DRAM廠40納米開戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

　　臺系DRAM廠身陷財務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(Elpida)這次雖沒趕上50納米世代，差點出現(xiàn)世代交替斷層危機，公司內(nèi)部已研擬2010年將略過50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來真正決戰(zhàn)點會是40納米制程技術(shù)。

　　三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠2009年紛轉(zhuǎn)進50納米制程，且進入量產(chǎn)出貨階段，然臺廠技術(shù)卻仍停留在70納米制程，甚至身陷生存危機，然更危急之處在于國際大廠現(xiàn)在都開始布局40納米制程，2010年40納米大戰(zhàn)確定提前引爆，50納米技術(shù)恐成短命的過渡制程。

　　DRAM廠表示，三星不僅維持50納米制程世代領(lǐng)先地位，更積極研發(fā)40納米產(chǎn)品，且已進入成熟階段，開始送樣給客戶進行驗證，初期會從6F2技術(shù)切入，完全不用更新機器設(shè)備，每片晶圓產(chǎn)出可增加20%，相當具成本競爭力，待良率成熟后，再進入高階4F2技術(shù)，40納米制程將是三星重點布局的秘密武器。

　　美光40納米制程已進入成熟階段，預(yù)計于2010年進入量產(chǎn)，美光是全球第1家導(dǎo)入6F2技術(shù)的DRAM廠，在0.11微米制程世代就開始導(dǎo)入，根據(jù)美光內(nèi)部藍圖規(guī)畫，待40納米6F2技術(shù)成熟后，亦將緊接著導(dǎo)入4F2技術(shù)。

　　臺廠方面，南亞科和華亞科預(yù)計2009年下半開始導(dǎo)入50納米制程，目標2010年底全數(shù)產(chǎn)能轉(zhuǎn)進50納米，且產(chǎn)品線全規(guī)劃為DDR3，由于轉(zhuǎn)進40納米所需要機臺、銅制程技術(shù)等，南亞科和華亞科在規(guī)劃50納米制程時，都已配備齊全，因此，后續(xù)切入40納米速度相當快，初期先規(guī)劃6F2技術(shù)，再轉(zhuǎn)進4F2技術(shù)，將是唯一有能力同時加入50和40納米戰(zhàn)局的臺DRAM廠。

　　至于爾必達在這次50納米制程大戰(zhàn)，由于金融風(fēng)暴襲擊，新制程出現(xiàn)斷層危機，只能停留在65納米制程，短期因應(yīng)對策是研發(fā)省錢的制程技術(shù)，業(yè)界暫稱為60納米制程技術(shù)，在不需要購買新機臺下，成本可再降20%。爾必達內(nèi)部已研擬將略過50納米制程，2010年直接由60納米跳到40納米制程，以免落后競爭對手太多。

　　DRAM廠認為，50納米未來恐是短命制程，未來真正決戰(zhàn)點會是40納米制程，若DRAM廠此時能募得資金布局40納米，才有機會在2010年扳回一城。