恒憶與三星合作的生意經(jīng)

　　2009年6月24日，恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器(Phase Change Memory，PCM)產(chǎn)品的市場規(guī)格，兩大存儲器廠商的攜手再次印證了“商場上沒有永遠(yuǎn)的對手”。

　　韓國三星電子稱霸存儲器行業(yè)已有多時，其DRAM市場近30%、閃存市場近40%的份額長期無可撼動。而恒憶作為存儲器行業(yè)的新寵，其正式成立距今不過一年左右的時間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM，并利用新型PCM技術(shù)，為存儲器市場開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。

　　從存儲器產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的角度來看，NOR Flash的地盤正在被NAND閃存蠶食，而NAND Flash本身也正面臨著節(jié)點縮小、制造技術(shù)亟待進(jìn)步的挑戰(zhàn)。諸如FeRAM(鐵電隨機(jī)存儲器)、MRAM(磁阻式隨機(jī)存儲器)和PCM(相變存儲器)等熱門接班者漸漸浮出水面，吸引了人們的眼球，其中尤以PCM的關(guān)注度最高。

　　在PCM中，材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表0和1來存儲數(shù)據(jù)。只要在上面施加少量的復(fù)位電流就能觸發(fā)這兩個狀態(tài)的切換。PCM具有存儲單元小、非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長、穩(wěn)定性好、功耗低和可嵌入功能強(qiáng)等優(yōu)點，業(yè)界認(rèn)為當(dāng)Flash遭遇尺寸縮小限制時，PCM在65nm以后的優(yōu)勢將逐漸凸顯出來。

　　事實上，自從經(jīng)濟(jì)衰退波及芯片制造業(yè)以來，存儲器廠商的生存一直處于風(fēng)頭浪尖上。奇夢達(dá)的破產(chǎn)、Spansion的倒下、TMC的成立，種種新聞無不彰顯著存儲器產(chǎn)業(yè)的焦躁不安。三星作為存儲器制造的領(lǐng)頭羊，自然深諳“做大做強(qiáng)”的道理。除技術(shù)搖搖領(lǐng)先外，也投入了大筆資金進(jìn)行生產(chǎn)擴(kuò)張，以期擴(kuò)大市場份額。

　　而恒憶采取的是更為積極靈活的制造模式：通過代工解決短期的市場需求波動，通過合作獲得RAM/NAND制造規(guī)模，而無需承擔(dān)產(chǎn)量責(zé)任;當(dāng)需求有確定時，進(jìn)行內(nèi)部產(chǎn)能投資，并通過提高內(nèi)部工廠的開工率，來提高內(nèi)部供貨的成本效益。恒憶從創(chuàng)立伊始即與眾多業(yè)內(nèi)同行展開靈活的合作：與Hynix共同投資成立了位于無錫的一條8寸DRAM以及12寸NAND閃存生產(chǎn)線，恒憶在該合資公司的持股比例為16.7%;與Elpida簽署了一項協(xié)議，將一部分產(chǎn)品外包給后者。此次與三星在PCM領(lǐng)域的合作再次貫徹了其獨特性。

　　恒憶與三星共同合作制定針對PCM產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn)，將有效簡化設(shè)計流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間，使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗PCM存儲產(chǎn)品。共通規(guī)格可有效協(xié)助芯片組廠商及整個產(chǎn)業(yè)體系中的其他廠商達(dá)成產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化，并且有助催生新一代的存儲技術(shù)，使手機(jī)OEM、嵌入式系統(tǒng)、高級運(yùn)算裝置廠商和他們的客戶從中受益。

　　三星希望PCM成為公司存儲產(chǎn)品的新主力，并有助于提升公司其它移動存儲解決方案的性能，進(jìn)一步提高三星在業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)地位。恒憶雖然目前仍以NOR和NAND閃存制造為主，但也期望借此番合作在PCM方面有所作為，擴(kuò)大其盈利能力。

　　一個要保持鞏固自己的“江湖老大”地位，一個要以靈活的姿態(tài)玩轉(zhuǎn)存儲器領(lǐng)域。競爭永存，合作無限，祝他們好運(yùn)!