Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動DRAM

　　韓聯(lián)社4月27日電稱，Hynix(海力士)半導體成功研發(fā)采用54納米技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態(tài)隨機存儲器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示，該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動DRAM，在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。

　　據(jù)介紹，該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現(xiàn)有的1.8伏移動DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著，1秒內(nèi)下載5、6部普通長度的電影成為可能，堪稱世界最高水平的數(shù)據(jù)傳輸速度。

　　韓聯(lián)社表示，該產(chǎn)品待機耗電量低，又具有很高的速度，適合超移動電腦(UMPC)、便攜式媒體播放器(PMP)、手機等移動互聯(lián)網(wǎng)設備、上網(wǎng)筆記本電腦、高性能智能手機等，還可提供符合相關(guān)產(chǎn)品的”單芯片解決方案”功能。

　　Hynix計劃今年第三季度開始生產(chǎn)新產(chǎn)品，明年初推出40納米級LPDDR2產(chǎn)品，并在明年將其在移動LPDDR2市場的份額擴大30%以上。

　　目前Hynix半導體是世界第二大DRAM制造商。