DRAM芯片發(fā)明人登納德將獲IEEE榮譽(yù)勛章

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)科技巨頭IBM的研究人員、DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德(Robert Dennard )將于下周四獲得美國(guó)電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)頒發(fā)的榮譽(yù)勛章。

　　DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德

　　與“摩爾定律”(Moore's Law)提出者、英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)相比，今年76歲的登納德并不太為全球公眾所熟悉。但在全球技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域，摩爾和登納德兩人都是備受尊敬的杰出科學(xué)家。登納德已在IBM工作了51年。

　　所謂摩爾定律，是指摩爾1965年所提出有關(guān)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的預(yù)言，即認(rèn)為每隔18~24個(gè)月，芯片上的晶體管數(shù)量將增加一倍。而登納德本人則是DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)明人。他于上個(gè)世代60年代末發(fā)明了DRAM內(nèi)存技術(shù)，目前該技術(shù)已被廣泛用于各類計(jì)算機(jī)產(chǎn)品當(dāng)中。

　　上個(gè)世紀(jì)70年代中期，登納德又提出了著名的“標(biāo)度理論”(scaling theory)。該理論闡述了如何不斷縮小晶體管尺寸的原理，使科技產(chǎn)業(yè)能夠持續(xù)開發(fā)出體積更小、處理速度更快、價(jià)格更為低廉的芯片。正因?yàn)槿绱耍萍冀缭谡務(wù)?ldquo;摩爾定律”時(shí)，也會(huì)談及登納德的“標(biāo)度理論”。登納德本人也認(rèn)為，標(biāo)度理論和摩爾定律可謂“相得益彰”。

　　為表彰登納德為美國(guó)科技產(chǎn)業(yè)所作出的杰出貢獻(xiàn)，IEEE將于下周四向他頒發(fā)榮譽(yù)勛章。去年IEEE曾為摩爾頒布了相應(yīng)榮譽(yù)勛章。

　　杰出貢獻(xiàn)

　　業(yè)界人士指出，如果沒(méi)有登納德發(fā)明的DRAM技術(shù)，當(dāng)今的計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)使用情況，或許同硬盤和筆記本電腦電池技術(shù)應(yīng)用仍處于同等水平線上。換句話說(shuō)，內(nèi)存芯片的制造成本仍將高居不下。

　　登納德回憶道，上個(gè)世紀(jì)60年代末，IBM大型機(jī)主要使用磁芯存儲(chǔ)器。磁芯存儲(chǔ)器使用小型線圈來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品不但容易損壞，而且造價(jià)昂貴，運(yùn)行速度也較慢。當(dāng)然，磁芯存儲(chǔ)器也具有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)：與DRAM內(nèi)存不同，機(jī)器斷電后，磁芯存儲(chǔ)器所保留的數(shù)據(jù)并不會(huì)消失(當(dāng)前計(jì)算機(jī)硬盤即是如此)。

　　為解決磁芯存儲(chǔ)器存在的不足，當(dāng)時(shí)科學(xué)家提供了諸多設(shè)計(jì)方案。但這些方案與磁芯存儲(chǔ)器相比，不但技術(shù)原理更為復(fù)雜，而且造價(jià)也更加昂貴。而登納德則在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間研究后，終于發(fā)明了可存儲(chǔ)少許數(shù)據(jù)、基于單晶體管設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元。他于1968年為這項(xiàng)技術(shù)申請(qǐng)了專利。

　　然而在上個(gè)世紀(jì)70年代中期以前，全球計(jì)算機(jī)仍主要采用多晶體管DRAM芯片。此后基于單晶體管設(shè)計(jì)的DRAM芯片開始流行開來(lái)。時(shí)至今日，游戲玩家和計(jì)算機(jī)愛(ài)好者已在使用DDR3-1600型DRAM內(nèi)存，其售價(jià)低于100美元。