)磁場(chǎng)下也能接受穩(wěn)定信號(hào)。
- 具有低噪聲(NF=1.4dBtyp.)特性,有助于提高接受信號(hào)的靈敏度。
- 用GaAs HEMT程序,達(dá)到了高線性(P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.)
- 內(nèi)置ESD保護(hù)元件,對(duì)ESD具有高耐壓特性。
產(chǎn)品開(kāi)發(fā)一覽
產(chǎn)品名 |
性能 |
應(yīng)用 |
封裝 |
NJG1129MD7 |
帶有旁通性能 |
手機(jī),PND,車(chē)載導(dǎo)航,車(chē)載AV等 |
EQFN14-D7 |
產(chǎn)品性能及特點(diǎn)概要
? 寬帶: 470~770MHz
? 工作電壓: 2.8V typ.
? 小型封裝: EQFN14-D7(Package size:1.6mm×1.6mm×0.397mm typ.)
? 內(nèi)置ESD保護(hù)元件
【High gain模式】
? 低消耗電流: 5.0mA typ.
? 低切換電流: 5μA typ.
? 增益: 15dB typ.@ f=470~770MHz
? 低噪聲: 1.4dB typ.@ f=470~770MHz
? 高輸入P-1dB(IN): -6.0dBm typ.@ f=470~770MHz
? 高輸入IP3: +1.0 dBm typ.@ f1=470~770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-25dBm
【Low gain模式】
? 低消耗電流: 16μA typ.
? 增益: -4dB typ.@ f=470~770MHz
? 高輸入P-1dB(IN): +12.0 dBm typ.@ f=470~770MHz
? 高輸入IP3: +20.0 dBm typ.@ f1=470~770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-12dBm
生產(chǎn)計(jì)劃/樣品價(jià)格
新日本無(wú)線從2008年12月開(kāi)始發(fā)放NJG1129MD7樣品,預(yù)計(jì)從2009年1月投產(chǎn)后月產(chǎn)50萬(wàn)個(gè)。樣品價(jià)格為100日元。
評(píng)論