Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件擴展V系列產品線

　　全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation，發(fā)布了兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM25V02。兩款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業(yè)標準8腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀/寫次數及低功耗等特點，是工業(yè)控制、表計、醫(yī)療電子、軍事、游戲、計算機及其它應用領域的256 Kb 串口閃存和串口 EEPROM存儲器的兼容替代產品。

　　Ramtron 市場推廣經理Mike Peters 稱：“這兩款256 Kb V系列串口器件，具有相比上一代產品更低的工作電壓和更高性能，可用于替代FM24L256和 FM25L256B等舊型號器件。我們不斷擴展V系列產品線，履行Ramtron對環(huán)境的承諾，提供功效更高的非易失性存儲器產品，同時免除對電池的依賴。”

　　關于FM24V02 和FM25V02

　　FM24V02能以最高3.4 MHz的I2C總線速度執(zhí)行寫入操作，并支持100 kHz 和400 kHz的傳統(tǒng)總線頻率。此器件無寫入延遲，而且無需進行數據輪詢即可開始下一個總線周期。此外，F(xiàn)M24V02提供高達100萬億 (1E14)的讀/寫次數，相比EEPROM高出幾個數量級。FM24V02在執(zhí)行寫操作時不需要為寫入電路提供內部升高的電源電壓，因而功耗也遠較EEPROM為低。FM24V02工作模式耗電低于150μA (通常在100KHz下)，待機模式下則為90μA，而睡眠模式耗電更低至5μA。

　　FM25V02 在40 MHz SPI時鐘頻率下運作的耗電量僅為3mA，待機模式下為90μA，睡眠模式下則為5μA。FM25V02的典型運作功耗只有 38μA / MHz，較此類的串口閃存或EEPROM產品耗電降低了一個數量級。

　　兩款串口器件FM24V02和FM25V02均具有標準的只讀器件ID，可讓主機確定制造商、存儲容量和產品版本信息。它們還提供可選的獨特只讀序列號，方便確定帶有全球獨有ID的主機電路板或系統(tǒng)。最后，F(xiàn)M24V02 和 FM25V02能確保在-40°C至+85°C的溫度范圍工作，極之適合工業(yè)應用。

　　關于V系列F-RAM

　　Ramtron的V系列F-RAM產品采用由Ramtron和德州儀器共同開發(fā)的先進130nm CMOS生產工藝制造，包括多種容量的I2C、SPI和字節(jié)寬度的并口存儲器。其先進的制造工藝能夠提高器件性能，并增加功能集。除了FM24V02和FM25V02之外，V系列F-RAM包括以下型號：

　　· FM24V10 (1Mb串口I2C F-RAM)

　　· FM25V10 (1Mb串口SPI F-RAM)

　　· FM24V05 (512Kb串口I2C F-RAM)

　　· FM25V05 (512Kb串口SPI F-RAM )

　　· FM28V100 (1Mb并口F-RAM)