耶魯大學與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內(nèi)存芯片技術(shù)FeDRAM
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SRC公司與耶魯大學的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術(shù)。這項技術(shù)使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結(jié)構(gòu)作為基本的存儲 單元，科學家們將這種內(nèi)存稱為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結(jié)構(gòu)，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質(zhì)材料制作。
本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/97135.htm
這種技術(shù)能使存儲單元的體積更小，信息的保存時間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右，刷新的時間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)。此外，有關(guān)的制造設(shè)備也更簡單，因此從理論上說制造成本也更低。
目前研究者們正努力制造基于FeDRAM技術(shù)的原型產(chǎn)品。在SRC公司的大力支持下，據(jù)稱FeDRAM內(nèi)存芯片有望在不久的將來面世，不過有關(guān)人士并沒有給出這款產(chǎn)品具體的面世時間。
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