三星計(jì)劃削減DRAM芯片產(chǎn)量 提高報(bào)價(jià)

　　1月2日消息，由于三星電子減少了供應(yīng)量，12月后半月部分型號(hào)NAND閃存芯片合同價(jià)出現(xiàn)了大漲上漲。據(jù)業(yè)界人士稱，三星電子計(jì)劃提高DRAM芯片報(bào)價(jià)，并減少供應(yīng)量。

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，消息人士稱，一般而言，DRAM芯片廠商寄希望于減少供應(yīng)量，而非終端市場(chǎng)上需求的增長(zhǎng)推動(dòng)價(jià)格的上漲。目前DRAM芯片需求仍然低迷。除了三星電子外，我國(guó)臺(tái)灣省DRAM芯片廠商產(chǎn)量的減少也將刺激未來(lái)數(shù)月內(nèi)DRAM芯片的價(jià)格，DRAM芯片廠商希望1Gb DDR2芯片的價(jià)格能夠反彈至1美元。

　　力晶半導(dǎo)體已經(jīng)將12月產(chǎn)量降低了25%，至不足10萬(wàn)片晶圓片。茂德科技已經(jīng)將月產(chǎn)量降低了30%，華亞半導(dǎo)體將月產(chǎn)量降低了20%。